MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 30

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R045M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/52.67
617En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R045M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R045M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

617En existencias

Cinta cortada

S/52.67

S/32.07

S/31.65

S/29.74

Envase tipo carrete

S/25.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

47 A

45 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.50
368En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

368En existencias

S/25.50

S/19.27

S/16.54

S/15.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.63
323En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R060M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R060M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

323En existencias

Cinta cortada

S/39.63

S/22.07

S/20.75

S/20.47

Envase tipo carrete

S/16.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

36 A

83 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

181 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.89
240En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS

Fin de vida útil

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos

240En existencias

S/25.89

S/16.50

S/15.61

S/15.57

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.26
8,296En existencias
3,000Se espera el 4/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R450M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R450M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

8,296En existencias

3,000Se espera el 4/03/2027

Cinta cortada

S/28.26

S/15.10

S/13.86

S/13.12

Envase tipo carrete

S/13.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.7 kV

9.8 A

450 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.72
849En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R090M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R090M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

849En existencias

Cinta cortada

S/31.72

S/22.38

S/16.74

S/16.66

Envase tipo carrete

S/15.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

26 A

125 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R140M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.48
3,844En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R140M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R140M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

3,844En existencias

Cinta cortada

S/27.48

S/15.69

S/14.36

S/14.01

Envase tipo carrete

S/13.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

18 A

189 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

13.4 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.34
4,390En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

4,390En existencias

S/25.34

S/14.44

S/13.23

S/12.49

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

13 A

289 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.88
364En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

364En existencias

S/41.88

S/22.77

S/21.06

S/20.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.15
1,467En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R027M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,467En existencias

S/61.15

S/35.07

S/34.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

59 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/62.36
1,516En existencias
1,000Se espera el 28/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R030M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R030M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

1,516En existencias

1,000Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/62.36

S/37.13

Envase tipo carrete

S/35.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

56 A

41 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.94
2,502En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R220M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R220M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

2,502En existencias

Cinta cortada

S/26.94

S/14.29

S/13.55

S/12.03

Envase tipo carrete

S/10.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

13 A

294 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R350M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.74
950En existencias
1,000Se espera el 5/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R350M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R350M1HXT

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Hoja de datos

950En existencias

1,000Se espera el 5/10/2026

Cinta cortada

S/23.74

S/14.09

S/11.48

Envase tipo carrete

S/11.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

468 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

5.9 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.86
376En existencias
720Se espera el 4/11/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R090M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

376En existencias

720Se espera el 4/11/2026

S/36.86

S/20.01

S/18.45

S/16.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

26 A

117 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.19
314En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R072M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

314En existencias

S/32.19

S/18.29

S/16.85

S/16.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

26 A

94 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.47
473En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R107M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R107M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

473En existencias

S/29.47

S/15.45

S/14.21

S/13.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

20 A

142 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

75 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.67
313En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZA65R048M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R048M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

313En existencias

S/43.67

S/27.83

S/23.94

S/21.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

39 A

64 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.79
69En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R1K0M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R1K0M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

69En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/20.79

S/10.82

S/9.85

S/8.72

Envase tipo carrete

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.7 kV

5.2 A

1 Ohms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.91
57En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R650M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Obtenga más información

Hoja de datos

57En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/24.91

S/14.95

S/11.99

S/10.78

Envase tipo carrete

S/9.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.7 kV

7.4 A

650 mOhms

- 10 V, + 20 V

4.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/67.89
480Se espera el 8/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R030M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R030M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

480Se espera el 8/10/2026

S/67.89

S/46.17

S/38.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

56 A

40 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.61
142En existencias
240Se espera el 29/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R140M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R140M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

142En existencias

240Se espera el 29/10/2026

S/28.61

S/16.62

S/15.26

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

19 A

182 mOhms

- 7 V, + 23 V

3.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.29
472En existencias
240Se espera el 8/04/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

Hoja de datos

472En existencias

240Se espera el 8/04/2027

S/24.29

S/12.77

S/11.72

S/10.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

455 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/56.83
1,751En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R027M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R027M1HXKSA

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Hoja de datos

1,751En existencias

S/56.83

S/34.22

S/33.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

47 A

34 mOhms

- 5 V, + 23 V

5.7 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

IMZ120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.76
965En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R060M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos

965En existencias

S/44.76

S/23.98

S/22.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

36 A

78 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

IMZ120R350M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.83
197En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IMZ120R350M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZ120R350M1HXKS

NRND

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package

Hoja de datos

197En existencias

S/24.83

S/14.09

S/12.92

S/11.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

4.7 A

350 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ MOSFETs

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40 mOhms
41 mOhms
45 mOhms
64 mOhms
78 mOhms
83 mOhms
94 mOhms
117 mOhms
125 mOhms
142 mOhms
182 mOhms
189 mOhms
220 mOhms
289 mOhms
294 mOhms
350 mOhms
450 mOhms
455 mOhms
468 mOhms