Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.

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Resultados: 64

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.39 14,051En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB120N10S405ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB120N10S405ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	14,051En existencias	Cinta cortada S/16.39 S/8.33 S/7.55 S/6.31 Envase tipo carrete S/5.96	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	5 mOhms	20 V	2.7 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.12 36,578En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD30N08S2L21ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD30N08S2L21ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	36,578En existencias	Cinta cortada S/10.12 S/4.98 S/4.32 S/3.57 S/3.41 Envase tipo carrete S/3.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	75 V	30 A	15.9 mOhms	20 V	1.2 V	72 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies 1: S/24.99 6,467En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS300N08S5N012ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUS300N08S5N012	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	6,467En existencias	Cinta cortada S/24.99 S/13.74 S/12.57 S/11.48 S/11.05 Envase tipo carrete S/11.05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	300 A	1.7 mOhms	20 V	3.8 V	231 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.16 22,551En existencias 10,000Se espera el 29/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N10S5L040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N10S5L040	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	22,551En existencias 10,000Se espera el 29/10/2026	Cinta cortada S/13.16 S/6.58 S/5.76 S/4.83 Ver Envase tipo carrete S/4.40 S/4.71 S/4.40 S/4.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	100 A	4 Ohms	20 V	1.2 V	78 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V IPD90N08S4-05 Infineon Technologies 1: S/12.38 2,278En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD90N08S4-05 N.º de artículo de Mouser 726-IPD90N08S4-05	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	2,278En existencias	Cinta cortada S/12.38 S/7.98 S/5.49 S/4.48 Envase tipo carrete S/3.97 Ver S/4.16 S/3.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	90 A	4.5 mOhms	20 V	2 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS IPD30N08S2L-21 Infineon Technologies 1: S/10.39 17,786En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD30N08S2L-21 N.º de artículo de Mouser 726-IPD30N08S2L-21	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	17,786En existencias	Cinta cortada S/10.39 S/6.70 S/4.55 S/3.85 Envase tipo carrete S/3.22 Ver S/3.41 S/3.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	75 V	30 A	20.5 mOhms	20 V	1.2 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET IPD90N10S4L-06 Infineon Technologies 1: S/12.03 3,677En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD90N10S4L-06 N.º de artículo de Mouser 726-IPD90N10S4L-06	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	3,677En existencias	Cinta cortada S/12.03 S/7.75 S/5.33 S/4.32 Envase tipo carrete S/3.87 Ver S/4.05 S/3.79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	90 A	6.6 mOhms	16 V	1.1 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q100		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies 1: S/11.99 3,177En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD90N08S405ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD90N08S405ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	3,177En existencias	Cinta cortada S/11.99 S/5.96 S/5.29 S/3.89 Envase tipo carrete S/3.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	90 A	4.5 mOhms	20 V	2 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.56 4,195En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60N10S412ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60N10S412ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	4,195En existencias	Cinta cortada S/8.56 S/4.16 S/3.57 S/2.95 S/2.74 Envase tipo carrete S/2.46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	60 A	12.2 mOhms	20 V	2.7 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T IPB70N10S312ATMA1 Infineon Technologies 1: S/15.41 985En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB70N10S312ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB70N10S312ATMA NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	985En existencias	Cinta cortada S/15.41 S/7.82 S/7.08 S/5.80 Envase tipo carrete S/5.49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	70 A	9.4 mOhms	20 V	2 V	66 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q100		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.69 2,500En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD35N10S3L26ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD35N10S3L26ATM NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	2,500En existencias	Cinta cortada S/9.69 S/4.55 S/3.63 S/3.09 S/2.97 Envase tipo carrete S/2.72 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	35 A	20 mOhms	20 V	1.2 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	AEC-Q100		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V IPP120N08S403AKSA1 Infineon Technologies 1: S/28.38 1,208En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPP120N08S403AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP120N08S403AKS NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	1,208En existencias	S/28.38 S/15.73 S/14.40 S/12.14	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2.1 mOhms	20 V	2 V	167 nC	- 55 C	+ 175 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.49 4,531En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPG20N10S4L35AATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-20N10S4L35AATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon inductive wireless charging auto	Hoja de datos	4,531En existencias	Cinta cortada S/8.49 S/4.13 S/3.51 S/2.92 Ver Envase tipo carrete S/2.44 S/2.71 S/2.53 S/2.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	2 Channel	100 V	20 A	45 mOhms	16 V	1.1 V	17.4 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.11 5,885En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUT150N10S5N035ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUT150N10S5N035	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	5,885En existencias	Cinta cortada S/16.11 S/8.25 S/7.40 S/6.23 S/6.15 Envase tipo carrete S/5.84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	100 V	150 A	3.5 mOhms	20 V	2.2 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	166 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.70 9,981En existencias 35,000Se espera el 8/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N10S5N040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N10S5N040	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	9,981En existencias 35,000Se espera el 8/10/2026	Cinta cortada S/13.70 S/6.97 S/6.19 S/5.10 Ver Envase tipo carrete S/4.40 S/4.87 S/4.71 S/4.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	100 A	5.6 mOhms	20 V	2.2 V	78 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.64 6,311En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPG20N10S436AATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N10S436AATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	6,311En existencias	Cinta cortada S/8.64 S/4.32 S/3.63 S/2.99 Ver Envase tipo carrete S/2.37 S/2.68 S/2.50 S/2.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	2 Channel	100 V	20 A	31 mOhms, 31 mOhms	20 V	2.7 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS IPD30N08S2-22 Infineon Technologies 1: S/10.12 2,249En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD30N08S2-22 N.º de artículo de Mouser 726-IPD30N08S2-22	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	2,249En existencias	Cinta cortada S/10.12 S/6.50 S/4.44 S/3.74 Envase tipo carrete S/3.13 Ver S/3.31 S/3.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	75 V	30 A	17.4 mOhms	20 V	2.1 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.93 1,146En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD30N08S222ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD30N08S222ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	1,146En existencias	Cinta cortada S/9.93 S/4.87 S/4.36 S/3.48 S/3.31 Envase tipo carrete S/3.01 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	75 V	30 A	17.4 mOhms	20 V	2.1 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies 1: S/16.78 6,035En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUT200N08S5N023ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUT200N08S5N023	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	6,035En existencias	Cinta cortada S/16.78 S/8.99 S/7.79 S/6.85 S/6.62 Envase tipo carrete S/6.54	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	80 V	200 A	2.3 mOhms	20 V	2.2 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T IPB70N10S3-12 Infineon Technologies 1: S/15.73 700En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB70N10S3-12 N.º de artículo de Mouser 726-IPB70N10S312 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	700En existencias	Cinta cortada S/15.73 S/10.28 S/7.47 S/6.27 Envase tipo carrete S/5.76 S/5.49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	70 A	9.4 mOhms	20 V	2 V	66 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUMN08S5N012GAUMA1 Infineon Technologies 1: S/24.37 9,739En existencias 2,000Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUMN08S5N012GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN08S5N012GAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	9,739En existencias 2,000Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada S/24.37 S/12.88 S/11.76 S/10.78 S/10.39 Envase tipo carrete S/10.20	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	PG-HSOG-4-1	N-Channel	1 Channel	80 V	370 A	1.2 mOhms	20 V	3.8 V	149 nC	- 55 C	+ 175 C	325 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies 1: S/11.99 1,998En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB35N10S3L26ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB35N10S3L26ATM NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	1,998En existencias	Cinta cortada S/11.99 S/5.96 S/5.37 S/4.36 Envase tipo carrete S/4.13 Ver S/4.05 S/3.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	35 A	20.3 mOhms	20 V	1.2 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	AEC-Q100		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T IPD35N10S3L-26 Infineon Technologies 1: S/9.73 5,980En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD35N10S3L-26 N.º de artículo de Mouser 726-IPD35N10S3L26 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	5,980En existencias	Cinta cortada S/9.73 S/6.19 S/4.16 S/3.38 S/3.16 Envase tipo carrete S/2.70 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	35 A	24 mOhms	20 V	1.2 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies 1: S/11.60 2,320En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD50N10S3L-16 N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N10S3L16 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	2,320En existencias	Cinta cortada S/11.60 S/5.76 S/5.18 S/4.20 Envase tipo carrete S/3.81 Ver S/3.97 S/3.74 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	50 A	15 mOhms	20 V	1.2 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q100	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ IPB120N10S403ATMA1 Infineon Technologies 1: S/21.29 1,846En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB120N10S403ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB120N10S403ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 75v 100v n channel auto mosfet	Hoja de datos	1,846En existencias	Cinta cortada S/21.29 S/11.05 S/10.04 S/8.84 Envase tipo carrete S/7.86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	3.5 mOhms	20 V	2.7 V	140 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel