SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
394,298En existencias
Cinta cortada
S/ 3.78
S/ 1.73
S/ 1.53
S/ 1.18
Envase tipo carrete
S/ 0.86
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 88 mOhms 20 V 1 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
190,717En existencias
Cinta cortada
S/ 2.57
S/ 1.15
S/ 1.01
S/ 0.763
Envase tipo carrete
S/ 0.58
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W
43,949En existencias
Cinta cortada
S/ 3.70
S/ 1.69
S/ 1.49
S/ 1.14
Envase tipo carrete
S/ 0.884
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.16 A 47 mOhms 20 V 1 V 3 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
197,190En existencias
Cinta cortada
S/ 3.97
S/ 2.82
S/ 1.75
S/ 1.21
Envase tipo carrete
S/ 0.911
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 7.6 A 29 mOhms 20 V 2.5 V 11.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23
442,901En existencias
Cinta cortada
S/ 1.95
S/ 0.872
S/ 0.763
S/ 0.572
Envase tipo carrete
S/ 0.514
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.8 A 45 mOhms 12 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
181,160En existencias
Cinta cortada
S/ 2.76
S/ 1.24
S/ 1.09
S/ 0.829
Envase tipo carrete
S/ 0.631
S/ 0.553
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 57 mOhms 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23 26,686En existencias
Cinta cortada
S/ 3.97
S/ 1.82
S/ 1.61
S/ 1.24
S/ 1.18
Envase tipo carrete
S/ 0.923
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 8 V 6 A 30 mOhms 5 V 350 mV 19.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23
62,175En existencias
54,000Se espera el 2/11/2026
Cinta cortada
S/ 2.41
S/ 1.09
S/ 0.954
S/ 0.72
Envase tipo carrete
S/ 0.545
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 5.6 A 42 mOhms 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23
64,510En existencias
24,000Se espera el 31/03/2028
Cinta cortada
S/ 3.19
S/ 1.44
S/ 1.27
S/ 0.969
Envase tipo carrete
S/ 0.747
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 8 V 6 A 17 mOhms 5 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
131,207En existencias
Cinta cortada
S/ 2.41
S/ 1.09
S/ 0.954
S/ 0.72
Envase tipo carrete
S/ 0.545
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 33 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
39,348En existencias
27,000En pedido
Cinta cortada
S/ 3.54
S/ 1.61
S/ 1.42
S/ 1.08
Envase tipo carrete
S/ 0.864
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 102 mOhms 20 V 3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23
20,679En existencias
56,500En pedido
Cinta cortada
S/ 2.76
S/ 1.24
S/ 1.09
S/ 0.829
Envase tipo carrete
S/ 0.631
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 68 mOhms 12 V 1.5 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
39,379En existencias
114,000Se espera el 9/03/2028
Cinta cortada
S/ 3.19
S/ 1.44
S/ 1.27
S/ 0.969
Envase tipo carrete
S/ 0.747
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23
20,475En existencias
27,000Se espera el 1/04/2027
Cinta cortada
S/ 2.41
S/ 1.09
S/ 0.954
S/ 0.72
Envase tipo carrete
S/ 0.576
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 8 V 5.8 A 35 mOhms 8 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
26,202En existencias
Cinta cortada
S/ 3.58
S/ 1.64
S/ 1.44
S/ 1.11
Envase tipo carrete
S/ 0.86
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.16 A 47 mOhms 20 V 3 V 3 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23
61,931En existencias
18,000Se espera el 6/09/2027
Cinta cortada
S/ 3.39
S/ 1.54
S/ 1.36
S/ 1.04
Envase tipo carrete
S/ 0.802
S/ 0.701
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms 20 V 3 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
55,191En existencias
98,000En pedido
Cinta cortada
S/ 4.87
S/ 3.36
S/ 2.13
S/ 1.32
S/ 0.973
Envase tipo carrete
S/ 0.958
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31.8 mOhms 8 V 1 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23
13,841En existencias
12,000Se espera el 17/03/2028
Cinta cortada
S/ 6.38
S/ 3.01
S/ 2.69
S/ 2.11
S/ 2.10
Envase tipo carrete
S/ 1.68
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 150 V 690 mA 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
24,672En existencias
Cinta cortada
S/ 2.88
S/ 1.30
S/ 1.14
S/ 0.864
Envase tipo carrete
S/ 0.662
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 61 mOhms 8 V 1 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23
81En existencias
42,000Se espera el 21/06/2027
Cinta cortada
S/ 3.62
S/ 1.79
S/ 1.60
S/ 1.19
S/ 1.00
Envase tipo carrete
S/ 0.779
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 28 mOhms 20 V 2.5 V 4.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23
3,922En existencias
339,000En pedido
Cinta cortada
S/ 2.69
S/ 1.19
S/ 1.04
S/ 0.782
S/ 0.677
Envase tipo carrete
S/ 0.502
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 51 mOhms 12 V 1.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23
5,596En existencias
6,000Se espera el 21/10/2026
Cinta cortada
S/ 2.96
S/ 1.35
S/ 1.18
S/ 0.899
S/ 0.884
Envase tipo carrete
S/ 0.689
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.8 A 36 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23
51,000En pedido
Cinta cortada
S/ 3.15
S/ 1.73
S/ 1.48
S/ 1.10
S/ 0.969
Envase tipo carrete
S/ 0.751
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 34 mOhms 12 V 1.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
106En existencias
243,000En pedido
Cinta cortada
S/ 3.66
S/ 2.23
S/ 1.50
S/ 1.08
S/ 0.845
Envase tipo carrete
S/ 0.693
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 112 mOhms 8 V 400 mV 10 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
487En existencias
156,000En pedido
Cinta cortada
S/ 4.87
S/ 3.36
S/ 2.13
S/ 1.32
S/ 0.973
Envase tipo carrete
S/ 0.864
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 112 mOhms 8 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel