Bulk Transistores de RF

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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255En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W + 200 C 14 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 32 dBm + 150 C 9 dB Bulk


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
Hoja de datos
33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 175 W + 200 C 15 dB Bulk


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
Hoja de datos
71En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 30 dBm + 150 C 11 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 28 dBm + 150 C 12 dB Bulk


MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
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5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Si Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 20 dBm + 150 C 8 dB, 11 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 28 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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85En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
Central Semiconductor BFY90 PBFREE
Central Semiconductor Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) . .
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1,428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Through Hole Bipolar Si 500 MHz - 65 C + 200 C Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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503En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 230 MHz 150 W + 150 C 15 dB Bulk


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
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280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
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51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
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16En existencias
80Se espera el 21/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC244B Si 250 MHz 350 W - 65 C + 150 C 21 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
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20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 19 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 26.5 dBm + 150 C 11 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Hoja de datos
20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 30 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 30.5 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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2,799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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1,070En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Hoja de datos
51En existencias
200Se espera el 5/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
CEL CE3520K3
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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253En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk