CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

Resultados: 175
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 13,902En existencias
Cinta cortada
S/ 54.07
S/ 32.39
S/ 31.80
S/ 30.71
S/ 29.78
Envase tipo carrete
S/ 28.69
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,600En existencias
Cinta cortada
S/ 13.12
S/ 6.58
S/ 5.92
S/ 4.79
S/ 4.67
Envase tipo carrete
S/ 4.40
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3,413En existencias
Cinta cortada
S/ 31.41
S/ 17.05
S/ 15.65
S/ 15.22
S/ 14.36
Envase tipo carrete
S/ 14.36
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 5,576En existencias
Cinta cortada
S/ 7.43
S/ 3.56
S/ 3.18
S/ 2.51
S/ 2.37
Envase tipo carrete
S/ 2.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4,850En existencias
S/ 6.66
S/ 3.15
S/ 2.81
S/ 2.23
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 30 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 9,128En existencias
Cinta cortada
S/ 5.41
S/ 2.54
S/ 2.26
S/ 1.76
Envase tipo carrete
S/ 1.41
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,448En existencias
Cinta cortada
S/ 8.45
S/ 4.09
S/ 3.65
S/ 2.90
S/ 2.69
Envase tipo carrete
S/ 2.41
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7,426En existencias
Cinta cortada
S/ 7.82
S/ 3.76
S/ 3.36
S/ 2.66
S/ 2.54
Envase tipo carrete
S/ 2.18
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3,440En existencias
Cinta cortada
S/ 31.30
S/ 16.89
S/ 15.53
S/ 15.06
S/ 14.21
Envase tipo carrete
S/ 14.21
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,132En existencias
Cinta cortada
S/ 20.79
S/ 10.98
S/ 9.69
S/ 8.72
Envase tipo carrete
S/ 7.71
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 786En existencias
Cinta cortada
S/ 23.39
S/ 12.30
S/ 9.65
Envase tipo carrete
S/ 9.65
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,133En existencias
Cinta cortada
S/ 30.67
S/ 16.54
S/ 15.18
S/ 13.82
Envase tipo carrete
S/ 13.82
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,700
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 816En existencias
Cinta cortada
S/ 28.92
S/ 15.49
S/ 14.21
S/ 13.55
Envase tipo carrete
S/ 12.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 8,670En existencias
Cinta cortada
S/ 6.97
S/ 3.31
S/ 2.95
S/ 2.33
Envase tipo carrete
S/ 1.89
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3,336En existencias
Cinta cortada
S/ 13.94
S/ 7.55
S/ 6.27
S/ 5.45
S/ 5.25
Envase tipo carrete
S/ 5.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 697En existencias
S/ 41.03
S/ 22.27
S/ 20.44
S/ 20.09
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3,460En existencias
S/ 27.48
S/ 14.32
S/ 13.12
S/ 11.95
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1,114En existencias
S/ 44.61
S/ 24.41
S/ 22.73
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 3,868En existencias
Cinta cortada
S/ 8.52
S/ 4.13
S/ 3.68
S/ 2.92
S/ 2.71
Envase tipo carrete
S/ 2.44
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,568En existencias
Cinta cortada
S/ 29.43
S/ 15.80
S/ 14.48
S/ 13.90
S/ 13.12
Envase tipo carrete
S/ 13.12
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2,695En existencias
Cinta cortada
S/ 16.54
S/ 9.77
S/ 7.98
S/ 6.66
S/ 6.42
Envase tipo carrete
S/ 6.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 959En existencias
Cinta cortada
S/ 24.95
S/ 14.83
S/ 10.04
Envase tipo carrete
S/ 10.04
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms 12 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 678En existencias
S/ 20.01
S/ 10.35
S/ 9.42
S/ 8.25
S/ 7.75
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,216En existencias
S/ 8.84
S/ 4.28
S/ 3.83
S/ 2.93
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 2,467En existencias
Cinta cortada
S/ 6.77
S/ 3.22
S/ 2.72
S/ 2.24
Envase tipo carrete
S/ 1.85
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape