Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID NFC reader for payment, consumer and industrial
ST25R3916B-BWLT
STMicroelectronics
1:
S/24.06
4,570 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST25R3916B-BWLT
STMicroelectronics
Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID NFC reader for payment, consumer and industrial
4,570 En existencias
1
S/24.06
10
S/18.41
25
S/17.05
100
S/15.49
250
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5,000
S/13.94
250
S/14.75
500
S/14.32
1,000
S/14.13
2,500
S/13.97
5,000
S/13.94
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Interfaz IC RS-232 Lo Power 2Drvr/2Rcvr
ST3222BTR
STMicroelectronics
1:
S/8.76
8,927 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST3222B
STMicroelectronics
Interfaz IC RS-232 Lo Power 2Drvr/2Rcvr
8,927 En existencias
1
S/8.76
10
S/6.93
25
S/5.92
100
S/5.29
2,500
S/4.52
5,000
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S/4.98
500
S/4.83
1,000
S/4.71
5,000
S/4.40
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Interfaz IC RS-232 Lo Power 2Drvr/2Rcvr
+2 imágenes
ST3222ECPR
STMicroelectronics
1:
S/10.59
1,127 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST3222ECP
STMicroelectronics
Interfaz IC RS-232 Lo Power 2Drvr/2Rcvr
1,127 En existencias
1
S/10.59
10
S/7.90
25
S/7.20
100
S/6.46
1,350
S/5.22
2,700
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S/6.11
500
S/5.99
2,700
S/5.18
4,050
S/5.06
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Interfaz IC RS-232 Transcvr 3Drvr/5Rcvr
ST3241ECPR
STMicroelectronics
1:
S/14.25
3,227 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST3241ECP
STMicroelectronics
Interfaz IC RS-232 Transcvr 3Drvr/5Rcvr
3,227 En existencias
1
S/14.25
10
S/11.56
25
S/10.51
100
S/9.50
1,350
S/7.86
2,700
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S/8.99
500
S/8.37
2,700
S/7.63
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Reguladores de tensión LDO 300mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5uAA quiescent current
ST732M50R
STMicroelectronics
1:
S/3.50
5,001 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST732M50R
STMicroelectronics
Reguladores de tensión LDO 300mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5uAA quiescent current
5,001 En existencias
1
S/3.50
10
S/2.55
25
S/2.22
100
S/1.95
250
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3,000
S/1.49
250
S/1.82
500
S/1.74
1,000
S/1.65
3,000
S/1.49
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
STB11NM60T4
STMicroelectronics
1:
S/22.03
906 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB11NM60
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
906 En existencias
1
S/22.03
10
S/11.52
100
S/10.51
500
S/9.42
1,000
S/8.72
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Administración de baterías Li-Ion linear battery charger with LDO and load switches
STBC03JR
STMicroelectronics
1:
S/14.56
3,891 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STBC03JR
STMicroelectronics
Administración de baterías Li-Ion linear battery charger with LDO and load switches
3,891 En existencias
1
S/14.56
10
S/10.98
25
S/10.08
100
S/9.11
250
Ver
3,000
S/7.43
250
S/8.64
500
S/8.56
1,000
S/8.14
3,000
S/7.43
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Circuitos de supervisión Overvolt Protection Thermal Shutdown
+1 imagen
STBP120CVDK6F
STMicroelectronics
1:
S/5.41
2,543 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STBP120CVDK6F
STMicroelectronics
Circuitos de supervisión Overvolt Protection Thermal Shutdown
2,543 En existencias
1
S/5.41
10
S/3.97
25
S/3.58
100
S/3.17
3,000
S/2.64
6,000
Ver
250
S/2.97
500
S/2.85
1,000
S/2.72
6,000
S/2.61
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD16N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.84
5,575 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD16N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
5,575 En existencias
1
S/8.84
10
S/4.20
100
S/3.34
500
S/2.83
1,000
S/2.70
2,500
S/2.54
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/8.02
5,733 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
5,733 En existencias
1
S/8.02
10
S/3.85
100
S/3.43
500
S/2.72
1,000
S/2.60
2,500
S/2.21
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
STD46P4LLF6
STMicroelectronics
1:
S/8.02
3,963 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD46P4LLF6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
3,963 En existencias
1
S/8.02
10
S/3.86
100
S/3.45
500
S/2.74
2,500
S/2.39
5,000
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1,000
S/2.62
5,000
S/2.22
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD4N90K5
STMicroelectronics
1:
S/10.04
3,505 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD4N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
3,505 En existencias
1
S/10.04
10
S/4.90
100
S/4.44
500
S/3.53
1,000
S/3.36
2,500
S/3.02
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Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración LSM6DSL adapter board for a standard DIL24 socket
STEVAL-MKI178V2
STMicroelectronics
1:
S/71.93
75 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STEVAL-MKI178V2
STMicroelectronics
Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración LSM6DSL adapter board for a standard DIL24 socket
75 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STF11NM80
STMicroelectronics
1:
S/30.32
861 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
861 En existencias
1
S/30.32
10
S/16.35
100
S/14.99
500
S/13.43
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
STF13N80K5
STMicroelectronics
1:
S/19.62
1,202 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF13N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
1,202 En existencias
1
S/19.62
10
S/10.16
100
S/9.23
500
S/7.51
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF23N80K5
STMicroelectronics
1:
S/25.38
780 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF23N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
780 En existencias
1
S/25.38
10
S/13.43
100
S/12.30
500
S/10.59
1,000
S/10.39
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF3LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/8.60
3,086 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF3LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
3,086 En existencias
1
S/8.60
10
S/5.49
100
S/3.68
500
S/2.98
1,000
Ver
1,000
S/2.67
2,000
S/2.37
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF40N65M2
STMicroelectronics
1:
S/25.18
915 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF40N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
915 En existencias
1
S/25.18
10
S/14.95
100
S/12.14
500
S/10.47
1,000
S/9.89
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
STGAP2SICSC
STMicroelectronics
1:
S/22.69
1,654 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGAP2SICSC
STMicroelectronics
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
1,654 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/22.69
10
S/17.32
25
S/15.03
100
S/14.36
250
Ver
250
S/13.74
500
S/12.88
800
S/12.77
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
STGD7NC60HT4
STMicroelectronics
1:
S/13.78
1,426 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD7NC60H
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
1,426 En existencias
1
S/13.78
10
S/8.95
100
S/6.19
500
S/5.14
1,000
S/4.79
2,500
S/4.44
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
360°
+6 imágenes
STGF7H60DF
STMicroelectronics
1:
S/8.10
4,858 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGF7H60DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
4,858 En existencias
1
S/8.10
10
S/5.10
100
S/3.34
500
S/2.65
1,000
Ver
1,000
S/2.35
2,000
S/2.15
4,000
S/2.07
10,000
S/1.99
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
STGIPN3H60A
STMicroelectronics
1:
S/35.50
466 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGIPN3H60A
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
466 En existencias
1
S/35.50
10
S/21.10
100
S/18.06
476
S/15.84
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
+1 imagen
STGW75M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/28.69
628 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW75M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
628 En existencias
1
S/28.69
10
S/16.47
100
S/13.78
600
S/12.65
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1:
S/20.59
907 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH240N10F7-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
907 En existencias
1
S/20.59
10
S/13.47
100
S/10.04
500
S/8.45
1,000
S/7.28
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
360°
+4 imágenes
STHU32N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/25.46
1,200 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STHU32N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
1,200 En existencias
1
S/25.46
10
S/13.94
100
S/12.73
600
S/11.25
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :600
Detalles
Perú