Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs with low on-resistance dissipate power up to 142W. The lineup is offered in small, high-powered packages that greatly reduce the mounting area. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified, RoHS compliant, and halogen free. Ideal applications for ROHM N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs include advanced driver assistance systems (ADAS), body, lighting, and infotainment.

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Resultados: 33

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) RD3P02BATTL1 ROHM Semiconductor 1: S/8.87 2,413En existencias	N.º de artículo del Fabricante RD3P02BATTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RD3P02BATTL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,413En existencias	Cinta cortada S/8.87 S/4.32 S/3.78 S/3.07 S/2.88 Envase tipo carrete S/2.59	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	100 V	20 A	116 mOhms	20 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	56 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) RD3G03BATTL1 ROHM Semiconductor 1: S/8.52 3,685En existencias	N.º de artículo del Fabricante RD3G03BATTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RD3G03BATTL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	3,685En existencias	Cinta cortada S/8.52 S/4.13 S/3.54 S/2.93 S/2.72 Envase tipo carrete S/2.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	40 V	35 A	19.1 mOhms	10 V	1 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	56 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) RD3G07BATTL1 ROHM Semiconductor 1: S/12.85 9,972En existencias	N.º de artículo del Fabricante RD3G07BATTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RD3G07BATTL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	9,972En existencias	Cinta cortada S/12.85 S/6.46 S/5.61 S/4.71 S/4.59 Envase tipo carrete S/4.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	40 V	70 A	7.1 mOhms	10 V	1 V	105 nC	- 55 C	+ 150 C	101 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) RD3P01BATTL1 ROHM Semiconductor 1: S/7.36 2,326En existencias	N.º de artículo del Fabricante RD3P01BATTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RD3P01BATTL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,326En existencias	Cinta cortada S/7.36 S/3.52 S/3.11 S/2.48 Envase tipo carrete S/2.04 Ver S/2.33 S/2.00	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	100 V	10 A	240 mOhms	20 V	4 V	19.4 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3E07BBJHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/9.07 2,487En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3E07BBJHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3E07BBJHRBTL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,487En existencias	Cinta cortada S/9.07 S/4.40 S/3.97 S/3.14 S/3.04 Envase tipo carrete S/2.66	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	30 V	78 A	8.5 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	52 nC	- 55 C	+ 175 C	77 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3L08BBJHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/14.48 2,133En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3L08BBJHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3L08BBJHRBTL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,133En existencias	Cinta cortada S/14.48 S/7.32 S/6.62 S/5.37 Envase tipo carrete S/5.02	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	60 V	80 A	10.7 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	145 nC	- 55 C	+ 175 C	142 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3L08CBLHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/11.09 2,490En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3L08CBLHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3L08CBLHRBTL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,490En existencias	Cinta cortada S/11.09 S/5.49 S/4.94 S/3.97 S/3.82 Envase tipo carrete S/3.51	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	60 V	80 A	5.3 mOhms	20 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3L08DBLHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/9.61 2,360En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3L08DBLHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3L08DBLHRBTL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,360En existencias	Cinta cortada S/9.61 S/4.71 S/4.24 S/3.37 S/3.26 Envase tipo carrete S/2.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	60 V	80 A	7.6 mOhms	20 V	4 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	76 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 80V 105A RD3N07BBHTL1 ROHM Semiconductor 1: S/14.48 3,132En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3N07BBHTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RD3N07BBHTL1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 80V 105A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	3,132En existencias	Cinta cortada S/14.48 S/9.46 S/6.62 S/5.37 Envase tipo carrete S/4.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	80 V	105 A	4.4 mOhms	20 V	4 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3P08BBLHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/15.76 2,481En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3P08BBLHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3P08BBLHRBTL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,481En existencias	Cinta cortada S/15.76 S/8.02 S/7.24 S/5.99 Envase tipo carrete S/5.64	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	100 V	80 A	6.2 mOhms	20 V	4 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	142 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 235A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1N10BBHTL1 ROHM Semiconductor 1: S/31.30 780En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RJ1N10BBHTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RJ1N10BBHTL1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 235A, TO-263AB, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	780En existencias	Cinta cortada S/31.30 S/16.89 S/15.53 S/14.21 Envase tipo carrete S/14.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263AB-3	N-Channel	1 Channel	80 V	235 A	2 mOhms	20 V	4 V	185 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3G04BBJHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/7.82 1,003En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3G04BBJHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3G04BBJHRBTL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	1,003En existencias	Cinta cortada S/7.82 S/3.75 S/3.35 S/2.65 Envase tipo carrete S/2.18 Ver S/2.58 S/2.17	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	24 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	27.6 nC	- 55 C	+ 175 C	53 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3L04BBJHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/9.19 1,378En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3L04BBJHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3L04BBJHRBTL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	1,378En existencias	Cinta cortada S/9.19 S/4.48 S/4.01 S/3.20 S/3.10 Envase tipo carrete S/2.72	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	60 V	48 A	30 mOhms	- 20 V, 5 V	2.5 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	77 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET RD3N01BATTL1 ROHM Semiconductor 1: S/7.12 2,490En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3N01BATTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RD3N01BATTL1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,490En existencias	Cinta cortada S/7.12 S/3.40 S/3.03 S/2.39 Envase tipo carrete S/1.96 Ver S/2.30 S/1.91	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	80 V	10 A	163 mOhms	20 V	4 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET RD3N06BATTL1 ROHM Semiconductor 1: S/12.46 771En existencias 2,500Se espera el 11/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RD3N06BATTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RD3N06BATTL1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	771En existencias 2,500Se espera el 11/01/2027	Cinta cortada S/12.46 S/6.19 S/5.61 S/4.52 S/4.44 Envase tipo carrete S/4.09	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	P-Channel	1 Channel	80 V	60 A	26 mOhms	20 V	4 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	101 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1G04BBGTL1 ROHM Semiconductor 1: S/16.93 800En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RJ1G04BBGTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RJ1G04BBGTL1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	800En existencias	Cinta cortada S/16.93 S/8.64 S/7.82 S/6.23 Envase tipo carrete S/6.23	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263AB-3	N-Channel	1 Channel	40 V	130 A	3.1 mOhms	20 V	2.5 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1L04BBGTL1 ROHM Semiconductor 1: S/17.98 132En existencias 1,600En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RJ1L04BBGTL1 N.º de artículo de Mouser 755-RJ1L04BBGTL1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	132En existencias 1,600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: RJ1L04BBGTL1 Existencias: 132 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 800 Se espera el 28/12/2026 800 Se espera el 8/03/2027 Plazo de entrega de fábrica: 18 Semanas	Cinta cortada S/17.98 S/11.44 S/8.52 S/7.16 Envase tipo carrete S/7.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263AB-3	N-Channel	1 Channel	60 V	100 A	4.6 mOhms	20 V	2.5 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3G08CBKHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/11.25 2,272En existencias	N.º de artículo del Fabricante RD3G08CBKHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3G08CBKHRBTL	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,272En existencias	Cinta cortada S/11.25 S/5.57 S/5.02 S/4.05 S/3.93 Envase tipo carrete S/3.58	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	40 V	80 A	3.1 mOhms	20 V	2.5 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive RD3P06BBKHRBTL ROHM Semiconductor 1: S/9.69 2,705En existencias	N.º de artículo del Fabricante RD3P06BBKHRBTL N.º de artículo de Mouser 755-RD3P06BBKHRBTL	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	2,705En existencias	Cinta cortada S/9.69 S/4.75 S/4.24 S/3.39 S/3.29 Envase tipo carrete S/2.92	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	100 V	59 A	15.8 mOhms		2.5 V	17.3 nC	- 55 C	+ 175 C	76 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 RF9G120BKFRATCR ROHM Semiconductor 1: S/6.62 3,375En existencias	N.º de artículo del Fabricante RF9G120BKFRATCR N.º de artículo de Mouser 755-RF9G120BKFRATCR	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	3,375En existencias	Cinta cortada S/6.62 S/3.13 S/2.79 S/2.20 Envase tipo carrete S/1.76 Ver S/2.09 S/1.74 S/1.72	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-6	N-Channel	1 Channel	40 V	12 A	17.5 mOhms	20 V	2.5 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	23 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive RF9L120BKFRATCR ROHM Semiconductor 1: S/6.58 3,465En existencias	N.º de artículo del Fabricante RF9L120BKFRATCR N.º de artículo de Mouser 755-RF9L120BKFRATCR	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	3,465En existencias	Cinta cortada S/6.58 S/3.11 S/2.77 S/2.18 Envase tipo carrete S/1.74 Ver S/2.07 S/1.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN-2020-6	N-Channel	1 Channel	60 V	12 A	30 mOhms	20 V	2.5 V	7.3 nC	- 55 C	+ 150 C	23 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body. RQ3G270BKFRATCB ROHM Semiconductor 1: S/8.14 3,500En existencias	N.º de artículo del Fabricante RQ3G270BKFRATCB N.º de artículo de Mouser 755-RQ3G270BKFRATCB	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	3,500En existencias	Cinta cortada S/8.14 S/5.22 S/3.50 S/2.78 S/2.54 Envase tipo carrete S/2.27	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8AG	N-Channel	1 Channel	40 V	27 A	9.6 mOhms	20 V	2.5 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3L270BKFRATCB ROHM Semiconductor 1: S/8.41 3,461En existencias	N.º de artículo del Fabricante RQ3L270BKFRATCB N.º de artículo de Mouser 755-RQ3L270BKFRATCB	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	3,461En existencias	Cinta cortada S/8.41 S/4.05 S/3.62 S/2.88 S/2.76 Envase tipo carrete S/2.39	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8AG	N-Channel	1 Channel	60 V	27 A	14.6 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3L270BLFRATCB ROHM Semiconductor 1: S/8.41 3,500En existencias	N.º de artículo del Fabricante RQ3L270BLFRATCB N.º de artículo de Mouser 755-RQ3L270BLFRATCB	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	3,500En existencias	Cinta cortada S/8.41 S/4.05 S/3.62 S/2.88 S/2.76 Envase tipo carrete S/2.39	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8AG	N-Channel	1 Channel	60 V	27 A	14.7 mOhms	20 V	4 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive RQ3P270BKFRATCB ROHM Semiconductor 1: S/8.45 3,477En existencias	N.º de artículo del Fabricante RQ3P270BKFRATCB N.º de artículo de Mouser 755-RQ3P270BKFRATCB	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rd3 pch power mosfets	Hoja de datos	3,477En existencias	Cinta cortada S/8.45 S/4.09 S/3.65 S/2.90 Envase tipo carrete S/2.51 Ver S/2.78 S/2.41	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	100 V	27 A	27 mOhms	20 V	2.5 V	13.6 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	Reel, Cut Tape