Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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Si
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Si
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AEC-Q101
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Si
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SOIC-8
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Si
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SOIC-8
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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Si
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AEC-Q101
TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
30 V
30 A
7 mOhms
20 V
2.5 V
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AEC-Q101
TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
P-Channel
1 Channel
60 V
1.6 A
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20 V
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AEC-Q101
TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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S/3.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
308,399 En existencias
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S/3.39
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
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2 Channel
20 V
850 mA
150 mOhms, 500 mOhms
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1.5 W
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AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified
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SQ4431EY-T1_GE3
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S/7.08
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N.º de artículo de Mouser
78-SQ4431EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified
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53,437 En existencias
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S/7.08
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S/3.37
100
S/3.01
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
30 V
10.8 A
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20 V
2.5 V
25 nC
- 55 C
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AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
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SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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S/7.16
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N.º de artículo de Mouser
78-SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
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71,136 En existencias
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S/7.16
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S/3.41
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S/2.41
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S/1.72
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
60 V
4.6 A
115 mOhms
20 V
2.5 V
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+ 175 C
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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S/9.11
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N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
24,647 En existencias
1
S/9.11
10
S/4.44
100
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Min.: 1
Mult.: 1
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2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
2 Channel
60 V
4.4 A
70 mOhms
20 V
2.5 V
40 nC
- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.58
201,463 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
201,463 En existencias
1
S/3.58
10
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Min.: 1
Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
1 Channel
30 V
1.7 A
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+ 175 C
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AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.39
130,669 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
130,669 En existencias
1
S/3.39
10
S/1.54
100
S/1.36
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S/1.04
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S/0.802
9,000
Ver
9,000
S/0.701
24,000
S/0.685
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
800 mA
200 mOhms
12 V
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AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
181,008 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181,008 En existencias
1
S/3.04
10
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
800 mA
200 mOhms, 200 mOhms
12 V
450 mV
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- 55 C
+ 175 C
1.5 W
Enhancement
AEC-Q101
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
127,420 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
127,420 En existencias
1
S/3.04
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6,000
Ver
1,000
S/0.911
6,000
S/0.697
9,000
S/0.619
24,000
S/0.568
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
850 mA
300 mOhms
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