Semiconductores discretos

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa STE145N65M5 STMicroelectronics 1: S/129.11 760En existencias	N.º de artículo del Fabricante STE145N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STE145N65M5	STMicroelectronics	Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	760En existencias	S/129.11 S/92.88 S/88.44	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFET Modules	Si	Screw Mount	ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV STL13N60M6 STMicroelectronics 1: S/10.86 2,784En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL13N60M6 N.º de artículo de Mouser 511-STL13N60M6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Obtenga más información sobre STMicroelectronics m6 mosfets	Hoja de datos	2,784En existencias	Cinta cortada S/10.86 S/5.37 S/4.75 S/3.85 S/3.56 Envase tipo carrete S/3.20	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H STL18N65M2 STMicroelectronics 1: S/13.58 3,711En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL18N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STL18N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	3,711En existencias	Cinta cortada S/13.58 S/6.89 S/6.07 S/5.06 Envase tipo carrete S/4.67 Ver S/4.71 S/4.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 STL24N60M2 STMicroelectronics 1: S/15.84 5,999En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL24N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STL24N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	5,999En existencias	Cinta cortada S/15.84 S/8.06 S/7.32 S/6.07 Envase tipo carrete S/5.64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-8x8-5
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack STW42N60M2-EP STMicroelectronics 1: S/34.64 800En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW42N60M2-EP N.º de artículo de Mouser 511-STW42N60M2-EP	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	800En existencias	S/34.64 S/18.45 S/17.01 S/15.80	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package STD16N60M2 STMicroelectronics 1: S/8.84 5,575En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD16N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STD16N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	5,575En existencias	Cinta cortada S/8.84 S/4.20 S/3.34 S/2.83 S/2.70 Envase tipo carrete S/2.57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package STF40N65M2 STMicroelectronics 1: S/24.21 800En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF40N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STF40N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	800En existencias	S/24.21 S/14.95 S/12.14 S/10.47 S/10.04	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2 STP40N60M2 STMicroelectronics 1: S/22.23 Plazo de entrega 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STP40N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STP40N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	Plazo de entrega 24 Semanas	S/22.23 S/13.62 S/12.46 S/10.94	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package STB40N60M2 STMicroelectronics 1: S/24.52 909En existencias 1,000Se espera el 29/01/2027	N.º de artículo del Fabricante STB40N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STB40N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	909En existencias 1,000Se espera el 29/01/2027	Cinta cortada S/24.52 S/12.96 S/11.83 S/11.48 Envase tipo carrete S/10.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 STF13N60M2 STMicroelectronics 1: S/8.87 2,950En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF13N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STF13N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	2,950En existencias	S/8.87 S/4.90 S/3.79 S/3.07 Ver S/2.76 S/2.57	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H STL12N60M2 STMicroelectronics 1: S/9.61 3,363En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL12N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STL12N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	3,363En existencias	Cinta cortada S/9.61 S/5.06 S/4.20 S/3.34 S/3.13 Envase tipo carrete S/2.77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STB28N60M2 STMicroelectronics 1: S/10.86 1,842En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB28N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	1,842En existencias	Cinta cortada S/10.86 S/5.37 S/4.83 S/3.87 Envase tipo carrete S/3.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 STU7N60M2 STMicroelectronics 1: S/8.10 2,824En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU7N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STU7N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	2,824En existencias	S/8.10 S/2.96 S/2.54 S/2.32	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package STD13N65M2 STMicroelectronics 1: S/9.07 3,043En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD13N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STD13N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	3,043En existencias	Cinta cortada S/9.07 S/4.40 S/3.58 S/3.09 Envase tipo carrete S/2.71 Ver S/2.81 S/2.53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STI28N60M2 STMicroelectronics 1: S/15.73 1,811En existencias	N.º de artículo del Fabricante STI28N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STI28N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	1,811En existencias	S/15.73 S/8.10 S/7.36 S/6.15 Ver S/5.76 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package STP16N65M2 STMicroelectronics 1: S/11.83 3En existencias 1,000Se espera el 29/01/2027	N.º de artículo del Fabricante STP16N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STP16N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	3En existencias 1,000Se espera el 29/01/2027	S/11.83 S/7.67 S/5.25 S/4.44 Ver S/3.87 S/3.81 S/3.74	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 STD6N60M2 STMicroelectronics 1: S/8.33 2,265En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD6N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STD6N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	2,265En existencias	Cinta cortada S/8.33 S/5.22 S/3.57 S/2.85 S/2.83 Envase tipo carrete S/2.29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag STF26N60M2 STMicroelectronics 1: S/15.03 954En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF26N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STF26N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	954En existencias	S/15.03 S/7.59 S/6.89 S/5.61 Ver S/5.57 S/5.37	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package STU16N65M2 STMicroelectronics 1: S/12.26 767En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU16N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STU16N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	767En existencias	S/12.26 S/5.88 S/5.33 S/4.44 Ver S/4.09 S/4.05 S/3.97	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag STF13N65M2 STMicroelectronics 1: S/10.70 970En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF13N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STF13N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	970En existencias	S/10.70 S/4.40 S/3.88 S/3.48 Ver S/3.47 S/3.41	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 STU13N60M2 STMicroelectronics 1: S/8.80 2,161En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU13N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STU13N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	2,161En existencias	S/8.80 S/4.01 S/3.59 S/3.02 Ver S/2.79 S/2.61 S/2.48	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package STU6N65M2 STMicroelectronics 1: S/6.70 2,854En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU6N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STU6N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	2,854En existencias	S/6.70 S/3.19 S/2.70 S/2.19 Ver S/2.18 S/1.84 S/1.83 S/1.82	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-251-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 STF7N60M2 STMicroelectronics 1: S/7.55 1,847En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF7N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STF7N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	1,847En existencias	S/7.55 S/3.61 S/3.23 S/2.55 Ver S/2.41 S/2.39 S/2.13	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package STF12N65M2 STMicroelectronics 1: S/9.73 1,011En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF12N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STF12N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	1,011En existencias	S/9.73 S/5.10 S/4.24 S/3.60 Ver S/3.12 S/3.11 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220FP-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package STD6N65M2 STMicroelectronics 1: S/6.23 2,892En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD6N65M2 N.º de artículo de Mouser 511-STD6N65M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmMDmeshII	Hoja de datos	2,892En existencias	Cinta cortada S/6.23 S/2.93 S/2.61 S/2.05 Envase tipo carrete S/1.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)

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