MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/56.95
637En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R045M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R045M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

637En existencias

Cinta cortada

S/56.95

S/38.77

S/32.62

S/29.74

Envase tipo carrete

S/27.40

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.67
369En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

369En existencias

S/23.67

S/17.05

S/15.76

S/15.53

S/14.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/34.95
323En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R060M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R060M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

323En existencias

Cinta cortada

S/34.95

S/27.68

S/23.28

S/20.75

Envase tipo carrete

S/18.92

S/17.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.84
432En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

432En existencias

S/47.84

S/31.61

S/23.86

S/23.82

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.84
437En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Fin de vida útil

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos

437En existencias

S/31.84

S/21.49

S/17.32

S/15.41

S/13.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.66
859En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R090M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R090M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

859En existencias

Cinta cortada

S/35.66

S/24.33

S/20.09

S/17.91

Envase tipo carrete

S/16.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.49
1,860En existencias
2,000Se espera el 7/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R140M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R140M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1,860En existencias

2,000Se espera el 7/08/2026

Cinta cortada

S/31.49

S/22.15

S/17.91

S/15.92

Envase tipo carrete

S/14.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.18
434En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

434En existencias

S/34.18

S/22.54

S/18.18

S/15.65

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/65.04
91En existencias
1,200Se espera el 17/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

91En existencias

1,200Se espera el 17/08/2026

S/65.04

S/49.55

S/41.30

S/36.75

S/34.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.85
10,930En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R1K0M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Hoja de datos

10,930En pedido

Cinta cortada

S/22.85

S/14.40

S/10.78

S/9.19

Envase tipo carrete

S/8.56

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/72.13
686En existencias
1,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R030M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R030M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

686En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/72.13

S/54.92

S/45.78

S/40.79

Envase tipo carrete

S/38.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.64
512En existencias
2,000Se espera el 31/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R220M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R220M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

512En existencias

2,000Se espera el 31/07/2026

Cinta cortada

S/27.64

S/18.49

S/14.87

S/13.20

Envase tipo carrete

S/11.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.08
1,206En existencias
1,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R350M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R350M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1,206En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/26.08

S/17.09

S/12.57

S/11.17

Envase tipo carrete

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.72
305En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

305En existencias

S/31.72

S/20.71

S/17.01

S/14.91

S/14.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.18
1,518En existencias
3,120En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

1,518En existencias

3,120En pedido

S/28.18

S/18.84

S/15.14

S/13.47

S/11.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.76
597En existencias
240Se espera el 20/05/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

597En existencias

240Se espera el 20/05/2027

S/24.76

S/14.05

S/11.72

S/10.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/63.14
1,224En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,224En existencias

S/63.14

S/48.11

S/40.09

S/35.69

S/33.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.33
307En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

Hoja de datos

307En existencias

S/27.33

S/18.29

S/14.67

S/13.04

S/11.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

350 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/33.01
46En existencias
11,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R450M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

46En existencias

11,000En pedido

Cinta cortada

S/33.01

S/22.27

S/16.15

S/13.86

Envase tipo carrete

S/12.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.04
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R650M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

839En existencias

Cinta cortada

S/26.04

S/17.67

S/12.85

S/11.09

Envase tipo carrete

S/10.04

S/9.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.4 A

650 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/77.73
480En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

480En pedido

S/77.73

S/49.55

S/42.66

S/39.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.10
65En existencias
960Se espera el 17/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

65En existencias

960Se espera el 17/09/2026

S/44.10

S/29.58

S/23.43

S/22.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.65
220En existencias
1,920En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R220M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

220En existencias

1,920En pedido

S/31.65

S/20.51

S/15.76

S/13.78

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

13 A

220 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.32
40En existencias
240Se espera el 7/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

40En existencias

240Se espera el 7/08/2026

S/43.32

S/30.63

S/25.53

S/22.69

S/21.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/71.70
2,160En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R030M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

2,160En pedido

S/71.70

S/47.41

S/40.95

S/39.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

34 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms