Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 35

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.04
29,085En existencias

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SQ4153EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4153EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/10.04

S/6.46

S/4.44

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

25 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

101 nC

- 55 C

+ 175 C

7.1 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.50
97,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS481ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS481ENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/4.13

S/2.74

S/2.16

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S/1.72

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

150 V

4.7 A

1.095 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.58
21,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ403EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.34

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S/2.98

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.38
47,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4483EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/3.27

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S/2.90

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

113 nC

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7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
48,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ407EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/8.33

S/4.98

S/3.58

S/2.90

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.42

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.11
56,020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD19P06-60L_T4GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD19P06-60LT4GE3

Vishay Semiconductors

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S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.16

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S/2.79

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

20 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.89
80,586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/6.89

S/4.40

S/2.92

S/2.30

S/2.10

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S/1.83

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

14 mOhms

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1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
295,656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1421EDH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1421EDH-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.39

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S/1.36

S/1.04

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S/0.802

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SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5.4 nC

- 55 C

+ 100 C

2.7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA37EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.84
21,377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA37EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA37EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/5.84

S/3.39

S/2.45

S/1.92

S/1.74

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S/1.46

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.2 mOhms

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2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.90
21,665En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SQ3419AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3419AEEV-T1_GE3

Fin de vida útil

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

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S/4.90

S/3.09

S/2.03

S/1.58

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S/1.36

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQS840CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.59
5,181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS840CENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS840CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

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Cinta cortada

S/4.59

S/2.87

S/1.88

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.23

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
63,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.38

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.83
306,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427AEEV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427AEEV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/4.83

S/3.04

S/2.00

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.75
306,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3427EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3427EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.75

S/2.92

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.17

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
130,708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ457EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.64

S/2.07

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.60

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

36 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

SQA401EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.83
11,986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA401EJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA401EJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/4.83

S/3.43

S/2.13

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.11

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: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.75 A

160 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

SQD40081EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.98
6,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40081EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40081EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

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S/7.98

S/5.10

S/3.42

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.29

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
24,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD40131EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD40131EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/7.90

S/5.02

S/3.38

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.26

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
6,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ415EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ415EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.64

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.68

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4005EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.16
5,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4005EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4005EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.17

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.04

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

12 V

15 A

13 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD50P06-15L_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.23
3,167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15L_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

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S/16.23

S/10.67

S/7.47

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.29

S/5.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ409EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.72
2,434En existencias
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SQJ409EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.72

S/5.53

S/3.72

S/3.02

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ481EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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7,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ481EP-T1_GE3

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78-SQJ481EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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7,680En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.10

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.68

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQM40031EL_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.27
3,486En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQM40031EL_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40031EL_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/16.27

S/10.70

S/7.51

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.96

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Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

800 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

SQA401EEJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.81
2,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQA401EEJ-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQA401EEJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L

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2,869En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.926

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

2.68 A

113 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

5.3 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.6 A
2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
12 A
15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC