Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.

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Resultados: 118

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Id - Corriente de drenaje continua

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC054N04NS G Infineon Technologies 1: S/4.71 119,978En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC054N04NS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC054N04NSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	119,978En existencias	Cinta cortada S/4.71 S/3.34 S/2.08 S/1.43 Envase tipo carrete S/0.923 Ver S/1.21 S/1.08 S/0.86 S/0.775 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	81 A	5.4 mOhms	20 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB090N06N3 G Infineon Technologies 1: S/9.38 3,433En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB090N06N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB090N06N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3,433En existencias	Cinta cortada S/9.38 S/5.33 S/4.05 S/3.25 Envase tipo carrete S/2.82 S/2.71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	50 A	9 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/23.86 1,878En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB017N08N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB017N08N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,878En existencias	Cinta cortada S/23.86 S/12.57 S/11.64 S/10.70 Envase tipo carrete S/9.93 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	223 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB027N10N3 G Infineon Technologies 1: S/26.86 3,527En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB027N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3,527En existencias	Cinta cortada S/26.86 S/17.59 S/12.96 S/11.52 Envase tipo carrete S/10.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	2 V	206 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC360N15NS3 G Infineon Technologies 1: S/9.96 9,103En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC360N15NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC360N15NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	9,103En existencias	Cinta cortada S/9.96 S/6.31 S/4.28 S/3.44 Ver Envase tipo carrete S/2.78 S/3.09 S/3.03 S/2.78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	33 A	36 mOhms	20 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies 1: S/17.40 1,238En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS7534TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7534TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	1,238En existencias	Cinta cortada S/17.40 S/9.34 S/8.49 S/6.81 Envase tipo carrete S/6.81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	2 mOhms	20 V	3.7 V	186 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V ISC015N04NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.01 8,212En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC015N04NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N04NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	8,212En existencias	Cinta cortada S/7.01 S/3.34 S/2.98 S/2.35 Envase tipo carrete S/1.76 Ver S/2.18 S/1.99 S/1.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	206 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ018NE2LS Infineon Technologies 1: S/7.98 5,900En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ018NE2LS N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018NE2LS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies OptiMOS	Hoja de datos	5,900En existencias	Cinta cortada S/7.98 S/3.84 S/3.38 S/2.72 Ver Envase tipo carrete S/2.24 S/2.61 S/2.46 S/2.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	153 A	1.9 mOhms	20 V	2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB025N08N3 G Infineon Technologies 1: S/22.19 5,165En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPB025N08N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB025N08N3G Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	Hoja de datos	5,165En existencias	Cinta cortada S/22.19 S/11.72 S/10.59 S/9.69 Envase tipo carrete S/9.15 S/9.07 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2.4 mOhms	20 V	2.8 V	206 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB020NE7N3 G Infineon Technologies 1: S/25.50 1,953En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPB020NE7N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB020NE7N3GXT Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	Hoja de datos	1,953En existencias	Cinta cortada S/25.50 S/13.51 S/12.34 S/11.52 Envase tipo carrete S/10.70 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	75 V	120 A	2 mOhms	20 V	2.3 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB IRFB7540PBF Infineon Technologies 1: S/7.90 6,738En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IRFB7540PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7540PBF Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB	Hoja de datos	6,738En existencias	S/7.90 S/3.22 S/2.95 S/2.62 S/2.39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	110 A	4.2 mOhms	20 V	3.7 V	88 nC	- 55 C	+ 175 C	160 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 IPB107N20NAXT Infineon Technologies 1: S/41.18 3,834En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20NAXT N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20NAATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3,834En existencias	Cinta cortada S/41.18 S/29.12 S/24.25 S/21.60 Envase tipo carrete S/20.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M BSC030N03MS G Infineon Technologies 1: S/5.80 5,000En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC030N03MS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC030N03MSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada S/5.80 S/3.56 S/2.34 S/1.85 Envase tipo carrete S/1.27 Ver S/1.58 S/1.43 S/1.22 S/1.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	2.5 mOhms	20 V	1 V	73 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 BSC118N10NS G Infineon Technologies 1: S/9.58 4,291En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC118N10NS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC118N10NSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	4,291En existencias	Cinta cortada S/9.58 S/4.67 S/4.09 S/3.34 Ver Envase tipo carrete S/2.87 S/3.15 S/2.99 S/2.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	11 A	11.8 mOhms	20 V	4 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	114 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC042N03LS G Infineon Technologies 1: S/4.44 4,047En existencias 5,000Se espera el 4/02/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC042N03LS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC042N03LSG	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	4,047En existencias 5,000Se espera el 4/02/2027	Cinta cortada S/4.44 S/2.05 S/1.81 S/1.40 Envase tipo carrete S/1.04 Ver S/1.33 S/1.18 S/0.985 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	93 A	4.2 mOhms	20 V	2.2 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC076N06NS3 G Infineon Technologies 1: S/4.75 3,368En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC076N06NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC076N06NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	3,368En existencias	Cinta cortada S/4.75 S/2.92 S/1.92 S/1.51 Envase tipo carrete S/1.04 Ver S/1.33 S/1.17 S/1.00 S/0.973 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	50 A	6.2 mOhms	20 V	2 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.14 778En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB020N08N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N08N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	778En existencias	Cinta cortada S/18.14 S/9.50 S/8.60 S/6.89 Envase tipo carrete S/6.54 S/6.50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2.5 mOhms	20 V	2.2 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB037N06N3 G Infineon Technologies 1: S/13.47 821En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB037N06N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB037N06N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	821En existencias	Cinta cortada S/13.47 S/8.72 S/6.03 S/5.10 Envase tipo carrete S/4.59 S/4.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	90 A	3 mOhms	20 V	2 V	98 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC IRFH8318TRPBF Infineon Technologies 1: S/4.71 3,930En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFH8318TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFH8318TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	3,930En existencias	Cinta cortada S/4.71 S/1.74 S/1.58 S/1.37 Envase tipo carrete S/1.13 Ver S/1.34 S/1.06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	30 V	120 A	4.6 mOhms	20 V	1.8 V	41 nC	- 55 C	+ 150 C	3.6 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC IRFH8324TRPBF Infineon Technologies 1: S/4.20 3,241En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFH8324TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFH8324TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC	Hoja de datos	3,241En existencias	Cinta cortada S/4.20 S/1.93 S/1.74 S/1.36 Envase tipo carrete S/0.993 Ver S/1.23 S/1.09 S/0.911 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	30 V	90 A	6.3 mOhms	20 V	1.8 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	54 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC035N04LS G Infineon Technologies 1: S/4.87 5,433En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC035N04LS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC035N04LSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	5,433En existencias	Cinta cortada S/4.87 S/3.01 S/1.98 S/1.56 Envase tipo carrete S/1.07 Ver S/1.37 S/1.21 S/1.03 S/1.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.9 mOhms	20 V	1.2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.08 29,745En existencias 25,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ075N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ075N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	29,745En existencias 25,000En pedido	Cinta cortada S/10.08 S/5.41 S/4.59 S/3.93 Ver Envase tipo carrete S/3.47 S/3.78 S/3.76 S/3.47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	40 A	8.5 mOhms	20 V	3 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ097N04LS G Infineon Technologies 1: S/4.75 59,553En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ097N04LS G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N04LSG	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	59,553En existencias	Cinta cortada S/4.75 S/2.92 S/1.92 S/1.51 Envase tipo carrete S/1.01 Ver S/1.32 S/1.19 S/1.00 S/0.981 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	14.2 mOhms	20 V	1.2 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB IRFB7545PBF Infineon Technologies 1: S/8.64 48,769En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB7545PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	48,769En existencias	S/8.64 S/4.20 S/3.73 S/2.97 Ver S/2.71 S/2.68 S/2.66	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	95 A	4.9 mOhms	20 V	3.7 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies 1: S/18.65 12,184En existencias 8,000Se espera el 11/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IRFS4321TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4321TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	12,184En existencias 8,000Se espera el 11/02/2027	Cinta cortada S/18.65 S/10.51 S/9.54 S/7.55 Envase tipo carrete S/7.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	150 V	85 A	12 mOhms	30 V	5 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	350 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel