Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 4,008
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 5 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode 329En existencias
Cinta cortada
S/15.26
S/7.71
Envase tipo carrete
S/7.71
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 2,500
SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-HV-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier 10,785En existencias
Cinta cortada
S/3.50
S/1.80
S/1.47
S/1.23
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Envase tipo carrete
S/0.856
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3

STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 22 V TVS for load dump in D2PAK 12,347En existencias
Cinta cortada
S/16.66
S/7.82
S/6.66
S/6.19
Envase tipo carrete
S/5.33
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
D2PAK (TO-263AB-3)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor 3,301En existencias
Cinta cortada
S/33.28
S/23.98
S/21.64
S/20.47
Envase tipo carrete
S/20.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5)


STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode 528En existencias
S/40.68
S/28.77
S/23.98
S/21.45
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2,335En existencias
Cinta cortada
S/17.94
S/9.23
S/8.37
S/7.16
Envase tipo carrete
S/6.70
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 28 V TVS 2,450En existencias
Cinta cortada
S/9.26
S/6.31
S/5.41
S/4.87
Envase tipo carrete
S/3.29
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 15 A, Power Schottky Trench Rectifier 3,624En existencias
Cinta cortada
S/7.20
S/3.43
S/3.06
S/2.41
Envase tipo carrete
S/1.89
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier 37,440En existencias
Cinta cortada
S/4.05
S/1.86
S/1.65
S/1.27
Envase tipo carrete
S/0.989
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SOD-128F-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 2 A Power Schottky Trench Rectifier 9,994En existencias
Cinta cortada
S/2.02
S/0.977
S/0.849
S/0.685
Envase tipo carrete
S/0.518
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SOD-128F-2
STMicroelectronics Rectificadores 2x15 Amp 200 Volt 25,414En existencias
S/13.86
S/6.77
S/6.11
S/5.10
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Min.: 1
Mult.: 1
Rectifiers Through Hole TO-247
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS 2,287En existencias
Cinta cortada
S/10.78
S/6.77
S/5.45
S/4.90
Envase tipo carrete
S/3.29
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode 554En existencias
S/32.07
S/22.58
S/18.29
S/17.56
S/14.36
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier 9,405En existencias
Cinta cortada
S/5.61
S/2.72
S/2.37
S/1.93
Envase tipo carrete
S/1.48
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier 5,463En existencias
Cinta cortada
S/5.37
S/2.49
S/2.17
S/1.82
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Envase tipo carrete
S/1.40
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor 10,575En existencias
S/16.00
S/8.60
S/6.81
S/6.31
S/5.02
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 750En existencias
S/129.11
S/92.88
S/88.44
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 25 A, 600 V short-circuit rugged IGBT 211En existencias
S/62.09
S/42.19
S/34.41
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Through Hole SDIP2B-26
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH 2,205En existencias
Cinta cortada
S/11.33
S/7.32
S/5.02
S/4.09
S/3.78
Envase tipo carrete
S/3.58
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package 577En existencias
S/33.40
S/23.51
S/19.03
S/16.93
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH 3,043En existencias
Cinta cortada
S/16.78
S/10.04
S/8.17
S/6.85
Envase tipo carrete
S/6.50
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor 4,419En existencias
Cinta cortada
S/7.24
S/4.55
S/2.99
S/2.35
Envase tipo carrete
S/1.82
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores Automotive 600 V, 30 A Soft Ultrafast Diode 1,463En existencias
S/16.27
S/10.67
S/7.94
S/6.66
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK Plazo de entrega 32 Semanas
Cinta cortada
S/8.84
S/5.61
S/3.78
S/3.06
Envase tipo carrete
S/2.56
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 2,603En existencias
Cinta cortada
S/10.12
S/5.80
S/4.44
S/3.71
Envase tipo carrete
S/3.19
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si