MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/28.73 839En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R090M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	839En existencias	Cinta cortada S/28.73 S/18.37 S/16.89 S/16.62 Envase tipo carrete S/15.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/51.69 617En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R045M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	617En existencias	Cinta cortada S/51.69 S/32.07 S/30.24 S/28.77 Envase tipo carrete S/28.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/27.17 368En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	368En existencias	S/27.17 S/19.27 S/16.54 S/15.57	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/37.06 303En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R060M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	303En existencias	Cinta cortada S/37.06 S/22.07 S/20.75 S/19.89 Envase tipo carrete S/19.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/25.89 240En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R107M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R107M1HXKS Fin de vida útil	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET	Hoja de datos	240En existencias	S/25.89 S/16.50 S/15.65 S/15.61 S/14.56	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/62.36 2,509En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R030M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2,509En existencias	Cinta cortada S/62.36 S/37.13 Envase tipo carrete S/35.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: S/29.43 6,935En existencias 3,000Se espera el 29/07/2027	N.º de artículo del Fabricante IMBF170R450M1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	6,935En existencias 3,000Se espera el 29/07/2027	Cinta cortada S/29.43 S/16.00 S/14.67 S/13.90 Envase tipo carrete S/12.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/29.23 3,844En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R140M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	3,844En existencias	Cinta cortada S/29.23 S/15.69 S/14.36 S/14.32 Envase tipo carrete S/13.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/58.23 1,751En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,751En existencias	S/58.23 S/36.24 S/33.79	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/41.88 362En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	362En existencias	S/41.88 S/22.77 S/21.06 S/20.90	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/41.49 900En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	900En existencias	S/41.49 S/25.42 S/23.51 S/22.23	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/61.15 1,467En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,467En existencias	S/61.15 S/35.07 S/34.80	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/40.48 313En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	313En existencias	S/40.48 S/23.32 S/21.60 S/21.53	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/25.42 2,502En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R220M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2,502En existencias	Cinta cortada S/25.42 S/13.47 S/12.03 Envase tipo carrete S/10.78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/22.42 1,430En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R350M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	1,430En existencias	Cinta cortada S/22.42 S/11.76 S/10.70 S/9.65 Envase tipo carrete S/9.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/37.13 626En existencias 480Se espera el 16/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	626En existencias 480Se espera el 16/10/2026	S/37.13 S/20.01 S/18.45 S/16.70	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/25.34 3,907En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	3,907En existencias	S/25.34 S/14.44 S/13.23 S/12.49 S/12.07	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/32.19 314En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R072M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	314En existencias	S/32.19 S/18.29 S/16.85 S/16.11	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/29.47 473En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R107M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	473En existencias	S/29.47 S/15.45 S/14.21 S/13.12	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/37.60 960En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	960En existencias	S/37.60 S/21.29 S/19.66 S/18.02	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: S/20.79 19En existencias 25,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMBF170R1K0M1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	19En existencias 25,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMBF170R1K0M1XTMA1 Existencias: 19 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 7/01/2027 23,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 60 Semanas	Cinta cortada S/20.79 S/11.02 S/10.04 S/8.72 Envase tipo carrete S/8.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: S/25.18 57En existencias 2,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMBF170R650M1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	57En existencias 2,000En pedido	Cinta cortada S/25.18 S/13.31 S/12.11 S/11.02 Envase tipo carrete S/9.77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/67.89 480Se espera el 8/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	480Se espera el 8/10/2026	S/67.89 S/41.73 S/37.68	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/28.61 142En existencias 240Se espera el 5/11/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	142En existencias 240Se espera el 5/11/2026	S/28.61 S/16.62 S/15.26 S/14.29	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/22.93 53En existencias 960En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	53En existencias 960En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R350M1HXKSA1 Existencias: 53 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 240 Se espera el 10/12/2026 720 Se espera el 31/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	S/22.93 S/12.18 S/11.29 S/10.32	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC