Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. These ROHM devices combine high-speed switching with an internal diode and high reverse recovery time (t_rr) characteristics for optimized efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

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Resultados: 71

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch R6511KND3TL1 ROHM Semiconductor 1: S/12.57 1,699En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6511KND3TL1 N.º de artículo de Mouser 755-R6511KND3TL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	1,699En existencias	Cinta cortada S/12.57 S/8.17 S/5.57 S/4.59 S/4.44 Envase tipo carrete S/4.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	400 mOhms	20 V	5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	124 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch R6507KND3TL1 ROHM Semiconductor 1: S/10.20 2,451En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6507KND3TL1 N.º de artículo de Mouser 755-R6507KND3TL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	2,451En existencias	Cinta cortada S/10.20 S/5.02 S/4.36 S/3.59 S/3.48 Envase tipo carrete S/3.13	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	665 mOhms	20 V	5 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch R6509KND3TL1 ROHM Semiconductor 1: S/10.74 4,925En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6509KND3TL1 N.º de artículo de Mouser 755-R6509KND3TL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	4,925En existencias	Cinta cortada S/10.74 S/5.29 S/4.71 S/3.81 S/3.69 Envase tipo carrete S/3.36	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	650 V	9 A	585 mOhms	20 V	5 V	16.5 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover R6009JNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/16.08 1,957En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6009JNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6009JNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	1,957En existencias	S/16.08 S/8.25 S/7.47 S/6.81 Ver S/6.66 S/6.27	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	585 mOhms	30 V	7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	PrestoMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover R6030JNZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/45.62 442En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6030JNZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6030JNZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	442En existencias	S/45.62 S/25.03 S/23.04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	143 mOhms	30 V	7 V	74 nC	- 55 C	+ 150 C	370 W	Enhancement	PrestoMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch R6520KNX3C16 ROHM Semiconductor 1: S/20.71 746En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6520KNX3C16 N.º de artículo de Mouser 755-R6520KNX3C16	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	746En existencias	S/20.71 S/11.79 S/10.55 S/9.15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20 A	205 mOhms	20 V	5 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	220 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise R6530ENZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/29.23 410En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6530ENZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6530ENZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	410En existencias	S/29.23 S/16.19 S/14.87 S/13.90	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247G-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	140 mOhms	20 V	4 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover R6007JNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/15.45 1,855En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6007JNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6007JNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	1,855En existencias	S/15.45 S/7.82 S/7.08 S/5.88 Ver S/5.76 S/5.41	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	780 mOhms	30 V	7 V	17.5 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	PrestoMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise R6035ENZC17 ROHM Semiconductor 1: S/34.53 487En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6035ENZC17 N.º de artículo de Mouser 755-R6035ENZC17	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	487En existencias	S/34.53 S/20.24 S/18.88 S/18.68 S/17.48	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	600 V	35 A	102 mOhms	20 V	4 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch R6535KNX3C16 ROHM Semiconductor 1: S/31.18 744En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6535KNX3C16 N.º de artículo de Mouser 755-R6535KNX3C16	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	744En existencias	S/31.18 S/16.93 S/16.47 S/16.39 S/15.26	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	115 mOhms	20 V	5 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	370 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover R6018JNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/23.28 681En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6018JNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6018JNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	681En existencias	S/23.28 S/12.22 S/11.17 S/10.00 S/9.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	286 mOhms	30 V	7 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	PrestoMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise R6030ENZC17 ROHM Semiconductor 1: S/31.53 184En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6030ENZC17 N.º de artículo de Mouser 755-R6030ENZC17	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	184En existencias	S/31.53 S/18.33 S/16.74 S/16.70 S/15.49	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	130 mOhms	20 V	4 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch R6515KNX3C16 ROHM Semiconductor 1: S/17.75 934En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6515KNX3C16 N.º de artículo de Mouser 755-R6515KNX3C16	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	934En existencias	S/17.75 S/9.65 S/8.76 S/7.71 Ver S/7.20 S/7.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	315 mOhms	20 V	5 V	27.5 nC	- 55 C	+ 150 C	161 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch R6535KNZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/35.15 503En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6535KNZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6535KNZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	503En existencias	S/35.15 S/19.07 S/17.59 S/16.93	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247G-3	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	115 mOhms	20 V	5 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	379 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch R6576KNZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/67.85 579En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6576KNZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6576KNZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	579En existencias	S/67.85 S/41.65 S/40.87 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247G-3	N-Channel	1 Channel	650 V	76 A	46 mOhms	20 V	5 V	165 nC	- 55 C	+ 150 C	735 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise R6504END3TL1 ROHM Semiconductor 1: S/9.34 1,375En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6504END3TL1 N.º de artículo de Mouser 755-R6504END3TL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	1,375En existencias	Cinta cortada S/9.34 S/4.59 S/3.97 S/3.27 S/3.06 Envase tipo carrete S/2.75	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	650 V	4 A	1.05 Ohms	20 V	4 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	58 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover R6020JNJGTL ROHM Semiconductor 1: S/23.86 832En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6020JNJGTL N.º de artículo de Mouser 755-R6020JNJGTL	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	832En existencias	Cinta cortada S/23.86 S/12.57 S/11.48 S/10.51 Envase tipo carrete S/9.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	234 mOhms	30 V	5 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	252 W	Enhancement	PrestoMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise R6024ENZC17 ROHM Semiconductor 1: S/29.08 300En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6024ENZC17 N.º de artículo de Mouser 755-R6024ENZC17	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	300En existencias	S/29.08 S/15.26 S/14.01 S/12.73	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	600 V	24 A	165 mOhms	20 V	4 V	70 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Fast Switch R6035KNZC17 ROHM Semiconductor 1: S/34.53 596En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6035KNZC17 N.º de artículo de Mouser 755-R6035KNZC17	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	596En existencias	S/34.53 S/20.24 S/18.88 S/18.22 S/17.48	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	600 V	35 A	102 mOhms	20 V	5 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	102 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise R6509END3TL1 ROHM Semiconductor 1: S/12.34 6,983En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6509END3TL1 N.º de artículo de Mouser 755-R6509END3TL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	6,983En existencias	Cinta cortada S/12.34 S/6.19 S/5.41 S/4.52 S/4.36 Envase tipo carrete S/4.09	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	650 V	9 A	585 mOhms	20 V	4 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise R6547ENZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/42.58 504En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6547ENZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6547ENZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	504En existencias	S/42.58 S/23.20 S/21.45 S/21.06	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247G-3	N-Channel	1 Channel	650 V	47 A	80 mOhms	20 V	4 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	480 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise R6035ENZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/33.36 399En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6035ENZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6035ENZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	399En existencias	S/33.36 S/19.50 S/18.02 S/17.91 S/16.70	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	35 A	102 mOhms	20 V	4 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	379 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch R6530KNX3C16 ROHM Semiconductor 1: S/27.13 779En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6530KNX3C16 N.º de artículo de Mouser 755-R6530KNX3C16	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	779En existencias	S/27.13 S/14.56 S/13.74 S/12.88	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	140 mOhms	20 V	5 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	307 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise R6535ENZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/35.15 526En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6535ENZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6535ENZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	526En existencias	S/35.15 S/19.07 S/17.59 S/16.93	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247G-3	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	115 mOhms	20 V	4 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	379 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover R6009JNJGTL ROHM Semiconductor 1: S/16.15 983En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6009JNJGTL N.º de artículo de Mouser 755-R6009JNJGTL	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm prestomos high voltage mosfets	Hoja de datos	983En existencias	Cinta cortada S/16.15 S/8.25 S/7.51 S/6.27 Envase tipo carrete S/5.80	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	585 mOhms	30 V	7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	PrestoMOS	Reel, Cut Tape