Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N037GATMA1
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726-IAUCN04S7N037GAT

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S/2.81

S/2.21

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
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S/8.14

S/5.10

S/3.36

S/2.66

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S/1.93

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THSOG-4

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1 Channel

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUCN04S7N019GATMA1
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S/2.93

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N047GATMA1
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S/6.50

S/4.01

S/2.64

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THSOG-4

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S/4.01

S/2.64

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726-IAUCN04S7N027GAT

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S/4.83

S/3.17

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Reel, Cut Tape

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IAUCN04S7L023HATMA1
Infineon Technologies
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5,000Se espera el 17/09/2026
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IAUCN04S7L023HATMA1

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S/7.16

S/4.79

S/4.01

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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Infineon Technologies
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5,880En existencias
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IAUCN04S7L025AHATMA1

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726-IAUCN04S7L025AHA

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S/6.31

S/4.20

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S/3.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Infineon Technologies
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5,289En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7L050HATMA1

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726-IAUCN04S7L050HAT

Nuevo producto

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S/8.99

S/5.64

S/3.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L012ATMA1
Infineon Technologies
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4,768En existencias
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IAUZN04S7L012ATMA1

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Nuevo producto

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S/8.87

S/5.61

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V

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Infineon Technologies
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697En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7L018DATMA1

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726-IAUCN04S7L018DAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V

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S/7.20

S/4.83

S/4.09

S/3.93

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V

IAUCN04S7L024DATMA1
Infineon Technologies
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695En existencias
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IAUCN04S7L024DATMA1

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726-IAUCN04S7L024DAT

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Cinta cortada

S/5.96

S/3.97

S/3.29

S/3.16

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.81

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125 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L037HATMA1
Infineon Technologies
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698En existencias
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IAUCN04S7L037HATMA1

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726-IAUCN04S7L037HAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.70

S/3.63

S/2.95

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Envase tipo carrete

S/2.39

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V

IAUCN04S7L038DATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L038DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L038DAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V

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609En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.95

S/2.44

S/2.34

S/2.26

Envase tipo carrete

S/2.09

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

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2 Channel

40 V

84 A

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N040HATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.38
939En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N040HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040HAT

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S/9.38

S/5.96

S/4.01

S/3.26

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Envase tipo carrete

S/2.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

82 A

4.01 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N054HATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
1,153En existencias
5,000Se espera el 13/08/2026
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IAUCN04S7N054HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N054HAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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1,153En existencias

5,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/8.99

S/5.64

S/3.72

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

62 A

5.41 mOhms

20 V

3 V

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- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.71
878En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L019ATMA1

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S/7.71

S/4.87

S/3.22

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.01

Ver

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

1.9 mOhms

16 V

1.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
6En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L025ATMA1

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726-IAUZN04S7L025ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/7.20

S/4.44

S/2.92

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.55

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

117 A

2.56 mOhms

16 V

1.8 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7N032ATMA1
Infineon Technologies
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IAUZN04S7N032ATMA1

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726-IAUZN04S7N032ATM

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S/1.56

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+ 175 C

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N006TATMA1
Infineon Technologies
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726-IAUCN04S7N006TAT

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S/11.60

S/8.14

S/6.62

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.76

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PG-LHDSO-10-3

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205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology

IAUZN04S7N013ATMA2
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