Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 99

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP IPB50R140CP Infineon Technologies 1: S/21.37 1,423En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB50R140CP N.º de artículo de Mouser 726-IPB50R140CP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1,423En existencias	Cinta cortada S/21.37 S/14.01 S/10.43 S/8.76 Envase tipo carrete S/8.10 S/7.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	23 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies 1: S/25.92 994En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099CPATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099CPATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	994En existencias	Cinta cortada S/25.92 S/16.31 S/14.99 S/14.60 Envase tipo carrete S/14.29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	90 mOhms	20 V	2.5 V	80 nC	- 40 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.34 8,652En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K8CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K8CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	8,652En existencias	Cinta cortada S/6.34 S/3.01 S/2.68 S/2.21 S/2.14 Envase tipo carrete S/1.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	1.9 A	2.8 Ohms	30 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.80 3,972En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R400CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R400CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3,972En existencias	Cinta cortada S/5.80 S/3.16 S/2.64 S/2.13 S/1.94 Envase tipo carrete S/1.74 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	14.7 A	400 mOhms	20 V	3 V	32 nC	- 40 C	+ 150 C	112 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R800CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.10 6,662En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R800CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R800CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	6,662En existencias	Cinta cortada S/5.10 S/2.52 S/2.09 S/1.63 S/1.50 Envase tipo carrete S/1.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	8.4 A	800 mOhms	20 V	3 V	17.2 nC	- 40 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP IPA50R140CP Infineon Technologies 1: S/20.40 555En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R140CP N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R140CP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	555En existencias	S/20.40 S/12.03 S/9.42 S/8.14 S/7.67	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	500 V	23 A	130 mOhms	20 V	3.5 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP IPB60R199CPATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.85 1,957En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPB60R199CPATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R199CPATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP	Hoja de datos	1,957En existencias	Cinta cortada S/16.85 S/11.13 S/7.86 S/7.24 Envase tipo carrete S/6.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	180 mOhms	20 V	2.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2 IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.99 1,923En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD50R399CPATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R399CPATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2	Hoja de datos	1,923En existencias	Cinta cortada S/8.99 S/4.36 S/3.93 S/3.10 S/2.92 Envase tipo carrete S/2.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	9 A	399 mOhms	30 V	3 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP IPW60R075CP Infineon Technologies 1: S/45.08 239En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPW60R075CP N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R075CP Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP	Hoja de datos	239En existencias	S/45.08 S/31.88 S/26.55 S/23.63 S/22.11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	39 A	68 mOhms	20 V	2.5 V	116 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R950CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/3.78 4,487En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD50R950CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R950CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	4,487En existencias	Cinta cortada S/3.78 S/1.74 S/1.54 S/1.18 Envase tipo carrete S/0.876 Ver S/0.821 S/0.817 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	6.6 A	2.25 Ohms	20 V	3 V	10.5 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP IPB60R199CP Infineon Technologies 1: S/18.88 791En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPB60R199CP N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R199CP Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP	Hoja de datos	791En existencias	Cinta cortada S/18.88 S/12.38 S/9.23 S/7.79 Envase tipo carrete S/7.08 S/6.70 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	180 mOhms	20 V	2.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.68 2,080En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K0CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K0CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,080En existencias	Cinta cortada S/8.68 S/4.20 S/2.80 S/2.50 Envase tipo carrete S/2.50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	950 mOhms	20 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP IPB50R199CPATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.11 15,656En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB50R199CPATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB50R199CPATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP	Hoja de datos	15,656En existencias	Cinta cortada S/16.11 S/10.51 S/7.67 S/6.42 Envase tipo carrete S/6.11 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	17 A	180 mOhms	20 V	2.5 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.61 19,999En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD50R500CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R500CEAUMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	19,999En existencias	Cinta cortada S/5.61 S/2.63 S/2.34 S/1.83 Envase tipo carrete S/1.48 Ver S/1.74 S/1.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	500 mOhms	20 V	3 V	18.7 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2 IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies 1: S/11.91 5,248En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R385CPATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R385CPATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	5,248En existencias	Cinta cortada S/11.91 S/5.92 S/5.33 S/4.32 S/4.13 Envase tipo carrete S/3.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	350 mOhms	20 V	2.5 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP IPW60R045CPFKSA1 Infineon Technologies 1: S/67.65 3,807En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW60R045CPFKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R045CPFKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3,807En existencias	S/67.65 S/39.04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	60 A	40 mOhms	20 V	2.5 V	190 nC	- 55 C	+ 150 C	431 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/11.64 2,500En existencias 2,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPA50R190CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R190CEXKSA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,500En existencias 2,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPA50R190CEXKSA2 Existencias: 2,500 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,000 Se espera el 8/10/2026 1,000 Se espera el 22/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 12 Semanas	S/11.64 S/5.92 S/5.18 S/4.05 Ver S/3.89 S/3.59	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	450 mOhms	20 V	3 V	47.2 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies 1: S/8.02 12,588En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD50R280CEAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50R280CEAUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	12,588En existencias	Cinta cortada S/8.02 S/3.85 S/3.44 S/2.73 Envase tipo carrete S/2.25 Ver S/2.67 S/2.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	18.1 A	280 mOhms	20 V	3 V	32.6 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP IPL60R385CP Infineon Technologies 1: S/13.58 1,481En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPL60R385CP N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R385CP Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP	Hoja de datos	1,481En existencias	Cinta cortada S/13.58 S/11.76 S/8.10 S/6.77 S/6.27 Envase tipo carrete S/3.93	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	27 A	385 mOhms	20 V	3.5 V	17 nC	- 40 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/5.22 1,501En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA50R800CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R800CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	1,501En existencias	S/5.22 S/2.43 S/2.16 S/1.90 Ver S/1.71 S/1.51 S/1.34 S/1.30 S/1.23	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	7.6 A	720 mOhms	20 V	2.5 V	12.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.4 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R950CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/5.10 996En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA50R950CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R950CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	996En existencias	S/5.10 S/2.38 S/2.11 S/1.85 Ver S/1.48 S/1.40 S/1.34 S/1.30 S/1.24	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	550 V	6.6 A	2.22 Ohms	20 V	3 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	25.7 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/10.20 648En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R1K0CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R1K0CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	648En existencias	S/10.20 S/5.84 S/4.48 S/3.75 Ver S/3.32 S/3.25 S/3.07	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	2.19 Ohms	20 V	3 V	31 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP IPW60R165CP Infineon Technologies 1: S/23.36 197En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW60R165CP N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R165CP NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	197En existencias	S/23.36 S/11.99 S/10.94 S/9.61	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	165 mOhms	20 V	3.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP IPW60R199CP Infineon Technologies 1: S/21.99 218En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW60R199CP N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R199CP NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	218En existencias	S/21.99 S/14.40 S/10.63 S/9.42 S/8.37	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	180 mOhms	20 V	2.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/7.28 3,860En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA50R280CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA50R280CEXKSA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	3,860En existencias	S/7.28 S/3.47 S/3.25 S/2.57 Ver S/2.50 S/2.31 S/2.02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	18.1 A	280 mOhms	20 V	3.5 V	32.6 nC	- 40 C	+ 150 C	30.4 W	Enhancement	CoolMOS	Tube