Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Los transistores de potencia CoolMOS P7 de 600 V de Infineon son la 7ª generación de dispositivos que utilizan una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión. Los transistores están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos por Infineon Technologies. Los transistores CoolMOS P7 de 600 V combinan los beneficios de un MOSFET SJ de conmuntación rápida con excelente facilidad de uso. Los transistores P7 de 600 V ofrecen tendencia de repique muy baja, magnífica resistencia del diodo del cuerpo a la conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y atractivas.
Conozca más

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
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S/31.41

S/17.05

S/15.65

S/15.22

S/14.17

Envase tipo carrete

S/14.17

MouseReel Disponible

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1 Channel

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3 V

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R120P7ATMA1
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Cinta cortada

S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.34

MouseReel Disponible

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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S/36.82

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Tube

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S/6.73

S/3.22

S/2.69

S/2.21

Envase tipo carrete

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CoolMOS

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IPB60R045P7ATMA1
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S/31.88

S/21.33

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S/15.38

Envase tipo carrete

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
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S/41.77

S/22.69

S/20.98

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CoolMOS

Tube

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IPW60R180P7XKSA1
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1: S/16.15
8,497En existencias
23,760Se espera el 12/11/2026

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S/16.15

S/7.98

S/7.28

S/6.03

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600 V

18 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
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2,993En existencias

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IPA60R060P7XKSA1

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S/27.56

S/14.64

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S/11.17

S/11.09

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3 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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1,726En existencias

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IPA60R080P7XKSA1

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S/22.58

S/11.83

S/10.78

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Min.: 1
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37 A

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3 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.01
824En existencias

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IPA60R099P7XKSA1

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726-IPA60R099P7XKSA1

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S/20.01

S/10.39

S/9.46

S/7.79

Min.: 1
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1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

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3 V

45 nC

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+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
1,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

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726-IPA60R120P7XKSA1

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S/17.24

S/8.84

S/8.02

S/6.54

S/6.38

Min.: 1
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1 Channel

600 V

26 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
8,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

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726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

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S/8.56

S/4.16

S/3.70

S/2.94

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
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1,140En existencias
1,000Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

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S/25.57

S/14.48

S/13.16

S/11.64

Envase tipo carrete

S/10.98

MouseReel Disponible

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1 Channel

600 V

48 A

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20 V

3 V

67 nC

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+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.18
1,162En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/21.18

S/10.98

S/9.96

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.00
7,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

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7,565En existencias

Cinta cortada

S/13.00

S/6.50

S/5.88

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.36

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
4,443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,443En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/5.33

S/4.79

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.54

S/3.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
7,189En existencias
7,500Se espera el 4/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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7,189En existencias

7,500Se espera el 4/02/2027

Cinta cortada

S/8.56

S/4.16

S/3.71

S/2.95

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
7,484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

7,484En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/2.25

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.16
3,092En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R085P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,092En existencias

Cinta cortada

S/26.16

S/15.69

S/12.61

S/11.37

S/10.63

Envase tipo carrete

S/10.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

73 mOhms

20 V

3 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

154 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/21.14
4,191En existencias
3,000Se espera el 12/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4,191En existencias

3,000Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

S/21.14

S/11.48

S/10.47

S/9.15

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
7,561En existencias
3,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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7,561En existencias

3,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/16.11

S/8.68

S/7.86

S/6.66

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
3,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3,667En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/6.38

S/5.76

S/4.67

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.07
3,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

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3,752En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/5.99

S/5.41

S/4.36

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

218 mOhms

20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.66
1,316En existencias
5,000Se espera el 8/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

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5,000Se espera el 8/04/2027

S/26.66

S/14.64

S/13.39

S/12.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.58
1,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

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1,009En existencias

S/55.58

S/31.14

S/29.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

24 mOhms

20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
300 mOhms
305 mOhms
340 mOhms

7 W
21 W
22 W
24 W
26 W
28 W
29 W
30 W
41 W
53 W
59 W
72 W
81 W
95 W
111 W
117 W
129 W
137 W
154 W
164 W