Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

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Resultados: 40

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

STD2N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.72
2,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

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2,749En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.57

S/3.77

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

STF13N95K3
STMicroelectronics
1: S/31.45
956En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

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956En existencias

S/31.45

S/16.82

S/15.61

S/13.16

S/12.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

10 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N120K5
STMicroelectronics
1: S/36.20
706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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706En existencias

S/36.20

S/24.72

S/20.40

S/18.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

STW5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/22.03
1,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

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1,046En existencias

S/22.03

S/12.38

S/8.68

S/8.64

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

2.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

STD5N95K3
STMicroelectronics
1: S/11.79
6,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

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Cinta cortada

S/11.79

S/8.10

S/6.54

S/5.88

Envase tipo carrete

S/5.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

STU4N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.21
2,891En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

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2,891En existencias

S/8.21

S/4.55

S/3.77

S/3.15

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

3.8 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

STU6N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.25
2,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

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2,220En existencias

S/11.25

S/5.22

S/4.71

S/4.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

5.5 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

STW7N95K3
STMicroelectronics
1: S/28.84
574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STW7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

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574En existencias

S/28.84

S/16.23

S/11.87

S/11.13

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

STW13N95K3
STMicroelectronics
1: S/36.16
1,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW13N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STW13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

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S/36.16

S/24.68

S/20.36

S/16.66

S/16.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

10 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

STD3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.46
7,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

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7,700En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/3.20

S/2.08

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.52

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

STD7N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.84
4,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

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4,759En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.61

S/3.78

S/3.06

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

STD5N62K3
STMicroelectronics
1: S/7.40
1,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

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1,691En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.15

S/2.49

Envase tipo carrete

S/1.98

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

4.2 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

STD5N52K3
STMicroelectronics
1: S/7.94
1,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3

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1,399En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.06

S/3.36

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

4.4 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

STF6N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.76
1,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

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1,671En existencias

S/11.76

S/4.55

S/4.01

S/3.35

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

5.5 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3.75 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

STP13N95K3
STMicroelectronics
1: S/31.33
374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP13N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STP13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A

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Hoja de datos

374En existencias

S/31.33

S/17.67

S/15.34

S/14.52

S/13.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

10 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STU3N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.25
2,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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Hoja de datos

2,988En existencias

S/8.25

S/3.82

S/3.48

S/2.86

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

STF10N62K3
STMicroelectronics
1: S/11.25
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

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Hoja de datos

976En existencias

S/11.25

S/7.24

S/4.94

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

8.4 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

STF2N62K3
STMicroelectronics
1: S/9.77
1,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

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Hoja de datos

1,741En existencias

S/9.77

S/4.20

S/3.58

S/3.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

STF4N62K3
STMicroelectronics
1: S/12.26
963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF4N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF4N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

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963En existencias

S/12.26

S/5.68

S/5.02

S/4.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

3.8 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

STF5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/24.64
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,990En existencias

S/24.64

S/16.15

S/11.87

S/10.55

S/9.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

3.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

STD6N52K3
STMicroelectronics
1: S/7.59
330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

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Hoja de datos

330En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.25

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STF3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.62
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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Hoja de datos

1,000En existencias

S/6.62

S/3.14

S/2.80

S/2.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3

STN3N45K3
STMicroelectronics
1: S/5.14
2,636En existencias
4,000Se espera el 9/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
STN3N45K3

N.º de artículo de Mouser
511-STN3N45K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3

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2,636En existencias

4,000Se espera el 9/10/2026

Cinta cortada

S/5.14

S/3.19

S/2.26

S/1.84

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Envase tipo carrete

S/1.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

450 V

600 mA

4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

STP4N52K3
STMicroelectronics
1: S/7.94
703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3

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Hoja de datos

703En existencias

S/7.94

S/4.09

S/3.32

S/2.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

525 V

2.5 A

2.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3.75 V

11 nC

20 W

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

STP5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/22.34
34En existencias
3,000Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH

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34En existencias

3,000Se espera el 21/07/2026

S/22.34

S/14.64

S/10.78

S/9.58

S/8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

3.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

320 mOhms
680 mOhms
750 mOhms
850 mOhms
1 Ohms
1.2 Ohms
1.28 Ohms
1.3 Ohms
1.35 Ohms
1.6 Ohms
1.95 Ohms
2 Ohms
2.1 Ohms
2.5 Ohms
2.6 Ohms
2.7 Ohms
3 Ohms
3.6 Ohms
3.7 Ohms
3.8 Ohms