Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Vishay Semiconductor TrenchFET^® Gen III Power MOSFETs offer low on-resistance and on-resistance times gate charge in PowerPAK^® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The lower on-resistance and gate charge of TrenchFET Gen III Power MOSFETs translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology. Vishay Semiconductor TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.

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Resultados: 37

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR470DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.71
27,362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR470DP-T1-GE3

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781-SIR470DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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27,362En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.61

S/7.01

S/5.88

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

155 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4126DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.31
5,054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4126DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4126DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

5,054En existencias

Cinta cortada

S/13.31

S/8.68

S/6.03

S/4.90

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

2.75 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4134DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
9,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4134DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4134DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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9,871En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4160DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
18,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4160DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4160DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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18,142En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.39

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25.4 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4168DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
3,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4168DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4168DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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3,258En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

5.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V

SIR464DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.17
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR464DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR464DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V

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2,500En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.33

S/3.59

S/2.87

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7658ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.27
2,964En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7658ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7658ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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2,964En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/10.70

S/7.51

S/6.27

Envase tipo carrete

S/5.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 20V 7.5A

SIA4263DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.85
21,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA4263DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA4263DJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SC70 P-CH 20V 7.5A

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21,705En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.40

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

7.5 A

19.9 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

19.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.29 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR440DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.44
5,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR440DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR440DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/11.44

S/7.40

S/5.10

S/4.13

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.62

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.55 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS402DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.94
9,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS402DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS402DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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9,322En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.05

S/4.87

S/3.88

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.15 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR402DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
10,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR402DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR402DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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10,083En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.15 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR466DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
5,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR466DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR466DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

5,726En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR460DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.67
1,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR460DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR460DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

1,235En existencias

Cinta cortada

S/7.67

S/4.83

S/3.17

S/2.51

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ902DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.68
1,092En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ902DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ902DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Hoja de datos

1,092En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.53

S/3.73

S/3.01

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

16 A

12 mOhms, 6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

21 nC, 65 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 60A 83W

SIR438DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.17
1,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR438DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR438DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 60A 83W

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Hoja de datos

1,504En existencias

Cinta cortada

S/11.17

S/7.24

S/4.98

S/4.05

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 29.8W

SIR474DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.57
2,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR474DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR474DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 29.8W

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Hoja de datos

2,992En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.50

S/2.32

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

29.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

SIS5712DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.82
5,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS5712DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS5712DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

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Hoja de datos

5,097En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.65

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

55.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

39.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4174DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.41
8,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4174DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4174DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

8,805En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/3.39

S/2.24

S/1.75

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 14.3A

SI4153DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
20,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4153DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI453DY-Y1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 14.3A

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Hoja de datos

20,912En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.05

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

14.3 A

9.5 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7114ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.57
10,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7114ADN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Obtenga más información

Hoja de datos

10,682En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.50

S/2.32

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 50 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

SI7137DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.74
2,714En existencias
15,000Se espera el 30/07/2026

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SI7137DP-T1-GE3

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781-SI7137DP-GE3

Vishay Semiconductors

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S/6.23

S/5.06

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.67

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.95 mOhms

- 12 V, 12 V

1.4 V

390 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7716ADN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.36
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SI7716ADN-T1-GE3

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S/7.36

S/4.71

S/3.14

S/2.48

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.4 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR416DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
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SIR416DP-T1-GE3

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781-SIR416DP-GE3

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S/2.46

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SIS438DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.14
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SIS438DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIS438DN-GE3

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S/2.13

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S/1.22

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

20 V

16 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4154DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
14,551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4154DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4154DY-GE3

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Cinta cortada

S/7.82

S/5.06

S/3.50

S/2.87

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S/2.40

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

36 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7.5 A
10.9 A
12 A
14 A
14.3 A
16 A
17 A
18 A
19.3 A
20 A
24 A
25.4 A
30 A
30.5 A
35 A
36 A
39 A
40 A
46 A
50 A

1.55 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms
3.9 mOhms
4.7 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5.5 mOhms
5.7 mOhms
6 mOhms

7.5 nC
8 nC
12 nC
15.4 nC
19.8 nC
20 nC
21 nC
21 nC, 65 nC
23 nC
27 nC
31 nC
35 nC
41 nC
42 nC
44 nC
54 nC
65 nC
70 nC
90 nC
95 nC

3.1 W
3.29 W
5 W
5.7 W
6 W
6.5 W
7.8 W
10 W
27.7 W
29 W, 66 W
29.8 W
36 W
39 W
39.1 W
41.7 W
48 W
52 W
54 W
69 W
83 W