Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Resultados: 118

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1: S/4.71
119,978En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

119,978En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/3.34

S/2.08

S/1.43

Envase tipo carrete

S/0.923

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

5.4 mOhms

20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/9.38
3,433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB090N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

3,433En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/5.33

S/4.05

S/3.25

Envase tipo carrete

S/2.82

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.86
1,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,878En existencias

Cinta cortada

S/23.86

S/12.57

S/11.64

S/10.70

Envase tipo carrete

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

1.5 mOhms

20 V

2.2 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/26.86
3,527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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3,527En existencias

Cinta cortada

S/26.86

S/17.59

S/12.96

S/11.52

Envase tipo carrete

S/10.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/9.96
9,103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

9,103En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/6.31

S/4.28

S/3.44

Ver

Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

36 mOhms

20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

IRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/17.40
1,238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7534TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7534TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

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Hoja de datos

1,238En existencias

Cinta cortada

S/17.40

S/9.34

S/8.49

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

195 A

2 mOhms

20 V

3.7 V

186 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC015N04NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
8,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC015N04NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC015N04NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

8,212En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/3.34

S/2.98

S/2.35

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

206 A

1.5 mOhms

20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1: S/7.98
5,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

5,900En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/3.84

S/3.38

S/2.72

Ver

Envase tipo carrete

S/2.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

153 A

1.9 mOhms

20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/22.19
5,165En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,165En existencias

Cinta cortada

S/22.19

S/11.72

S/10.59

S/9.69

Envase tipo carrete

S/9.15

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.4 mOhms

20 V

2.8 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1: S/25.50
1,953En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPB020NE7N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,953En existencias

Cinta cortada

S/25.50

S/13.51

S/12.34

S/11.52

Envase tipo carrete

S/10.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

2 mOhms

20 V

2.3 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB

IRFB7540PBF
Infineon Technologies
1: S/7.90
6,738En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7540PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7540PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB

Hoja de datos

6,738En existencias

S/7.90

S/3.22

S/2.95

S/2.62

S/2.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

4.2 mOhms

20 V

3.7 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

IPB107N20NAXT
Infineon Technologies
1: S/41.18
3,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20NAXT

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20NAATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

3,837En existencias

Cinta cortada

S/41.18

S/29.12

S/24.25

S/21.60

Envase tipo carrete

S/20.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1: S/5.80
5,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.56

S/2.34

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: S/9.58
4,291En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC118N10NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

4,291En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/4.67

S/4.09

S/3.34

Ver

Envase tipo carrete

S/2.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

11.8 mOhms

20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042N03LS G
Infineon Technologies
1: S/4.44
4,047En existencias
5,000Se espera el 4/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC042N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,047En existencias

5,000Se espera el 4/02/2027

Cinta cortada

S/4.44

S/2.05

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

93 A

4.2 mOhms

20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1: S/4.75
3,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC076N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

3,368En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.92

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.2 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.14
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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Hoja de datos

778En existencias

Cinta cortada

S/18.14

S/9.50

S/8.60

S/6.89

Envase tipo carrete

S/6.54

S/6.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.5 mOhms

20 V

2.2 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
1: S/13.47
821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB037N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

821En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/8.72

S/6.03

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.59

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3 mOhms

20 V

2 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.71
3,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8318TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

Obtenga más información

Hoja de datos

3,930En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/1.74

S/1.58

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

4.6 mOhms

20 V

1.8 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
1: S/4.20
3,241En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8324TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8324TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

Hoja de datos

3,241En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/1.93

S/1.74

S/1.36

Envase tipo carrete

S/0.993

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

6.3 mOhms

20 V

1.8 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC035N04LS G
Infineon Technologies
1: S/4.87
5,433En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC035N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC035N04LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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5,433En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.01

S/1.98

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.07

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms

20 V

1.2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.08
29,745En existencias
25,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ075N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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29,745En existencias

25,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/10.08

S/5.41

S/4.59

S/3.93

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Envase tipo carrete

S/3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

8.5 mOhms

20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
1: S/4.75
59,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ097N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

59,553En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.92

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

14.2 mOhms

20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: S/8.64
48,769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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Hoja de datos

48,769En existencias

S/8.64

S/4.20

S/3.73

S/2.97

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

95 A

4.9 mOhms

20 V

3.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg

IRFS4321TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/18.65
12,183En existencias
8,000Se espera el 11/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4321TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4321TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg

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Hoja de datos

12,183En existencias

8,000Se espera el 11/02/2027

Cinta cortada

S/18.65

S/10.51

S/9.54

S/7.55

Envase tipo carrete

S/7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

85 A

12 mOhms

30 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

350 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Designing Power Systems

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
13 A
16 A
18 A
20 A
21 A
23 A
29 A
33 A
34 A
35 A
36 A
39 A
40 A
43 A
44 A
49 A
50 A
57 A
58 A

950 uOhms
1.1 mOhms
1.25 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms

7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16.2 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
26 nC

2.5 W
3.6 W
25 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
35 W
36 W
37 W
38 W
48 W
50 W
54 W
57 W
63 W
66 W
69 W
71 W