Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Resultados: 55

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/4.16 67,597En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSL308CH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSL308CH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	67,597En existencias	Cinta cortada S/4.16 S/1.92 S/1.62 S/1.31 Envase tipo carrete S/0.919 Ver S/1.17 S/0.903 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	2 A, 2.3 A	44 mOhms, 62 mOhms	20 V	1.5 V, 1.6 V	650 pC, 1.2 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/4.20 11,193En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSL211SPH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSL211SPH6327XTS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	11,193En existencias	Cinta cortada S/4.20 S/1.93 S/1.65 S/1.32 Envase tipo carrete S/0.95 Ver S/1.23 S/0.911 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	P-Channel	1 Channel	20 V	4.7 A	94 mOhms	12 V	900 mV	12.4 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS BSS127IXTSA1 Infineon Technologies 1: S/1.48 28,952En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSS127IXTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSS127IXTSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	28,952En existencias	Cinta cortada S/1.48 S/0.65 S/0.568 S/0.42 Envase tipo carrete S/0.311 Ver S/0.30 S/0.23 S/0.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 mA	500 Ohms	20 V	2.6 V	650 pC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 BSD235CH6327XT Infineon Technologies 1: S/2.92 138,013En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSD235CH6327XT N.º de artículo de Mouser 726-BSD235CH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	138,013En existencias	Cinta cortada S/2.92 S/2.00 S/1.27 S/0.782 Envase tipo carrete S/0.502 Ver S/0.584 S/0.44 S/0.385 S/0.315 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-363-6	N-Channel, P-Channel	2 Channel	20 V	530 mA, 950 mA	266 mOhms, 745 mOhms	12 V	700 mV, 1.2 V	340 pC, 400 pC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 BSS314PEH6327XT Infineon Technologies 1: S/2.41 16,250En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSS314PEH6327XT N.º de artículo de Mouser 726-BSS314PEH6327SA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	16,250En existencias	Cinta cortada S/2.41 S/1.65 S/1.05 S/0.658 Envase tipo carrete S/0.494 Ver S/0.584 S/0.428 S/0.381 S/0.284 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	30 V	1.5 A	107 mOhms	20 V	2 V	2.9 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/4.55 9,867En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSL307SPH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSL307SPH6327XTS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	9,867En existencias	Cinta cortada S/4.55 S/2.10 S/1.86 S/1.44 Envase tipo carrete S/1.12 Ver S/1.41 S/1.08 S/1.04 S/1.02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	P-Channel	1 Channel	30 V	5.5 A	52 mOhms	20 V	1.5 V	23.4 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/4.36 9,899En existencias 25,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSP296NH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSP296NH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	9,899En existencias 25,000En pedido	Cinta cortada S/4.36 S/2.00 S/1.73 S/1.37 Envase tipo carrete S/1.24 Ver S/1.05 S/0.981 S/0.977 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-4	N-Channel	1 Channel	100 V	1.2 A	329 mOhms	20 V	1.4 V	4.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/2.18 17,893En existencias 336,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSD223PH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSD223PH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	17,893En existencias 336,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSD223PH6327XTSA1 Existencias: 17,893 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 108,000 Se espera el 8/10/2026 228,000 Se espera el 16/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 35 Semanas	Cinta cortada S/2.18 S/1.29 S/0.907 S/0.596 S/0.541 Envase tipo carrete S/0.405 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-363-6	P-Channel	2 Channel	20 V	390 mA	1.2 Ohms	12 V	600 mV	500 pC	- 55 C	+ 150 C	250 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH BSL207SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/4.87 50,514En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSL207SPH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSL207SPH6327XTS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	50,514En existencias	Cinta cortada S/4.87 S/2.26 S/2.00 S/1.55 Envase tipo carrete S/1.14 Ver S/1.47 S/1.12 S/1.04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	43 mOhms	12 V	1.2 V	13.3 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/3.62 36,309En existencias 24,000Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSL215CH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSL215CH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	36,309En existencias 24,000Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/3.62 S/1.66 S/1.47 S/1.12 Envase tipo carrete S/0.872 Ver S/0.763 S/0.747 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel, P-Channel	2 Channel	20 V	1.5 A, 1.5 A	108 mOhms, 173 mOhms	12 V	900 mV, 950 mV	73 pC, 3 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/3.27 40,850En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSL316CH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSL316CH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	40,850En existencias	Cinta cortada S/3.27 S/1.49 S/1.31 S/1.00 Envase tipo carrete S/0.771 Ver S/0.993 S/0.767 S/0.673 S/0.642 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	1.4 A, 1.5 A	113 mOhms, 119 mOhms	20 V	1.5 V, 1.6 V	600 pC, 2.4 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies 1: S/5.14 10,787En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSP125H6433XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSP125H6433XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	10,787En existencias	Cinta cortada S/5.14 S/2.39 S/2.12 S/1.65 Envase tipo carrete S/1.26 Ver S/1.62 S/1.53 S/1.23 S/1.21 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-4	N-Channel	1 Channel	600 V	120 mA	25 Ohms	20 V	1.9 V	4.4 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/5.61 8,957En existencias 16,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSP295H6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSP295H6327XTSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	8,957En existencias 16,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSP295H6327XTSA1 Existencias: 8,957 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 7,000 Se espera el 8/10/2026 9,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 14 Semanas	Cinta cortada S/5.61 S/2.62 S/2.32 S/1.81 Envase tipo carrete S/1.55 Ver S/1.35 S/1.30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-4	N-Channel	1 Channel	60 V	1.8 A	220 mOhms	20 V	800 mV	14 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/5.25 10,244En existencias 123,000Se espera el 3/12/2026	N.º de artículo del Fabricante BSP297H6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSP297H6327XTSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	10,244En existencias 123,000Se espera el 3/12/2026	Cinta cortada S/5.25 S/2.95 S/2.45 S/1.92 Envase tipo carrete S/1.64 Ver S/1.49 S/1.41 S/1.29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-4	N-Channel	1 Channel	200 V	660 mA	1.2 Ohms	20 V	1.4 V	12.9 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3 BSP324H6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/5.10 16,535En existencias 16,000Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSP324H6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSP324H6327XTSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 170mA SOT-223-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	16,535En existencias 16,000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada S/5.10 S/2.37 S/2.11 S/1.64 Envase tipo carrete S/1.48 Ver S/1.42 S/1.32 S/1.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-4	N-Channel	1 Channel	400 V	170 mA	14.3 Ohms	20 V	1.9 V	4.54 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/1.36 33,155En existencias 63,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSS119NH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSS119NH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	33,155En existencias 63,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSS119NH6327XTSA1 Existencias: 33,155 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 27,000 Se espera el 24/09/2026 36,000 Se espera el 19/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	Cinta cortada S/1.36 S/0.603 S/0.525 S/0.389 Envase tipo carrete S/0.284 Ver S/0.381 S/0.237 S/0.187 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	100 V	190 mA	2.406 Ohms	20 V	1.3 V	600 pC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3 BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/1.44 99,547En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSS214NWH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSS214NWH6327XTS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	99,547En existencias	Cinta cortada S/1.44 S/0.642 S/0.561 S/0.416 Envase tipo carrete S/0.304 Ver S/0.405 S/0.276 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-323-3	N-Channel	1 Channel	20 V	1.5 A	106 mOhms	12 V	950 mV	800 pC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/1.87 48,790En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSS306NH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSS306NH6327	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	48,790En existencias	Cinta cortada S/1.87 S/0.833 S/0.732 S/0.545 Envase tipo carrete S/0.409 Ver S/0.537 S/0.397 S/0.343 S/0.296 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	2.3 A	57 mOhms	20 V	1.6 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/1.63 28,127En existencias 123,000Se espera el 18/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSS806NEH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSS806NEH6327XTS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	28,127En existencias 123,000Se espera el 18/11/2026	Cinta cortada S/1.63 S/0.732 S/0.638 S/0.475 Envase tipo carrete S/0.374 Ver S/0.354 S/0.311 S/0.265 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	20 V	2.3 A	41 mOhms	8 V	550 mV	1.7 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/1.36 123,845En existencias 84,000Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSS816NWH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SP000917562	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	123,845En existencias 84,000Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/1.36 S/0.599 S/0.522 S/0.385 Envase tipo carrete S/0.284 Ver S/0.381 S/0.272 S/0.237 S/0.202 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-323-3	N-Channel	1 Channel	20 V	1.4 A	107 mOhms	8 V	550 mV	600 pC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH BSL202SNH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/4.16 5,992En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSL202SNH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSL202SNH6327XTS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	5,992En existencias	Cinta cortada S/4.16 S/2.23 S/1.69 S/1.33 Envase tipo carrete S/0.973 Ver S/1.29 S/0.876 S/0.868 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	20 V	7.5 A	26 mOhms	12 V	950 mV	5.8 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3 BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies 1: S/4.32 65En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSP373NH6327XTSA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSP373NH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	65En existencias 6,000En pedido	Cinta cortada S/4.32 S/2.00 S/1.86 S/1.47 Envase tipo carrete S/1.26 Ver S/1.07 S/0.977 S/0.954 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-4	N-Channel	1 Channel	100 V	1.8 A	177 mOhms	20 V	2.1 V	6.2 nC	- 55 C	+ 150 C	1.8 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 2N7002DWH6327XT Infineon Technologies 1: S/2.14 191En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2N7002DWH6327XT N.º de artículo de Mouser 726-2N7002DWH6327SA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	191En existencias	Cinta cortada S/2.14 S/1.48 S/0.934 S/0.588 S/0.514 Envase tipo carrete S/0.261 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-363-6	N-Channel	2 Channel	60 V	300 mA	1.6 Ohms	20 V	1.5 V	600 pC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 2N7002 H6327 Infineon Technologies 1: S/1.25 19,077En existencias	N.º de artículo del Fabricante 2N7002 H6327 N.º de artículo de Mouser 726-2N7002H6327	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	19,077En existencias	Cinta cortada S/1.25 S/0.712 S/0.436 S/0.315 Envase tipo carrete S/0.237 Ver S/0.272 S/0.199 S/0.179 S/0.136 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	60 V	300 mA	1.6 Ohms	20 V	1.5 V	600 pC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 BSD235NH6327XT Infineon Technologies 1: S/2.61 1,985En existencias 153,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSD235NH6327XT N.º de artículo de Mouser 726-BSD235NH6327XTSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon small signal mosfet	Hoja de datos	1,985En existencias 153,000En pedido	Cinta cortada S/2.61 S/1.79 S/1.13 S/0.701 S/0.518 Envase tipo carrete S/0.315 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-363-6	N-Channel	2 Channel	20 V	950 mA	266 mOhms, 415 mOhms	12 V	950 mV	320 pC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q100	Reel, Cut Tape, MouseReel