Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQ7414CENW-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.54
9,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ7414CENW-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ7414CENW-T1_JE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

9,407En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/3.81

S/2.51

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.58
138,084En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1431EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1431EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

138,084En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.24

S/1.45

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.93
143,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ2303ES-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ2303ES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

143,275En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.79

S/1.74

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.903

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

SQ4431EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.08
36,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4431EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4431EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V

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36,326En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.01

S/2.37

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.87

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.63
143,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1539EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1539EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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143,156En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.01

S/0.81

S/0.771

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

850 mA

210 mOhms, 788 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2.6 V

1.4 nC, 1.6 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.67
110,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3985EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3985EV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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110,353En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.93

S/1.93

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

20 V

3.9 A

130 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.09
24,892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4425EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4425EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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24,892En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/7.20

S/4.94

S/3.97

S/3.72

Envase tipo carrete

S/3.47

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

18 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
31,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4949EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4949EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified

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31,294En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.40

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

7.5 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.11
25,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4961EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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25,493En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

60 V

4.4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
295,656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1421EDH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1421EDH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

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295,656En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.63
308,976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1563AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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308,976En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.01

S/0.81

S/0.771

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

150 mOhms, 500 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV, 1.5 V

930 pC, 1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

SQ4431EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.08
53,433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4431EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4431EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified

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53,433En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.01

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.94

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10.8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

SQ7414CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.15
51,863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ7414CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ7414CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

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51,863En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.88

S/2.58

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V

SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
71,206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ9407EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ9407EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

71,206En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.05

S/2.41

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

60 V

4.6 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

26.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.39
301,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1922EEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

301,813En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

840 mA

350 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQ4184EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.04
29,844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4184EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4184EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

29,844En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.46

S/4.44

S/3.53

S/3.24

Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

29 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.38
47,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4483EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

47,010En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.58
201,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1470AEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

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201,463En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.24

S/1.45

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.7 A

45 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

5.2 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.39
130,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1912AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

130,693En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.04
181,173En existencias

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SQ1912EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

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S/3.04

S/1.89

S/1.22

S/0.926

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S/0.712

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms, 200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.15 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.04
127,420En existencias

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SQ1922AEEH-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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S/3.04

S/1.88

S/1.21

S/0.926

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S/0.708

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

300 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.97
171,834En existencias

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SQ3989EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6

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S/3.97

S/2.47

S/1.61

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.961

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.5 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.1 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

SQ4064EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
31,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4064EY-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4064EY-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V

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S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.66

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S/2.19

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.04
29,085En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4153EY-T1_GE3

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78-SQ4153EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/10.04

S/6.46

S/4.44

S/3.53

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S/3.19

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQ3481CEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.81
2,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3481CEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3481CEV-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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2,707En existencias

S/3.81

S/2.58

S/1.60

S/1.40

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

7.5 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.5 nC

- 55 C

+ 175 C

4 W

Enhancement

SQ Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.5 A, 3.57 A
2.8 A
3 A
3.2 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.4 A
4.6 A

3.1 mOhms
3.6 mOhms
3.8 mOhms
5.1 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
12.3 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
16.5 mOhms
20 mOhms, 20 mOhms
21 mOhms
21 mOhms, 56 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
25 mOhms

700 pC
930 pC, 1 nC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
1.4 nC, 1.6 nC
2.3 nC
2.5 nC
2.5 nC, 3.5 nC
3.1 nC
3.4 nC
3.5 nC
3.6 nC
4.1 nC
4.5 nC
4.95 nC
5 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.5 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
1.9 W
2 W
2.5 W
2.7 W
3 W
3.3 W
3.6 W
3.75 W
3.9 W
4 W
4.4 W
5 W
6 W
6.8 W
7 W
7.1 W
7.14 W