Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/14.17
14,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
14,862 En existencias
1
S/14.17
10
S/9.26
100
S/6.46
500
S/5.25
1,000
S/4.83
2,000
Ver
2,000
S/4.44
5,000
S/4.36
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
160 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
103 nC
+ 175 C
205 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/17.28
42,534 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
42,534 En existencias
1
S/17.28
10
S/11.41
100
S/8.02
500
S/6.89
1,000
S/6.19
2,000
S/5.72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
P-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.8 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
460 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.73
46,180 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,180 En existencias
1
S/6.73
10
S/4.28
100
S/2.84
500
S/2.23
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S/1.87
4,000
Ver
1,000
S/2.04
4,000
S/1.67
10,000
S/1.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
40 A
9.1 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
83 nC
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1:
S/11.17
25,796 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
25,796 En existencias
1
S/11.17
10
S/7.24
100
S/4.98
500
S/4.01
1,000
S/3.75
2,000
S/3.42
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
103 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
44,969 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
44,969 En existencias
1
S/5.61
10
S/3.52
100
S/2.33
500
S/1.82
2,000
S/1.54
4,000
Ver
1,000
S/1.65
4,000
S/1.36
10,000
S/1.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
8 A
104 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
19 nC
+ 175 C
27 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/7.36
56,440 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,440 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.71
100
S/3.15
500
S/2.48
5,000
S/2.05
10,000
Ver
1,000
S/2.12
10,000
S/2.00
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
20 A
23.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/5.88
4,800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,800 En existencias
1
S/5.88
10
S/3.71
100
S/2.46
500
S/1.93
5,000
S/1.45
10,000
Ver
1,000
S/1.61
10,000
S/1.30
25,000
S/1.27
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
20 A
7.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
21 nC
+ 175 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.36
11,190 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
11,190 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.71
100
S/3.15
500
S/2.48
2,000
S/2.09
4,000
Ver
1,000
S/2.27
4,000
S/1.86
24,000
S/1.72
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
65 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
39 nC
+ 175 C
107 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/12.26
3,344 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,344 En existencias
1
S/12.26
10
S/7.98
100
S/5.53
500
S/4.44
5,000
S/3.50
10,000
Ver
1,000
S/4.28
2,500
S/4.01
10,000
S/3.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
150 A
790 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.66
6,794 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
6,794 En existencias
1
S/6.66
10
S/4.24
100
S/2.81
500
S/2.21
5,000
S/1.65
10,000
Ver
1,000
S/1.86
2,500
S/1.85
10,000
S/1.51
25,000
S/1.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
3.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
35 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
17,733 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,733 En existencias
1
S/5.61
10
S/3.52
100
S/2.33
500
S/1.82
2,000
S/1.51
4,000
Ver
1,000
S/1.65
4,000
S/1.36
10,000
S/1.23
24,000
S/1.19
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
10 A
44 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
19 nC
+ 175 C
27 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.11
4,069 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,069 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.16
2,000
S/2.69
4,000
Ver
1,000
S/2.90
4,000
S/2.41
10,000
S/2.32
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
80 A
5.2 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
158 nC
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/10.20
16,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
16,682 En existencias
1
S/10.20
10
S/4.71
100
S/3.62
500
S/3.16
5,000
S/2.76
10,000
Ver
1,000
S/3.01
2,500
S/3.00
10,000
S/2.71
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.14 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
132 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.38
17,458 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,458 En existencias
1
S/9.38
10
S/6.03
100
S/4.13
500
S/3.27
2,000
S/2.78
4,000
Ver
1,000
S/3.01
4,000
S/2.50
10,000
S/2.46
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
81 nC
+ 175 C
157 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/14.29
1,831 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,831 En existencias
1
S/14.29
10
S/9.34
100
S/6.50
500
S/5.29
1,000
S/4.87
2,000
Ver
2,000
S/4.40
5,000
S/4.28
10,000
S/4.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
N-Channel
1 Channel
40 V
160 A
1.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
103 nC
+ 175 C
205 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/9.07
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682 En existencias
1
S/9.07
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.14
2,000
S/2.67
4,000
Ver
1,000
S/2.88
4,000
S/2.39
10,000
S/2.30
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
15 A
13.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
10 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK33S10N1L,LQ
Toshiba
1:
S/10.94
968 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
968 En existencias
1
S/10.94
10
S/7.05
100
S/4.87
500
S/3.93
2,000
S/3.33
4,000
Ver
1,000
S/3.64
4,000
S/3.01
10,000
S/2.98
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
33 A
9.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK33S10N1Z,LXHQ
Toshiba
1:
S/8.17
1,835 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1Z,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,835 En existencias
1
S/8.17
10
S/5.25
100
S/3.52
500
S/2.79
2,000
S/2.36
4,000
Ver
1,000
S/2.56
4,000
S/2.11
10,000
S/1.99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
33 A
9.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
28 nC
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/8.37
3,960 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,960 En existencias
1
S/8.37
10
S/5.33
100
S/3.60
500
S/2.86
2,000
S/2.42
4,000
Ver
1,000
S/2.63
4,000
S/2.36
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
50 A
13.8 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
124 nC
+ 175 C
90 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.11
2,738 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
2,738 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.33
2,000
S/2.79
4,000
Ver
1,000
S/2.99
4,000
S/2.66
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
60 A
11.2 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
156 nC
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.38
4,390 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,390 En existencias
1
S/9.38
10
S/6.03
100
S/4.13
500
S/3.27
2,000
S/2.78
4,000
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1,000
S/3.00
4,000
S/2.77
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
76 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba
1:
S/18.84
812 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
812 En existencias
1
S/18.84
10
S/12.46
100
S/8.84
500
S/8.25
1,000
S/7.16
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Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
900 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
214 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
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3,930 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,930 En existencias
1
S/9.46
10
S/6.07
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S/4.16
500
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Ver
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S/2.82
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5,000
S/2.82
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Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.14 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
55 nC
+ 175 C
132 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
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S/9.85
12,150 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
12,150 En existencias
1
S/9.85
10
S/6.34
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S/4.32
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Ver
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S/2.94
1,000
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5,000
S/2.94
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Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
P-Channel
1 Channel
40 V
100 A
3.1 mOhms
- 20 V, 10 V
2.1 V
230 nC
+ 175 C
170 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
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S/8.21
3,893 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,893 En existencias
1
S/8.21
10
S/4.87
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S/3.35
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Ver
5,000
S/2.30
1,000
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S/2.30
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Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
P-Channel
1 Channel
40 V
60 A
4.7 mOhms
- 20 V, 10 V
2.1 V
160 nC
- 55 C
+ 175 C
132 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
