Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N045TATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
4,892En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N045TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N045TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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Cinta cortada

S/11.41

S/5.80

S/5.06

S/4.13

S/3.80

Envase tipo carrete

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1 Channel

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103 A

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3.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N005GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.27
3,698En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N005GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N005GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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Cinta cortada

S/19.27

S/9.96

S/9.07

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.43

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: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
4,768En existencias
Nuevo producto

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IAUZN04S7L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L012ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/7.82

S/3.74

S/3.35

S/2.84

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Envase tipo carrete

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1.8 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L030ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
20,000En existencias
Nuevo producto

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IAUZN04S7L030ATMA1

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726-IAUZN04S7L030ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/5.64

S/2.64

S/2.35

S/1.83

Ver

Envase tipo carrete

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1.8 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
4,539En existencias
Nuevo producto

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IAUZN10S7L289ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7L289ATM

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S/5.25

S/2.45

S/2.18

S/1.69

Envase tipo carrete

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Ver

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7N078ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
4,877En existencias
5,000Se espera el 1/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN10S7N078ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7N078ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/8.87

S/4.32

S/3.86

S/3.07

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Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N008AUMA1
Infineon Technologies
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17,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N008AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N008AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/12.65

S/6.31

S/5.80

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

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3 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
55,830En existencias
35,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L019ATMA1

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726-IAUCN04S7L019ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/6.54

S/3.10

S/2.76

S/2.17

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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1.5 V

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75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N005ATMA1
Infineon Technologies
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16,492En existencias
15,000Se espera el 18/03/2027

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IAUCN04S7N005ATMA1

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726-IAUCN04S7N005ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/13.43

S/6.85

S/6.03

S/4.98

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Envase tipo carrete

S/4.32

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TDSON-8

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- 20 V, 20 V

2.6 V

98 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N020ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
110,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N020ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/6.54

S/4.16

S/2.76

S/2.17

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Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

139 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N040HATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
937En existencias
Nuevo producto

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IAUCN04S7N040HATMA1

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726-IAUCN04S7N040HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/8.37

S/4.05

S/3.62

S/2.87

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Envase tipo carrete

S/2.39

Min.: 1
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PG-TDSON-8

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2 Channel

40 V

82 A

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3 V

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- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN08S7L033ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.20
1,581En existencias
5,000Se espera el 19/02/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7L033ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7L033ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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1,581En existencias

5,000Se espera el 19/02/2027

Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.52

S/3.59

Ver

Envase tipo carrete

S/3.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.85
160En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N006GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N006GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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Cinta cortada

S/16.85

S/8.80

S/7.98

S/6.66

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
878En existencias
5,000Se espera el 28/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L019ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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878En existencias

5,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/6.93

S/3.30

S/2.95

S/2.32

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Envase tipo carrete

S/1.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

1.9 mOhms

16 V

1.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
482En existencias
5,000Se espera el 9/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN08S7L177ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7L177ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

482En existencias

5,000Se espera el 9/09/2026

Cinta cortada

S/5.84

S/3.23

S/2.38

S/1.86

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Envase tipo carrete

S/1.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

35 A

17.7 mOhms

16 V

2 V

11.8 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7

IAUAN04S7N004AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.27
2,393En existencias
10,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N004AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N004AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7

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Hoja de datos

2,393En existencias

10,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/19.27

S/9.96

S/9.07

S/8.49

S/8.02

Envase tipo carrete

S/7.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-5

N-Channel

1 Channel

40 V

570 A

390 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N005AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.70
4,207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N005AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N005AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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4,207En existencias

Cinta cortada

S/16.70

S/8.52

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-1

N-Channel

1 Channel

40 V

455 A

510 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N006AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.38
1,081En existencias
2,000Se espera el 12/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N006AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N006AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,081En existencias

2,000Se espera el 12/08/2027

Cinta cortada

S/15.38

S/7.79

S/7.47

S/6.27

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-1

N-Channel

1 Channel

40 V

410 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N007AUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
1,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N007AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N007AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,505En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/6.73

S/6.11

S/5.22

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-2

N-Channel

1 Channel

40 V

330 A

720 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

149 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L006ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
2,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L006ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L006ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2,992En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/7.67

S/5.29

S/4.28

Ver

Envase tipo carrete

S/3.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

600 uOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L009ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.07
9,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L009ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L009ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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IAUCN04S7L014ATMA1
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L014ATMA1

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726-IAUCN04S7L014ATM

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IAUCN04S7L028ATMA1
Infineon Technologies
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13,362En existencias
20,000Se espera el 17/09/2026

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IAUCN04S7L028ATMA1

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726-IAUCN04S7L028ATM

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IAUCN04S7N012ATMA1
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16,533En existencias

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IAUCN04S7N012ATMA1

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726-IAUCN04S7N012ATM

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IAUCN04S7N015ATMA1
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IAUCN04S7N015ATMA1

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173 A

1.53 mOhms

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OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
79 A
82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
41 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
88 W
94 W
96 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W