Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 34

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A IXTA6N100D2 IXYS 1: S/ 42.39 3,588En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA6N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA6N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	3,588En existencias	S/ 42.39 S/ 31.61 S/ 25.96 S/ 24.91	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TO-263AA-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	6 A	2.2 Ohms	20 V	2.5 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	300 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTT16N50D2 IXYS 1: S/ 110.70 795En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTT16N50D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTT16N50D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	795En existencias	S/ 110.70 S/ 75.71 S/ 71.15 S/ 68.74	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	16 A	300 mOhms	20 V	2 V	199 nC	- 55 C	+ 150 C	695 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A IXTH6N50D2 IXYS 1: S/ 54.07 457En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH6N50D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH6N50D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	457En existencias	S/ 54.07 S/ 30.21 S/ 27.71 S/ 25.18	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	6 A	550 mOhms	20 V	4.5 V	96 nC	- 55 C	+ 150 C	300 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A IXTP3N50D2 IXYS 1: S/ 21.76 1,240En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTP3N50D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTP3N50D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	1,240En existencias	S/ 21.76 S/ 12.69 S/ 11.60 S/ 10.74	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	3 A	1.5 Ohms	20 V	4.5 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTT10N100D2 IXYS 1: S/ 103.93 784En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTT10N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTT10N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	784En existencias	S/ 103.93 S/ 77.42 S/ 68.90 S/ 66.29 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)	N-Channel	1 Channel	1 kV	10 A	1.5 Ohms	20 V	4.5 V	200 nC	- 55 C	+ 150 C	695 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA IXTA1R6N100D2 IXYS 1: S/ 22.27 1,703En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA1R6N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA1R6N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	1,703En existencias	S/ 22.27 S/ 11.68 S/ 9.93 S/ 8.91	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1 kV	1.6 A	10 Ohms	20 V	4.5 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A IXTP3N100D2 IXYS 1: S/ 25.22 1,873En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTP3N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTP3N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	1,873En existencias	S/ 25.22 S/ 13.23 S/ 12.22 S/ 11.21 Ver S/ 11.17 S/ 10.32	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	3 A	6 Ohms	20 V	4.5 V	37.5 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A IXTA3N50D2 IXYS 1: S/ 28.14 3,471En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA3N50D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA3N50D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	3,471En existencias	S/ 28.14 S/ 15.45 S/ 13.16 S/ 11.91	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	3 A	1.5 Ohms	20 V	4.5 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL IXTA6N100D2HV IXYS 1: S/ 78.01 679En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA6N100D2HV N.º de artículo de Mouser 747-IXTA6N100D2HV	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	679En existencias	S/ 78.01 S/ 53.99 S/ 48.03 S/ 45.81 S/ 45.27	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TO-263AA-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	6 A	2.2 Ohms	20 V	2.5 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	300 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 3A N-CH DEPL IXTA3N100D2HV IXYS 1: S/ 33.98 300En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA3N100D2HV N.º de artículo de Mouser 747-IXTA3N100D2HV	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 3A N-CH DEPL Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	300En existencias	S/ 33.98 S/ 19.15 S/ 16.66 S/ 15.22	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TO-263HV-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	3 A	6 Ohms	20 V	4.5 V	37.5 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA IXTA08N100D2 IXYS 1: S/ 19.07 2,750En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA08N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA08N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	2,750En existencias	S/ 19.07 S/ 10.00 S/ 8.95 S/ 7.90 S/ 7.43	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1 kV	800 mA	21 Ohms	20 V	4 V	14.6 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A IXTA3N100D2 IXYS 1: S/ 35.11 687En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA3N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA3N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	687En existencias	S/ 35.11 S/ 19.19 S/ 17.59 S/ 16.58	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1 kV	3 A	6 Ohms	20 V	4.5 V	37.5 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A IXTA6N50D2 IXYS 1: S/ 45.11 500En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA6N50D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA6N50D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	500En existencias	S/ 45.11 S/ 28.92 S/ 26.70 S/ 25.30	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	6 A	550 mOhms	20 V	4.5 V	96 nC	- 55 C	+ 150 C	300 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL IXTH10N100D2 IXYS 1: S/ 89.80 275En existencias 300Se espera el 23/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IXTH10N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH10N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	275En existencias 300Se espera el 23/11/2026	S/ 89.80 S/ 62.05	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	10 A	1.5 Ohms	20 V	4.5 V	200 nC	- 55 C	+ 150 C	695 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET IXTH16N20D2 IXYS 1: S/ 96.69 250En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH16N20D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH16N20D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	250En existencias	S/ 96.69 S/ 65.20 S/ 62.05	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	16 A	80 mOhms	20 V	4.5 V	208 nC	- 55 C	+ 150 C	695 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET IXTH16N50D2 IXYS 1: S/ 80.03 861En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH16N50D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH16N50D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	861En existencias	S/ 80.03 S/ 48.46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	16 A	300 mOhms	20 V	4 V	199 nC	- 55 C	+ 150 C	695 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET IXTH2N170D2 IXYS 1: S/ 109.96 220En existencias 300Se espera el 26/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IXTH2N170D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH2N170D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	220En existencias 300Se espera el 26/01/2027	S/ 109.96 S/ 72.60	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	2 A	6.5 Ohms	20 V	4.5 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	568 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA IXTP08N100D2 IXYS 1: S/ 18.49 1,583En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTP08N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTP08N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	1,583En existencias	S/ 18.49 S/ 10.28 S/ 8.76 S/ 7.36 Ver S/ 6.85 S/ 6.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	800 mA	21 Ohms	20 V	4 V	14.6 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A IXTP6N100D2 IXYS 1: S/ 46.17 525En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTP6N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTP6N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	525En existencias	S/ 46.17 S/ 26.86 S/ 24.80 S/ 24.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	6 A	2.2 Ohms	20 V	2.5 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	300 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A IXTT2N170D2 IXYS 1: S/ 147.18 202En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTT2N170D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTT2N170D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	202En existencias	S/ 147.18 S/ 110.39 S/ 104.01 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	2 A	6.5 Ohms	20 V	4.5 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	568 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA IXTY08N50D2 IXYS 1: S/ 16.97 3,906En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTY08N50D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTY08N50D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	3,906En existencias	S/ 16.97 S/ 9.34 S/ 7.63 S/ 6.54 S/ 6.38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	800 mA	4.6 Ohms	20 V	4.5 V	12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A IXTY1R6N100D2 IXYS 1: S/ 22.30 2,689En existencias 13,440En pedido	N.º de artículo del Fabricante IXTY1R6N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTY1R6N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	2,689En existencias 13,440En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IXTY1R6N100D2 Existencias: 2,689 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,730 Se espera el 8/12/2026 10,710 Se espera el 27/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 25 Semanas	S/ 22.30 S/ 12.81 S/ 10.74 S/ 9.96 S/ 8.60	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	1 kV	1.6 A	10 Ohms	20 V	4.5 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA IXTA08N50D2 IXYS 1: S/ 18.33 556En existencias 50Se espera el 10/03/2027	N.º de artículo del Fabricante IXTA08N50D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA08N50D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	556En existencias 50Se espera el 10/03/2027	S/ 18.33 S/ 9.38 S/ 8.52 S/ 8.06 S/ 7.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	800 mA	4.6 Ohms	20 V	4.5 V	12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL IXTA1R6N100D2HV IXYS 1: S/ 31.33 300En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA1R6N100D2HV N.º de artículo de Mouser 747-IXTA1R6N100D2HV	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	300En existencias	S/ 31.33 S/ 16.97 S/ 15.53 S/ 13.35	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TO-263HV-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	1.6 A	10 Ohms	20 V	2.5 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Depletion	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V IXTH6N100D2 IXYS 1: S/ 49.59 138En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH6N100D2 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH6N100D2	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V Obtenga más información sobre IXYS d2 n channel mosfets	Hoja de datos	138En existencias	S/ 49.59 S/ 32.70 S/ 29.51 S/ 29.23	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	1 kV	6 A	2.2 Ohms	20 V	2.5 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	300 W	Depletion	Tube

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte