Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 40

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

STD2N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.72
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STD2N62K3

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511-STD2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

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S/8.72

S/4.24

S/3.77

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.60

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

STF13N95K3
STMicroelectronics
1: S/31.45
956En existencias

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STF13N95K3

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511-STF13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

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956En existencias

S/31.45

S/17.01

S/15.61

S/14.32

S/13.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

10 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

STW7N95K3
STMicroelectronics
1: S/28.84
574En existencias

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STW7N95K3

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511-STW7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

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574En existencias

S/28.84

S/15.10

S/13.86

S/12.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

STW13N95K3
STMicroelectronics
1: S/36.16
1,100En existencias

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STW13N95K3

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511-STW13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

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S/36.16

S/24.68

S/20.36

S/17.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

10 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

STD3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.46
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STD3N62K3

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511-STD3N62K3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

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S/6.46

S/3.06

S/2.73

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.73

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

STD7N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.84
4,759En existencias

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STD7N52K3

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511-STD7N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

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Cinta cortada

S/8.84

S/5.61

S/3.78

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.50

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

STD5N95K3
STMicroelectronics
1: S/13.12
6,491En existencias

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STD5N95K3

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511-STD5N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

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Cinta cortada

S/13.12

S/7.94

S/6.81

S/5.96

S/5.84

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

STD5N62K3
STMicroelectronics
1: S/7.40
1,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

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Cinta cortada

S/7.40

S/3.53

S/3.15

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.01

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

4.2 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

STP13N95K3
STMicroelectronics
1: S/31.92
374En existencias

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STP13N95K3

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511-STP13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

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S/31.92

S/18.65

S/16.35

S/15.22

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

10 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STU3N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.25
2,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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S/8.25

S/3.83

S/3.48

S/2.86

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

STF4N62K3
STMicroelectronics
1: S/12.26
963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

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963En existencias

S/12.26

S/7.98

S/5.49

S/4.59

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

3.8 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

STF2N62K3
STMicroelectronics
1: S/9.77
1,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

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1,741En existencias

S/9.77

S/6.19

S/4.20

S/3.38

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

STF10N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.25
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

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Hoja de datos

976En existencias

S/11.25

S/7.24

S/4.94

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

8.4 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

STF5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/23.08
1,776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

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1,776En existencias

S/23.08

S/12.11

S/11.05

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

3.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

STP5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/21.06
2,945En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

2,945En existencias

S/21.06

S/11.87

S/10.20

S/8.76

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

3.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

STU6N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.56
2,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

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Hoja de datos

2,220En existencias

S/11.56

S/5.53

S/4.98

S/4.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

5.5 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N120K5
STMicroelectronics
1: S/37.17
596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

596En existencias

S/37.17

S/20.51

S/18.92

S/17.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

STD5N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.56
1,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

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Hoja de datos

1,266En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/4.44

S/3.53

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

4.4 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

STD6N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.37
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

164En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/4.40

S/3.45

S/2.66

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF16N60M6
STMicroelectronics
1: S/14.17
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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Hoja de datos

50En existencias

S/14.17

S/7.40

S/6.38

S/5.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

320 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STF3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.62
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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Hoja de datos

997En existencias

S/6.62

S/3.14

S/2.80

S/2.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

STP4N52K3
STMicroelectronics
1: S/7.94
703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

Obtenga más información

Hoja de datos

703En existencias

S/7.94

S/4.09

S/3.32

S/2.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

525 V

2.5 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3.75 V

11 nC

20 W

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

STP7N95K3
STMicroelectronics
1: S/17.48
747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

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Hoja de datos

747En existencias

S/17.48

S/8.95

S/8.87

S/7.43

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

STW5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/23.16
174En existencias
600Se espera el 12/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STW5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

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174En existencias

600Se espera el 12/02/2027

S/23.16

S/15.18

S/11.17

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

2.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

STF6N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.76
1,171En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

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1,171En existencias

S/11.76

S/5.84

S/4.94

S/4.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

5.5 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3.75 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

320 mOhms
680 mOhms
750 mOhms
850 mOhms
1 Ohms
1.2 Ohms
1.28 Ohms
1.3 Ohms
1.35 Ohms
1.6 Ohms
1.95 Ohms
2 Ohms
2.1 Ohms
2.5 Ohms
2.6 Ohms
2.7 Ohms
3 Ohms
3.6 Ohms
3.7 Ohms
3.8 Ohms