Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 55

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.05
67,607En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL308CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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67,607En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/1.92

S/1.58

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.919

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

2 A, 2.3 A

44 mOhms, 62 mOhms

20 V

1.5 V, 1.6 V

650 pC, 1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.92
138,013En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235CH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

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138,013En existencias

Cinta cortada

S/2.92

S/2.00

S/1.27

S/0.782

Envase tipo carrete

S/0.502

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

530 mA, 950 mA

266 mOhms, 745 mOhms

12 V

700 mV, 1.2 V

340 pC, 400 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
11,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL211SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL211SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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Cinta cortada

S/4.09

S/1.93

S/1.57

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4.7 A

94 mOhms

12 V

900 mV

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS127IXTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.48
29,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS127IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS127IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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29,037En existencias

Cinta cortada

S/1.48

S/0.65

S/0.568

S/0.42

Envase tipo carrete

S/0.311

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 mA

500 Ohms

20 V

2.6 V

650 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.76
16,323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS215PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

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Cinta cortada

S/2.76

S/1.90

S/1.20

S/0.747

Envase tipo carrete

S/0.475

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

105 mOhms

12 V

1.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.41
16,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS314PEH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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S/2.41

S/1.65

S/1.05

S/0.658

Envase tipo carrete

S/0.494

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

107 mOhms

20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.25
400,371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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400,371En existencias

Cinta cortada

S/1.25

S/0.553

S/0.483

S/0.354

Envase tipo carrete

S/0.265

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
10,649En existencias
11,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSP296NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP296NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

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Cinta cortada

S/4.36

S/2.00

S/1.73

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.2 A

329 mOhms

20 V

1.4 V

4.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

BSD223PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.87
80,426En existencias
108,000Se espera el 6/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSD223PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSD223PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

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80,426En existencias

108,000Se espera el 6/05/2027

Cinta cortada

S/1.87

S/0.825

S/0.724

S/0.541

Envase tipo carrete

S/0.405

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

2 Channel

20 V

390 mA

1.2 Ohms

12 V

600 mV

500 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
50,514En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL207SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL207SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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50,514En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/2.26

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

43 mOhms

12 V

1.2 V

13.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL215CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.62
36,609En existencias
24,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL215CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL215CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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36,609En existencias

24,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/3.62

S/1.66

S/1.47

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.872

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

1.5 A, 1.5 A

108 mOhms, 173 mOhms

12 V

900 mV, 950 mV

73 pC, 3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.27
41,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL316CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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41,005En existencias

Cinta cortada

S/3.27

S/1.49

S/1.31

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.771

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.5 A

113 mOhms, 119 mOhms

20 V

1.5 V, 1.6 V

600 pC, 2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: S/5.14
10,817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP125H6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

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10,817En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/2.39

S/2.12

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

20 V

1.9 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3

BSP295H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
11,466En existencias
7,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSP295H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP295H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3

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11,466En existencias

7,000En pedido

Cinta cortada

S/5.61

S/2.62

S/2.32

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

1.8 A

220 mOhms

20 V

800 mV

14 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.10
8,785En existencias
21,000Se espera el 28/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP324H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP324H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3

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Hoja de datos

8,785En existencias

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Cinta cortada

S/5.10

S/2.37

S/2.11

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

400 V

170 mA

14.3 Ohms

20 V

1.9 V

4.54 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.36
33,185En existencias
63,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS119NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS119NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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33,185En existencias

63,000En pedido

Cinta cortada

S/1.36

S/0.603

S/0.525

S/0.389

Envase tipo carrete

S/0.284

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

2.406 Ohms

20 V

1.3 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.44
114,168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

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114,168En existencias

Cinta cortada

S/1.44

S/0.642

S/0.561

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.304

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

106 mOhms

12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.87
47,452En existencias
3,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS306NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS306NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

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Hoja de datos

47,452En existencias

3,000Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/1.87

S/0.833

S/0.732

S/0.545

Envase tipo carrete

S/0.409

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

57 mOhms

20 V

1.6 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.36
81,680En existencias
143,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS816NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000917562

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

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Hoja de datos

81,680En existencias

143,000En pedido

Cinta cortada

S/1.36

S/0.599

S/0.522

S/0.385

Envase tipo carrete

S/0.284

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

107 mOhms

8 V

550 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.55
3,867En existencias
6,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL307SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL307SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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S/1.86

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S/1.12

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

20 V

1.5 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3

BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.32
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N.º de artículo del Fabricante
BSP373NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP373NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3

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S/2.00

S/1.86

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S/1.26

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: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

177 mOhms

20 V

2.1 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

2N7002DWH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.14
562En existencias

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2N7002DWH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002DWH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

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S/2.14

S/1.48

S/0.934

S/0.588

S/0.514

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S/0.261

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.61
34,654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

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S/2.61

S/1.79

S/1.13

S/0.701

S/0.518

Envase tipo carrete

S/0.315

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

950 mA

266 mOhms, 415 mOhms

12 V

950 mV

320 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
5,477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL308PEH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL308PEH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

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S/4.09

S/1.88

S/1.67

S/1.28

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S/1.00

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2 A

88 mOhms

20 V

1.5 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3

BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.89
2,265En existencias
2,000Se espera el 13/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSP88H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP88H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 240V 350mA SOT-223-3

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2,000Se espera el 13/05/2027

Cinta cortada

S/3.89

S/1.79

S/1.58

S/1.14

Envase tipo carrete

S/1.09

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: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

240 V

350 mA

4 Ohms

20 V

1 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
390 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
630 mA
660 mA
950 mA
1.2 A
1.4 A
1.4 A, 1.5 A

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
900 mV, 950 mV
950 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 1.6 V
1.6 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC