Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPT020N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R360P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT200N08S5N023ATMA1
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6,035 En existencias
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S/17.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R080P7XKSA1
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726-IPA60R080P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,738 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R065P7AUMA1
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726-IPL60R065P7AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,487 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPT019N08N5ATMA1
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726-IPT019N08N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
2,614 En existencias
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S/8.60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPT026N10N5ATMA1
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S/20.55
4,914 En existencias
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726-IPT026N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
4,914 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
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726-IPD80R1K2P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8,670 En existencias
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S/6.97
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S/1.85
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Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
CYPD3175-24LQXQ
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727-CYPD3175-24LQXQ
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Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
7,302 En existencias
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S/8.52
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S/6.31
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S/4.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ011NE2LS5IATMA1
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4,930 En existencias
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726-BSZ011NE2LS5IATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
4,930 En existencias
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S/9.65
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S/3.56
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/15.88
6,225 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6,225 En existencias
1
S/15.88
10
S/8.25
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S/5.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
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S/12.73
7,129 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
7,129 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.73
10
S/6.70
100
S/5.57
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S/4.71
1,000
S/4.48
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S/4.48
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.85
9,735 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
9,735 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.85
10
S/3.34
100
S/2.75
500
S/2.27
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S/1.87
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S/1.99
5,000
S/1.87
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5,000
Detalles
Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
CYPD3174-24LQXQ
Infineon Technologies
1:
S/8.25
3,668 En existencias
N.º de artículo de Mouser
727-CYPD3174-24LQXQ
Infineon Technologies
Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
3,668 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.25
10
S/6.15
25
S/5.61
100
S/5.06
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Ver
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S/4.83
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S/4.52
1,000
S/4.40
2,500
S/4.36
4,900
S/4.24
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.36
20,541 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
20,541 En existencias
1
S/7.36
10
S/3.50
100
S/3.05
500
S/2.47
1,000
Ver
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S/1.99
1,000
S/2.32
2,500
S/2.12
5,000
S/1.99
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5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/6.66
4,860 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,860 En existencias
1
S/6.66
10
S/3.15
100
S/2.81
500
S/2.20
1,000
S/1.73
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Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.41
9,148 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
9,148 En existencias
1
S/5.41
10
S/2.54
100
S/2.26
500
S/1.76
2,500
S/1.41
5,000
Ver
1,000
S/1.72
5,000
S/1.31
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.45
4,463 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,463 En existencias
1
S/8.45
10
S/4.09
100
S/3.65
500
S/2.90
1,000
S/2.69
2,500
S/2.41
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Carrete :
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.68
6,607 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
6,607 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.68
10
S/4.52
100
S/3.81
500
S/3.16
1,000
Ver
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S/2.75
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S/2.98
2,500
S/2.86
5,000
S/2.75
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
IQE006NE2LM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.90
8,508 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5ATM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
8,508 En existencias
1
S/10.90
10
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S/5.57
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S/4.79
5,000
S/4.79
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Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles