Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Resultados: 86

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V SSM3J134TU,LF Toshiba 1: S/2.37 13,744En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J134TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J134TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	13,744En existencias	Cinta cortada S/2.37 S/1.06 S/0.934 S/0.705 Envase tipo carrete S/0.533 Ver S/0.483 S/0.432 S/0.416	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	3.2 A	93 mOhms	8 V	1 V	4.7 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V SSM6J501NU,LF Toshiba 1: S/2.72 88,796En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J501NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J501NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	88,796En existencias	Cinta cortada S/2.72 S/1.23 S/1.09 S/0.821 Envase tipo carrete S/0.627 Ver S/0.786 S/0.588 S/0.533 S/0.498 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	1 Channel	20 V	10 A	15.3 mOhms	8 V	300 mV	29.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET SSM3J351R,LXHF Toshiba 1: S/2.53 104,262En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J351R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba automotive ssmx mosfets	Hoja de datos	104,262En existencias	Cinta cortada S/2.53 S/1.14 S/1.00 S/0.755 Envase tipo carrete S/0.568 Ver S/0.561 S/0.498 S/0.463 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	60 V	3.5 A	164 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	15.1 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET SSM3J378R,LXHF Toshiba 1: S/2.57 86,515En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J378R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J378RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba automotive ssmx mosfets	Hoja de datos	86,515En existencias	Cinta cortada S/2.57 S/1.16 S/1.02 S/0.771 Envase tipo carrete S/0.588 Ver S/0.51 S/0.459 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	29.8 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: S/9.46 5,239En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ30S06M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	5,239En existencias	Cinta cortada S/9.46 S/4.63 S/4.16 S/3.30 S/3.11 Envase tipo carrete S/2.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	30 A	21.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: S/9.38 4,054En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ40S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	4,054En existencias	Cinta cortada S/9.38 S/4.59 S/4.13 S/3.37 S/3.11 Envase tipo carrete S/2.79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	9.1 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	83 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba 1: S/2.69 445En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J213FE(TE85L,F N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J213FETE85LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	445En existencias	Cinta cortada S/2.69 S/1.20 S/1.05 S/0.658 Envase tipo carrete S/0.479 Ver S/0.631 S/0.413 S/0.378 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	ES6-6	P-Channel	1 Channel	20 V	2.6 A	250 mOhms	8 V	1 V	4.7 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW SSM6J212FE,LF Toshiba 1: S/3.19 7,457En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J212FE,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J212FELF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	7,457En existencias	Cinta cortada S/3.19 S/1.44 S/1.27 S/0.969 Envase tipo carrete S/0.654 Ver S/0.954 S/0.907 S/0.619 S/0.615 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	ES6-6	P-Channel	1 Channel	20 V	4 A	94 mOhms	8 V	1 V	14.1 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W TPC8132,LQ(S Toshiba 1: S/4.05 5,829En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPC8132,LQ(S N.º de artículo de Mouser 757-TPC8132LQS	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	5,829En existencias	Cinta cortada S/4.05 S/1.87 S/1.65 S/1.27 Envase tipo carrete S/1.27 Ver S/0.887 S/0.872 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	SOP-8	P-Channel	1 Channel	40 V	7 A	33 mOhms	- 25 V, 20 V	2 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	1.9 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package SSM3J66MFV,L3F Toshiba 1: S/1.48 19,012En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J66MFV,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J66MFVL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	19,012En existencias	Cinta cortada S/1.48 S/0.646 S/0.564 S/0.42 Envase tipo carrete S/0.269 Ver S/0.409 S/0.269 S/0.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8,000	Si	SMD/SMT	VESM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	4 Ohms	- 8 V, 6 V	1 V	1.6 nC	- 55 C	+ 150 C	150 mW	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD SSM6N55NU,LF Toshiba 1: S/2.61 8,938En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N55NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N55NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	8,938En existencias	Cinta cortada S/2.61 S/1.17 S/1.03 S/0.759 Envase tipo carrete S/0.549 Ver S/0.65 S/0.502 S/0.467 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si			N-Channel	2 Channel												U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET SSM3J377R,LXHF Toshiba 1: S/1.63 20,356En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J377R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J377RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba automotive ssmx mosfets	Hoja de datos	20,356En existencias	Cinta cortada S/1.63 S/0.72 S/0.631 S/0.471 Envase tipo carrete S/0.346 Ver S/0.323 S/0.308 S/0.261 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	3.9 A	93 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	4.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS SSM3J351R,LF Toshiba 1: S/2.45 182,573En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J351R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	182,573En existencias	Cinta cortada S/2.45 S/1.11 S/0.973 S/0.736 Envase tipo carrete S/0.557 Ver S/0.537 S/0.483 S/0.436 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	60 V	3.5 A	164 mOhms	- 20 V, 10 V	800 mV	15.1 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF SSM3K56FS,LF Toshiba 1: S/1.52 54,459En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K56FS,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K56FSLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	54,459En existencias	Cinta cortada S/1.52 S/0.67 S/0.584 S/0.436 Envase tipo carrete S/0.319 Ver S/0.308 S/0.272 S/0.241 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-416-3	N-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	235 mOhms	8 V	400 mV	1 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V SSM3J130TU,LF Toshiba 1: S/3.39 10,017En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3J130TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J130TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	10,017En existencias 6,000En pedido	Cinta cortada S/3.39 S/1.53 S/1.35 S/1.03 Envase tipo carrete S/0.79 Ver S/0.989 S/0.763 S/0.677 S/0.634 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	4.4 A	25.8 mOhms	8 V	1 V	24.8 nC	- 55 C	+ 150 C	800 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V SSM3J132TU,LF Toshiba 1: S/3.43 11,524En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J132TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J132TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	11,524En existencias	Cinta cortada S/3.43 S/1.57 S/1.39 S/1.06 Envase tipo carrete S/0.817 Ver S/0.716 S/0.693 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	12 V	5.4 A	14 mOhms	6 V	1 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel SSM3J133TU,LF Toshiba 1: S/2.72 15,452En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J133TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J133TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	15,452En existencias	Cinta cortada S/2.72 S/1.23 S/1.08 S/0.817 Envase tipo carrete S/0.623 Ver S/0.541 S/0.487 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	5.5 A	24.9 mOhms	8 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V SSM3J168F,LF Toshiba 1: S/3.39 24,838En existencias 36,000Se espera el 30/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3J168F,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J168FLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	24,838En existencias 36,000Se espera el 30/10/2026	Cinta cortada S/3.39 S/2.37 S/1.50 S/0.926 Envase tipo carrete S/0.607 Ver S/0.681 S/0.525 S/0.459 S/0.374 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-346-3	P-Channel	1 Channel	60 V	400 mA	1.3 Ohms	- 20 V, 10 V	2 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC SSM3J325F,LF Toshiba 1: S/1.52 50,153En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J325F,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J325FLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	50,153En existencias	Cinta cortada S/1.52 S/0.67 S/0.588 S/0.436 Envase tipo carrete S/0.323 Ver S/0.272 S/0.237 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-346-3	P-Channel	1 Channel	20 V	2 A	311 mOhms	8 V	1 V	4.6 nC	- 55 C	+ 150 C	600 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF SSM3J331R,LF Toshiba 1: S/1.67 56,059En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J331R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J331RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	56,059En existencias	Cinta cortada S/1.67 S/0.732 S/0.642 S/0.479 Envase tipo carrete S/0.354 Ver S/0.304 S/0.269 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	4 A	150 mOhms	8 V	1 V	10.4 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH VDSS:-30V VGSS:-12/+6V ID SSM3J372R,LF Toshiba 1: S/1.60 169,942En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J372R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J372RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH VDSS:-30V VGSS:-12/+6V ID Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	169,942En existencias	Cinta cortada S/1.60 S/0.981 S/0.743 S/0.553 Envase tipo carrete S/0.401 Ver S/0.49 S/0.385 S/0.343 S/0.269 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	30 V	6 A	42 mOhms	- 12 V, 6 V	1.2 V	8.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET SSM3J56MFV,L3F Toshiba 1: S/1.67 205,514En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J56MFV,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J56MFVL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	205,514En existencias	Cinta cortada S/1.67 S/0.732 S/0.642 S/0.623 Envase tipo carrete S/0.362 Ver S/0.545 S/0.49 S/0.409 S/0.284 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8,000	Si	SMD/SMT	SOT-723-3	P-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	390 mOhms	8 V	300 mV	1.6 nC		+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V SSM3K345R,LF Toshiba 1: S/1.95 44,868En existencias 3,000Se espera el 16/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K345R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K345RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	44,868En existencias 3,000Se espera el 16/10/2026	Cinta cortada S/1.95 S/0.864 S/0.755 S/0.568 Envase tipo carrete S/0.42 Ver S/0.564 S/0.393 S/0.35 S/0.308 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	20 V	4 A	25 mOhms	8 V	400 mV	3.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF SSM6J505NU,LF Toshiba 1: S/3.39 19,741En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J505NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J505NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	19,741En existencias	Cinta cortada S/3.39 S/1.55 S/1.37 S/1.05 Envase tipo carrete S/0.856 Ver S/0.829 S/0.747 S/0.724 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si			P-Channel	1 Channel												U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS SSM6N57NU,LF Toshiba 1: S/2.88 14,188En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N57NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N57NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	14,188En existencias	Cinta cortada S/2.88 S/1.31 S/1.15 S/0.872 Envase tipo carrete S/0.666 S/0.58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si			N-Channel	2 Channel												U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel