Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

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Resultados: 182

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.55
1,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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1,097En existencias

Cinta cortada

S/23.55

S/12.38

S/11.33

S/10.32

S/9.85

Envase tipo carrete

S/9.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/75.79
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

190En existencias

S/75.79

S/45.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

251 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.89
343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

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343En existencias

S/61.89

S/35.07

S/32.66

S/30.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

77 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.03
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

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707En existencias

S/41.03

S/22.27

S/21.41

S/20.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.91
1,889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

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1,889En existencias

S/30.91

S/16.31

S/14.99

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
3,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3,510En existencias

S/27.48

S/14.32

S/13.16

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.95
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

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648En existencias

S/21.95

S/11.68

S/10.67

S/10.39

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.99
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

253En existencias

S/47.99

S/26.47

S/24.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.70
778En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

778En existencias

S/10.70

S/5.25

S/4.75

S/4.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R055CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.71
61En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R055CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R055CFD7ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

61En existencias

Cinta cortada

S/33.71

S/18.33

S/16.85

S/16.62

Envase tipo carrete

S/15.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.40
1,230En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5PFD7SAT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,230En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.03

S/1.80

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.43
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

299En existencias

S/13.43

S/6.73

S/6.07

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

374 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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338En existencias

S/13.20

S/6.62

S/5.96

S/4.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

237 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

543En existencias

S/8.45

S/6.27

S/4.09

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.42
310En existencias
1,000Se espera el 9/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R080P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1

Infineon Technologies

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310En existencias

1,000Se espera el 9/09/2026

Cinta cortada

S/22.42

S/11.76

S/10.70

S/9.65

Envase tipo carrete

S/9.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.05
2,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,927En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/3.35

S/2.99

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.88
1,499En existencias
2,500Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1,499En existencias

2,500Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/5.88

S/2.76

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
3,330En existencias
9,000Se espera el 22/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,330En existencias

9,000Se espera el 22/04/2027

Cinta cortada

S/5.64

S/2.65

S/2.36

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.85
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

500En existencias

S/19.85

S/10.28

S/8.80

S/7.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.25
70En existencias
960Se espera el 1/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

70En existencias

960Se espera el 1/09/2026

S/37.25

S/23.51

S/18.06

S/17.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

240En existencias

S/27.48

S/14.25

S/13.04

S/11.09

S/11.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.99
996En existencias
2,500Se espera el 24/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0PFD7SAU

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

996En existencias

2,500Se espera el 24/09/2026

Cinta cortada

S/5.99

S/2.94

S/2.44

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
961En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

961En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/2.25

S/2.18

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.9 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.04
255En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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255En existencias

S/16.04

S/8.95

S/8.29

S/6.62

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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739En existencias

S/9.89

S/5.06

S/4.32

S/3.49

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
3.6 A
4 A
4.5 A
4.7 A
5.2 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A

18 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
73 mOhms
77 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
12.7 nC
13 nC
15 nC
15.3 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
25 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W