Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
Learn More

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 55

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
67,694En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL308CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

67,694En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.26

S/1.57

S/1.29

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.891

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

2 A, 2.3 A

44 mOhms, 62 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V, 1.6 V

650 pC, 1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

BSD235CH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.61
138,081En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235CH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

Obtenga más información

Hoja de datos

138,081En existencias

Cinta cortada

S/2.61

S/1.80

S/1.14

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.452

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

530 mA, 950 mA

266 mOhms, 745 mOhms

- 12 V, 12 V

700 mV, 1.2 V

340 pC, 400 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.40
11,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL211SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL211SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

11,203En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.71

S/1.78

S/1.40

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.899

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4.7 A

94 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.45
25,453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS215PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

25,453En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.69

S/1.07

S/0.673

Envase tipo carrete

S/0.506

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

105 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.45
124,392En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSD235NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

Obtenga más información

Hoja de datos

124,392En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.67

S/1.06

S/0.67

Envase tipo carrete

S/0.502

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

950 mA

266 mOhms, 415 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

320 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.06
16,320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS314PEH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

16,320En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.42

S/0.899

S/0.564

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

107 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

BSP296NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
25,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP296NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP296NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

25,190En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.63

S/1.76

S/1.41

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.2 A

329 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

4.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3

BSS606NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.20
9,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS606NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS606NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3

Obtenga más información

Hoja de datos

9,623En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/3.00

S/1.86

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-89-3

N-Channel

1 Channel

60 V

3.2 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

BSD223PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.49
67,058En existencias
138,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSD223PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSD223PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

67,058En existencias

138,000En pedido

Cinta cortada

S/2.49

S/1.67

S/1.06

S/0.677

Envase tipo carrete

S/0.455

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

2 Channel

20 V

390 mA

1.2 Ohms

- 12 V, 12 V

600 mV

500 pC

- 55 C

+ 150 C

250 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
51,000Se espera el 28/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL207SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL207SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

51,000Se espera el 28/07/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.09

S/2.03

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

13.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL215CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.48
18,991En existencias
18,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL215CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL215CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

18,991En existencias

18,000Se espera el 27/07/2026

Cinta cortada

S/4.48

S/3.19

S/1.98

S/1.37

Envase tipo carrete

S/0.973

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

1.5 A, 1.5 A

108 mOhms, 173 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV, 950 mV

73 pC, 3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL316CH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.81
42,655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL316CH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL316CH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

42,655En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.37

S/1.53

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.5 A

113 mOhms, 119 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V, 1.6 V

600 pC, 2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

BSP125H6433XTMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
10,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP125H6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP125H6433XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 120mA SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

10,917En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/2.97

S/2.36

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

1.9 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3

BSP295H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/6.07
8,950En existencias
4,000Se espera el 28/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP295H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP295H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

8,950En existencias

4,000Se espera el 28/07/2026

Cinta cortada

S/6.07

S/3.74

S/2.46

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

1.8 A

220 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

14 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

BSP297H6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/6.03
207,734En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSP297H6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP297H6327XTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

207,734En pedido

Cinta cortada

S/6.03

S/3.72

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

200 V

660 mA

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

12.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.60
9,074En existencias
54,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS119NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS119NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

9,074En existencias

54,000En pedido

Cinta cortada

S/1.60

S/1.09

S/0.693

S/0.436

Envase tipo carrete

S/0.331

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

2.406 Ohms

- 20 V, 20 V

1.3 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.44
107,136En existencias
195,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

107,136En existencias

195,000En pedido

Cinta cortada

S/1.44

S/0.782

S/0.529

S/0.389

Envase tipo carrete

S/0.292

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS127IXTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.95
29,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS127IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS127IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

29,157En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/1.32

S/0.841

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.374

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 mA

500 Ohms

- 20 V, 20 V

2.6 V

650 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.91
26,279En existencias
99,000Se espera el 28/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

Obtenga más información

Hoja de datos

26,279En existencias

99,000Se espera el 28/07/2026

Cinta cortada

S/1.91

S/1.30

S/0.821

S/0.518

Envase tipo carrete

S/0.381

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

106 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.69
17,853En existencias
36,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS306NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS306NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

17,853En existencias

36,000En pedido

Cinta cortada

S/2.69

S/1.86

S/1.18

S/0.728

Envase tipo carrete

S/0.455

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

BSS806NEH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/2.26
29,708En existencias
27,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS806NEH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS806NEH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3

Obtenga más información

Hoja de datos

29,708En existencias

27,000En pedido

Cinta cortada

S/2.26

S/1.56

S/0.985

S/0.619

S/0.541

Envase tipo carrete

S/0.265

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.3 A

41 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

BSS816NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.40
65,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS816NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SP000917562

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3

Obtenga más información

Hoja de datos

65,439En existencias

Cinta cortada

S/1.40

S/0.849

S/0.592

S/0.428

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

107 mOhms

- 8 V, 8 V

550 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.16
2,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSL202SNH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL202SNH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

2,983En existencias

Cinta cortada

S/4.16

S/2.58

S/1.69

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

BSL307SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
653En existencias
5,760Se espera el 28/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSL307SPH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL307SPH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Obtenga más información

Hoja de datos

653En existencias

5,760Se espera el 28/07/2026

Cinta cortada

S/4.90

S/3.03

S/2.00

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.5 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3

BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
7,719En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSP373NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP373NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3

Obtenga más información

Hoja de datos

7,719En pedido

Cinta cortada

S/4.59

S/2.84

S/1.86

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

1.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 mA
110 mA
120 mA
170 mA
190 mA
200 mA
230 mA
280 mA
300 mA
330 mA
350 mA
390 mA
530 mA, 950 mA
540 mA
630 mA
660 mA
950 mA
1.2 A
1.4 A
1.4 A, 1.5 A

23 mOhms
26 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
43 mOhms
44 mOhms, 62 mOhms
52 mOhms
57 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
69 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
105 mOhms
106 mOhms
107 mOhms
108 mOhms, 173 mOhms
113 mOhms
113 mOhms, 119 mOhms
119 mOhms

550 mV
600 mV
700 mV, 1.2 V
750 mV
800 mV
900 mV
900 mV, 950 mV
950 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 1.6 V
1.6 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.6 V

73 pC, 3 nC
320 pC
340 pC, 400 pC
500 pC
600 pC
600 pC, 2.4 nC
630 pC
650 pC
650 pC, 1.2 nC
800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
1.7 nC
2.1 nC
2.3 nC
2.38 nC
2.9 nC
3.6 nC
3.7 nC