Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Los transistores de potencia CoolMOS P7 de 600 V de Infineon son la 7ª generación de dispositivos que utilizan una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión. Los transistores están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos por Infineon Technologies. Los transistores CoolMOS P7 de 600 V combinan los beneficios de un MOSFET SJ de conmuntación rápida con excelente facilidad de uso. Los transistores P7 de 600 V ofrecen tendencia de repique muy baja, magnífica resistencia del diodo del cuerpo a la conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y atractivas.
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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R080P7XKSA1

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Infineon Technologies

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S/23.98

S/14.52

S/11.56

S/9.65

S/9.19

Min.: 1
Mult.: 1

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N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/31.72
3,511En existencias

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IPL60R065P7AUMA1

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726-IPL60R065P7AUMA1

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Cinta cortada

S/31.72

S/22.34

S/18.06

S/16.08

S/14.36

Envase tipo carrete

S/14.36

MouseReel Disponible

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N-Channel

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- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

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+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.61
5,748En existencias

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IPP60R360P7XKSA1

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726-IPP60R360P7XKSA1

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S/9.61

S/5.18

S/3.75

S/3.18

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600 V

9 A

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- 20 V, 20 V

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41 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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Infineon Technologies
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S/7.12

S/4.48

S/2.94

S/2.34

S/2.07

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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6 A

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPZA60R045P7XKSA1
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1: S/39.08
220En existencias

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726-IPZA60R045P7XKSA

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CoolMOS

Tube

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IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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12,403En existencias
2,500Se espera el 24/09/2026

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IPP60R080P7XKSA1

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S/13.82

S/11.95

S/10.70

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Min.: 1
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1 Channel

600 V

37 A

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3 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.92
6,658En existencias
6,240Se espera el 7/08/2026

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IPW60R037P7XKSA1

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S/41.92

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S/24.72

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.31
26,317En existencias
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IPW60R180P7XKSA1

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S/6.66

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CoolMOS

Tube

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IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
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S/8.64

S/5.96

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.78
5,548En existencias

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IPB60R280P7ATMA1

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726-IPB60R280P7ATMA1

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Cinta cortada

S/10.78

S/6.97

S/4.79

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.43

S/3.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.75
473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045P7XKSA1

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726-IPW60R045P7XKSA1

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473En existencias

S/36.75

S/25.11

S/20.71

S/18.41

S/17.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

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+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.96
1,005En existencias
2,000Se espera el 28/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1

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1,005En existencias

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S/28.96

S/18.96

S/14.09

S/11.95

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.72
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

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862En existencias

S/21.72

S/14.25

S/10.63

S/8.87

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.83
1,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/17.83

S/11.68

S/8.72

S/7.28

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.80
3,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,245En existencias

S/8.80

S/5.61

S/3.76

S/3.05

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.58
343En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

343En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

S/32.58

S/21.80

S/17.52

S/15.57

Envase tipo carrete

S/13.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.67
1,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,296En existencias

Cinta cortada

S/23.67

S/16.43

S/12.69

S/11.29

Envase tipo carrete

S/10.16

S/9.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.37
1,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,202En existencias

Cinta cortada

S/21.37

S/14.09

S/10.28

S/8.56

Envase tipo carrete

S/7.59

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.83
5,285En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R120P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5,285En existencias

Cinta cortada

S/17.83

S/11.68

S/8.72

S/7.59

Envase tipo carrete

S/6.42

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
979En existencias
12,500Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

979En existencias

12,500Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/11.33

S/7.32

S/5.02

S/4.09

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.84
11,564En existencias
7,500Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

11,564En existencias

7,500Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/8.84

S/5.61

S/3.78

S/3.06

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.55
3,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,200En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.75

S/3.11

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
12,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

12,751En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/3.32

S/2.18

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/23.04
1,316En existencias
6,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,316En existencias

6,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

S/23.04

S/15.10

S/11.25

S/9.46

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.85
7,724En existencias
3,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

7,724En existencias

3,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/16.85

S/11.09

S/8.25

S/7.08

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
300 mOhms
305 mOhms
340 mOhms

7 W
21 W
22 W
24 W
26 W
28 W
29 W
30 W
41 W
53 W
59 W
72 W
81 W
95 W
111 W
117 W
129 W
137 W
154 W
164 W