Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 4,030
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET 291En existencias
1,200Se espera el 29/01/2027
S/27.52
S/18.41
S/15.10
S/12.81
S/11.64
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 171En existencias
Cinta cortada
S/79.41
S/50.64
S/47.29
Envase tipo carrete
S/47.29
Min.: 1
Mult.: 1
: 200
MOSFETs Si
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS 2,364En existencias
Cinta cortada
S/9.11
S/5.06
S/4.28
S/3.60
Envase tipo carrete
S/2.90
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode 561En existencias
S/48.58
S/26.78
S/24.76
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier 9,415En existencias
Cinta cortada
S/5.64
S/2.78
S/2.43
S/1.93
Envase tipo carrete
S/1.40
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier 5,530En existencias
Cinta cortada
S/5.14
S/2.73
S/2.16
S/1.83
Envase tipo carrete
S/1.27
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET 454En existencias
S/72.67
S/41.92
S/41.88
S/38.93
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor 10,998En existencias
S/16.00
S/8.72
S/6.42
S/5.88
S/4.79
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI 47,266En existencias
Cinta cortada
S/4.32
S/3.48
S/2.90
S/2.34
Envase tipo carrete
S/1.77
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 760En existencias
S/129.11
S/92.88
S/88.44
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3 38,107En existencias
Cinta cortada
S/5.96
S/2.79
S/2.49
S/1.95
Envase tipo carrete
S/1.86
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8


STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode 533En existencias
S/59.44
S/45.23
S/37.68
S/31.37
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS 1,322En existencias
S/64.11
S/45.35
S/44.41
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 41,498En existencias
Cinta cortada
S/5.92
S/2.78
S/2.48
S/1.94
Envase tipo carrete
S/1.46
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Auto Hi Vltg pwr 2 x 100A 170V 0.63VF 3,281En existencias
S/111.01
S/71.58
Min.: 1
Mult.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2,338En existencias
Cinta cortada
S/17.94
S/9.23
S/8.37
S/7.16
Envase tipo carrete
S/6.70
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1,533En existencias
S/60.57
S/42.86
S/39.66
S/39.63
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 174En existencias
Cinta cortada
S/76.68
S/58.43
S/47.37
Envase tipo carrete
S/47.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 200
MOSFETs Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 20 V TVS 2,490En existencias
Cinta cortada
S/9.03
S/5.06
S/4.28
S/3.60
Envase tipo carrete
S/2.90
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier 11,021En existencias
Cinta cortada
S/3.27
S/2.08
S/1.56
S/1.28
Ver
Envase tipo carrete
S/0.864
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor 3,425En existencias
Cinta cortada
S/33.28
S/23.94
S/21.64
S/21.60
S/20.20
Envase tipo carrete
S/20.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 2,434En existencias
Cinta cortada
S/49.40
S/28.30
S/27.91
S/27.36
S/25.89
Envase tipo carrete
S/25.89
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics SCR 15 A SCR 30,744En existencias
Cinta cortada
S/7.43
S/4.75
S/3.18
S/2.51
S/2.30
Envase tipo carrete
S/2.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH 3,053En existencias
Cinta cortada
S/16.78
S/10.04
S/8.17
S/6.85
Envase tipo carrete
S/6.50
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor 228En existencias
S/98.95
S/79.21
S/68.51
S/64.11
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4