Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ1922EEH-T1_GE3

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78-SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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S/1.36

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SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ208EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

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S/8.64

S/5.49

S/3.70

S/3.00

Envase tipo carrete

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- 55 C

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48 W

Enhancement

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ980AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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S/7.71

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SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

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Vishay / Siliconix
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N.º de artículo del Fabricante
SQ1912EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/3.04

S/1.89

S/1.22

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Envase tipo carrete

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Enhancement

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TrenchFET

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SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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127,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1922AEEH-T1_GE3

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78-SQ1922AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/1.88

S/1.21

S/0.926

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Vishay Semiconductors
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SQJB90EP-T1_GE3

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78-SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/8.14

S/5.22

S/3.50

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Vishay / Siliconix
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SQJQ910EL-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ868EP-T1_GE3

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78-SQJ868EP-T1_GE3

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SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
3,000Se espera el 30/07/2026

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SQJ202EP-T1_GE3

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78-SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/5.33

S/3.60

S/2.86

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+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.52
12,267En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ906E-T1_GE3

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S/6.66

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S/4.90

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4282EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.50
6,389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4282EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4282EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.11

S/4.16

S/3.30

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S/2.95

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SOIC-8

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3.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ844AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
5,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ844AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.45

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.97

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.74
2,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ904E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

S/16.74

S/11.02

S/7.75

S/7.01

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

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- 55 C

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75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

SQJB70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.15
25,232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB70EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

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S/6.15

S/3.88

S/2.58

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.61

Ver

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

11.3 A

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- 20 V, 20 V

3 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.94
5,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ262EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ262EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

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S/7.94

S/5.06

S/3.40

S/2.69

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A, 40 A

29.5 mOhms, 12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.5 nC, 14.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ960EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.16
2,338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ960EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ960EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

63 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.45
5,186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ946EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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5,186En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.42

S/2.26

S/1.76

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MouseReel Disponible

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15 A

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Vishay Semiconductors
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Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906EL-T1_GE3

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Fin de vida útil

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

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S/14.01

S/9.15

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3.6 mOhms, 3.6 mOhms

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187 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Vishay / Siliconix
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SQJQ900E-T1_GE3

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78-SQJQ900E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/14.09

S/8.87

S/6.42

S/5.22

S/5.18

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S/4.83

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: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.50
2,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ414EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

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S/6.50

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S/1.43

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.98
2,885En existencias

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SQJ740EP-T1_GE3

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78-SQJ740EP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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S/10.98

S/7.08

S/4.87

S/3.93

S/3.66

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S/3.46

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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48,741En existencias

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SQJB80EP-T1_GE3

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78-SQJB80EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.14
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SQJ912BEP-T1_GE3

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78-SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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S/5.22

S/3.50

S/2.78

S/2.55

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S/2.30

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

11 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ956EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.85
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SQJ956EP-T1_GE3

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78-SQJ956EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.28

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S/1.92

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

22.3 mOhms, 22.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
2.5 A, 3.57 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W