30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications. 

Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2 22,119En existencias
Cinta cortada
S/ 5.41
S/ 2.51
S/ 2.13
S/ 1.73
Envase tipo carrete
S/ 1.25
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 7.5 mOhms 20 V 2.2 V 15 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 3,948En existencias
Cinta cortada
S/ 7.55
S/ 2.89
S/ 2.64
S/ 2.29
S/ 2.27
Envase tipo carrete
S/ 2.26
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg 109,278En existencias
Cinta cortada
S/ 6.81
S/ 3.24
S/ 2.89
S/ 2.28
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Envase tipo carrete
S/ 1.80
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 6.8 mOhms 20 V 1.8 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 7,582En existencias
Cinta cortada
S/ 4.24
S/ 1.95
S/ 1.72
S/ 1.33
Envase tipo carrete
S/ 1.03
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 50 V 3 A 130 mOhms 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg 10,358En existencias
Cinta cortada
S/ 7.12
S/ 3.56
S/ 3.09
S/ 2.45
S/ 2.41
Envase tipo carrete
S/ 2.00
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 3.04 mOhms 20 V 1.8 V 44 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 4,608En existencias
16,000Se espera el 20/11/2026
Cinta cortada
S/ 4.98
S/ 2.32
S/ 2.06
S/ 1.60
Envase tipo carrete
S/ 1.21
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A 50 mOhms 20 V 1 V 25 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 2,775En existencias
8,000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
S/ 4.48
S/ 2.07
S/ 1.84
S/ 1.42
Envase tipo carrete
S/ 1.05
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 29 mOhms 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC 25,374En existencias
Cinta cortada
S/ 4.20
S/ 1.94
S/ 1.72
S/ 1.32
Envase tipo carrete
S/ 0.985
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 130 mOhms 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A 11,422En existencias
Cinta cortada
S/ 4.63
S/ 2.14
S/ 1.90
S/ 1.47
Envase tipo carrete
S/ 1.06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 3.5 A, 4.7 A 80 mOhms 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A 13,779En existencias
Cinta cortada
S/ 6.23
S/ 2.94
S/ 2.62
S/ 2.05
Envase tipo carrete
S/ 1.52
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 46 mOhms 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 14,641En existencias
Cinta cortada
S/ 9.69
S/ 4.75
S/ 4.24
S/ 3.39
Ver
Envase tipo carrete
S/ 2.92
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 55 V 5.1 A 65 mOhms, 65 mOhms 20 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A 8,666En existencias
8,000Se espera el 21/09/2027
Cinta cortada
S/ 5.53
S/ 2.58
S/ 2.29
S/ 1.78
Envase tipo carrete
S/ 1.32
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A, 7.3 A 46 mOhms 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC 18,057En existencias
20,000Se espera el 11/02/2027
Cinta cortada
S/ 6.23
S/ 3.23
S/ 2.52
S/ 2.01
S/ 1.97
Envase tipo carrete
S/ 1.51
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,000
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 35 mOhms 20 V 1 V 61 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg 24,353En existencias
8,000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
S/ 7.32
S/ 3.50
S/ 3.12
S/ 2.47
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Envase tipo carrete
S/ 1.96
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 4.5 mOhms 20 V 2.35 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A 15,937En existencias
Cinta cortada
S/ 4.32
S/ 1.99
S/ 1.76
S/ 1.35
Envase tipo carrete
S/ 1.00
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 3.5 A 150 mOhms 20 V 1 V 14 nC, 12 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg 9,277En existencias
S/ 10.94
S/ 5.41
S/ 4.87
S/ 3.89
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg 67,367En existencias
84,000En pedido
Cinta cortada
S/ 1.91
S/ 0.845
S/ 0.74
S/ 0.553
Envase tipo carrete
S/ 0.413
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 27 mOhms 20 V 1.3 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC 1,600En existencias
108,000En pedido
Cinta cortada
S/ 2.18
S/ 1.51
S/ 0.954
S/ 0.599
S/ 0.525
Envase tipo carrete
S/ 0.459
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 100 mOhms 20 V 1.3 V 1 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl 102,216En existencias
600,000En pedido
Cinta cortada
S/ 1.60
S/ 0.697
S/ 0.611
S/ 0.452
Envase tipo carrete
S/ 0.335
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.2 A 400 mOhms 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC 6,841En existencias
8,000Se espera el 15/04/2027
Cinta cortada
S/ 7.16
S/ 3.53
S/ 3.13
S/ 2.57
Envase tipo carrete
S/ 2.27
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 161 A 3.2 mOhms 20 V 2.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A 5,145En existencias
16,000Se espera el 12/11/2026
Cinta cortada
S/ 5.41
S/ 2.52
S/ 2.24
S/ 1.74
Envase tipo carrete
S/ 1.28
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 9.1 A, 11 A 17.1 mOhms, 11.5 mOhms 20 V 1.8 V 6.7 nC, 14 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg 8,655En existencias
Cinta cortada
S/ 7.63
S/ 3.63
S/ 2.99
S/ 2.42
Ver
Envase tipo carrete
S/ 1.93
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.1 mOhms 20 V 1.8 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V 22,427En existencias
Cinta cortada
S/ 6.03
S/ 2.83
S/ 2.52
S/ 1.97
Envase tipo carrete
S/ 1.47
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 8.7 mOhms 20 V 2.35 V 8.1 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V 343En existencias
Cinta cortada
S/ 4.32
S/ 1.99
S/ 1.77
S/ 1.36
Envase tipo carrete
S/ 0.977
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT DSO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 8.1 A, 8.4 A 22 mOhms, 28 mOhms 20 V 2.7 V 8.9 nC, 7.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A 3,713En existencias
Cinta cortada
S/ 6.31
S/ 3.89
S/ 2.57
S/ 2.02
Envase tipo carrete
S/ 1.39
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 100 mOhms 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel