Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
23 A
22 mOhms
20 V
4.5 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
390 W
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IPD80R360P7ATMA1
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
13 A
310 mOhms
20 V
2.5 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
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IPL60R065P7AUMA1
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Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
41 A
53 mOhms
20 V
3 V
67 nC
- 40 C
+ 150 C
201 W
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Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
950 V
6 A
1.2 Ohms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
7 W
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
700 V
8.5 A
490 mOhms
30 V
2.5 V
10.5 nC
- 40 C
+ 150 C
24.9 W
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
2.5 A
2 Ohms
20 V
2.5 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W
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CoolMOS
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IPD80R750P7ATMA1
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
640 mOhms
20 V
2.5 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
51 W
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IPD80R900P7ATMA1
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
770 mOhms
20 V
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+ 150 C
45 W
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CoolMOS
Reel, Cut Tape
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Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
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600 V
40 A
60 mOhms
20 V
3.5 V
79 nC
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+ 150 C
219 W
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IPB60R099P7ATMA1
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
77 mOhms
20 V
3 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
117 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB65R115CFD7AATMA1
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726-IPB65R115CFD7AAT
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786 En existencias
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
21 A
115 mOhms
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4 V
41 nC
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+ 150 C
114 W
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AEC-Q101
CoolMOS
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IPDD60R080G7XTMA1
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726-IPDD60R080G7XTM1
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Si
SMD/SMT
HDSOP-10
N-Channel
1 Channel
600 V
29 A
80 mOhms
20 V
3 V
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+ 150 C
174 W
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IPB60R070CFD7ATMA1
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726-IPB60R070CFD7ATM
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
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4.5 V
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Reel, Cut Tape
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IPD80R1K2P7ATMA1
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726-IPD80R1K2P7ATMA1
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
4.5 A
1 Ohms
20 V
2.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
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IPL60R185CFD7AUMA1
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726-IPL60R185CFD7AUM
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3,336 En existencias
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Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
153 mOhms
20 V
3.5 V
28 nC
- 40 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R040CFD7XKSA1
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726-IPW60R040CFD7XKS
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697 En existencias
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
40 mOhms
20 V
3.5 V
109 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
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IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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S/ 27.48
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N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,460 En existencias
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37 A
69 mOhms
20 V
3 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
129 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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IPW65R050CFD7AXKSA1
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726-IPW65R050CFD7AXK
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
45 A
50 mOhms
20 V
4 V
102 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Tube
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IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
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S/ 8.52
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726-IPD95R1K2P7ATMA1
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
6 A
1.2 Ohms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/ 29.43
1,568 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,568 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
33 A
66 mOhms
20 V
3.5 V
67 nC
- 40 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/ 16.54
2,695 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,695 En existencias
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Mult.: 1
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
160 mOhms
20 V
3.5 V
31 nC
- 40 C
+ 150 C
95 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/ 24.95
959 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
959 En existencias
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Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
65 mOhms
12 V
3.5 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
167 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/ 20.01
678 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
678 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
125 mOhms
20 V
3.5 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/ 8.84
1,216 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1,216 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
770 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/ 6.77
2,467 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,467 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
6 A
490 mOhms
20 V
3 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape