Resultados: 34
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
29,014En existencias
Cinta cortada
S/3.08
S/3.07
Envase tipo carrete
S/3.07
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 12 V 25 A 5.1 mOhms 8 V 900 mV 101 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified 295,531En existencias
Cinta cortada
S/3.39
S/1.54
S/1.36
S/1.04
Envase tipo carrete
S/0.802
S/0.701
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 230 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 100 C 2.7 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
277,219En existencias
Cinta cortada
S/4.83
S/2.25
S/2.00
S/1.55
Envase tipo carrete
S/1.33
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 60 V 5.3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 21,440En existencias
Cinta cortada
S/2.88
S/2.87
Envase tipo carrete
S/2.87
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms 20 V 2.5 V 109 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified 55,930En existencias
Cinta cortada
S/2.69
S/2.68
Envase tipo carrete
S/2.68
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 20 A 55 mOhms 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 74,096En existencias
Cinta cortada
S/6.89
S/3.28
S/2.92
S/2.30
S/2.13
Envase tipo carrete
S/1.80
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 55 A 14 mOhms 20 V 1.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
46,992En existencias
Cinta cortada
S/2.80
S/2.79
Envase tipo carrete
S/2.79
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms 20 V 2.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 7 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 41,129En existencias
Cinta cortada
S/8.45
S/4.09
S/3.51
S/2.90
S/2.69
Envase tipo carrete
S/2.39
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4.4 mOhms 20 V 2 V 169 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified
21,586En existencias
Cinta cortada
S/4.90
S/2.29
S/2.03
S/1.58
Envase tipo carrete
S/1.36
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 40 V 6.9 A 48 mOhms 12 V 1.5 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK 5,156En existencias
Cinta cortada
S/4.59
S/2.13
S/1.88
S/1.46
Envase tipo carrete
S/1.23
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified 2,125En existencias
Cinta cortada
S/2.18
S/2.16
Envase tipo carrete
S/2.16
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 12 V 60 A 4.8 mOhms 8 V 1.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
270,975En existencias
Cinta cortada
S/4.75
S/2.92
S/1.92
S/1.51
Envase tipo carrete
S/1.17
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 60 V 5.3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 33,300En existencias
18,000Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
S/8.49
S/4.13
S/3.66
S/2.91
S/2.71
Envase tipo carrete
S/2.53
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 7 mOhms 20 V 2 V 170 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
118,506En existencias
Cinta cortada
S/6.27
S/2.96
S/2.64
S/2.07
Envase tipo carrete
S/1.68
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 36 A 25 mOhms 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 50,105En existencias
Cinta cortada
S/8.52
S/5.41
S/3.64
S/3.06
S/2.86
Envase tipo carrete
S/2.78
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 60 V 52 A 18 mOhms 20 V 1.5 V 73 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 11,841En existencias
Cinta cortada
S/17.71
S/10.00
S/8.60
S/7.12
Envase tipo carrete
S/6.89
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 93 A 15.5 mOhms 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 91,116En existencias
Cinta cortada
S/6.50
S/3.08
S/2.74
S/2.16
Envase tipo carrete
S/1.72
S/1.66
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 150 V 4.7 A 1.095 Ohms 20 V 3 V 8 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
5,876En existencias
Cinta cortada
S/7.16
S/4.55
S/3.17
S/2.51
Envase tipo carrete
S/2.04
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 12 V 15 A 13 mOhms 8 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 6 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id 2,616En existencias
4,000Se espera el 4/12/2026
Cinta cortada
S/7.98
S/3.83
S/3.42
S/2.92
S/2.60
Envase tipo carrete
S/2.37
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 8.5 mOhms 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified 22,510En existencias
Cinta cortada
S/7.90
S/3.78
S/3.38
S/2.68
S/2.56
Envase tipo carrete
S/2.26
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 11.5 mOhms 20 V 2 V 76 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L 5,977En existencias
Cinta cortada
S/6.34
S/3.01
S/2.68
S/2.10
S/1.97
Envase tipo carrete
S/1.68
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 A 14 mOhms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L 14,892En existencias
Cinta cortada
S/5.84
S/2.75
S/2.45
S/1.92
S/1.91
Envase tipo carrete
S/1.44
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 9.2 mOhms 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified 8,276En existencias
14,400Se espera el 5/10/2026
Cinta cortada
S/16.27
S/8.29
S/7.51
S/5.88
Envase tipo carrete
S/5.88
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms 20 V 2.5 V 800 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id 3,777En existencias
4,800Se espera el 11/11/2026
Cinta cortada
S/10.70
S/5.29
S/4.75
S/3.59
Envase tipo carrete
S/3.35
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5.1 mOhms 20 V 1.5 V 185 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L 2,644En existencias
Cinta cortada
S/3.81
S/1.76
S/1.55
S/1.19
Envase tipo carrete
S/0.926
S/0.814
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2.68 A 113 mOhms 8 V 1.5 V 5.3 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel