.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tube MOSFETs de SiC

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 585

Filtros aplicados:

Empaquetado = Tube

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/146.20
187En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R007M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R007M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Obtenga más información

Hoja de datos

187En existencias

S/146.20

S/117.28

S/109.96

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade

AAR050V065H2
APC-E
1: S/28.53
270En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AAR050V065H2

N.º de artículo de Mouser
896-AAR050V065H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade

Obtenga más información

Hoja de datos

270En existencias

S/28.53

S/20.16

S/16.74

S/14.95

S/13.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade

AMR075V120H2
APC-E
1: S/27.13
268En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AMR075V120H2

N.º de artículo de Mouser
896-AMR075V120H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade

Obtenga más información

Hoja de datos

268En existencias

S/27.13

S/19.89

S/16.04

S/14.25

S/12.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27 A

98 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

151 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade

AAR075V120H2
APC-E
1: S/28.14
290En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AAR075V120H2

N.º de artículo de Mouser
896-AAR075V120H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade

Obtenga más información

Hoja de datos

290En existencias

S/28.14

S/21.02

S/16.97

S/15.06

S/13.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27 A

98 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

151 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade

AMR050V065H2
APC-E
1: S/28.18
288En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AMR050V065H2

N.º de artículo de Mouser
896-AMR050V065H2

Nuevo producto

APC-E

MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade

Obtenga más información

Hoja de datos

288En existencias

S/28.18

S/20.82

S/16.82

S/14.95

S/13.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 10 V, 25 V

4.2 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

CDMS24740-170 SL PBFREE
Central Semiconductor
1: S/153.95
27En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CDMS24740-170 SL PBFREE

N.º de artículo de Mouser
610-CDMS24740-170SL

Nuevo producto

Central Semiconductor

MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Obtenga más información

Hoja de datos

27En existencias

S/153.95

S/125.96

S/111.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

26 A

40 mOhms

20 V

2.4 V

- 55 C

+ 175 C

28 W

Depletion

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL025N065SC1
onsemi
1: S/70.73
1,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,292En existencias

S/70.73

S/56.32

S/51.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/94.67
799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

Obtenga más información

Hoja de datos

799En existencias

S/94.67

S/79.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

60 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

150 mW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

NVH4L025N065SC1
onsemi
1: S/98.67
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVH4L025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

428En existencias

S/98.67

S/80.03

S/77.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NVHL160N120SC1
onsemi
1: S/48.15
2,424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,424En existencias

S/48.15

S/29.78

S/27.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

DMWSH120H90SCT7Q
Diodes Incorporated
1: S/45.23
35En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMWSH120H90SCT7Q

N.º de artículo de Mouser
621-DMWSH120H90SCT7Q

Nuevo producto

Diodes Incorporated

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

Hoja de datos

35En existencias

S/45.23

S/30.28

S/25.53

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38.2 A

90 mOhms

- 4 V, + 15 V

3.5 V

54.6 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

DMWSH120H90SCT7
Diodes Incorporated
1: S/37.37
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMWSH120H90SCT7

N.º de artículo de Mouser
621-DMWSH120H90SCT7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

MOSFETs de SiC SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS

Obtenga más información

Hoja de datos

50En existencias

S/37.37

S/24.29

S/20.20

S/19.66

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38.2 A

90 mOhms

- 4 V, + 15 V

3.5 V

54.6 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

TM3B0020120A
Coherent
1: S/162.90
139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TM3B0020120A

N.º de artículo de Mouser
508-TM3B0020120

Coherent

MOSFETs de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

Obtenga más información

Hoja de datos

139En existencias

S/162.90

S/141.53

S/123.78

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

115 A

24.3 mOhms

- 20 V, + 20 V

2.8 V

172 nC

- 55 C

+ 200 C

660 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R035M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/131.10
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R035M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W120R035M1HXKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

Obtenga más información

Hoja de datos

274En existencias

S/131.10

S/100.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

35 mOhms

- 7 V, + 23 V

4.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

228 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R080M1XKSA1
Infineon Technologies
1: S/53.29
192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R080M1XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W120R080M1XKSA1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

Obtenga más información

Hoja de datos

192En existencias

S/53.29

S/38.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

80 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.7 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

150 mW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

SCT4013DRC15
ROHM Semiconductor
1: S/135.30
402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT4013DRC15

N.º de artículo de Mouser
755-SCT4013DRC15

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC

Obtenga más información

Hoja de datos

402En existencias

S/135.30

S/107.08

S/100.15

S/100.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

105 A

16.9 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

170 nC

+ 175 C

312 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L

NTH4L020N090SC1
onsemi
1: S/106.38
2,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

2,250En existencias

S/106.38

S/77.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

900 V

118 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

196 nC

- 55 C

+ 175 C

484 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R045M1XKSA1
Infineon Technologies
1: S/83.73
837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMW120R045M1XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMW120R045M1XKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

Obtenga más información

Hoja de datos

837En existencias

S/83.73

S/62.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

59 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.7 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

228 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC

SCT4026DEC11
ROHM Semiconductor
1: S/77.11
635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT4026DEC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT4026DEC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC

Obtenga más información

Hoja de datos

635En existencias

S/77.11

S/48.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

750 V

56 A

26 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

94 nC

+ 175 C

176 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

TW045N120C,S1F
Toshiba
1: S/110.00
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW045N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW045N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

131En existencias

S/110.00

S/81.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

TW060N120C,S1F
Toshiba
1: S/89.37
364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TW060N120C,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TW060N120CS1F

Toshiba

MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

364En existencias

S/89.37

S/62.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

SCT4062KEC11
ROHM Semiconductor
1: S/36.08
833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT4062KEC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT4062KEC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

Obtenga más información

Hoja de datos

833En existencias

S/36.08

S/30.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

26 A

81 mOhms

- 4 V, + 21 V

4.8 V

64 nC

+ 175 C

115 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0080
IXYS
1: S/73.96
4,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0080

N.º de artículo de Mouser
576-LSICMO120E0080

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,196En existencias

S/73.96

S/59.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

39 A

80 mOhms

- 5 V, + 20 V

2.8 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1

NTH4L040N120SC1
onsemi
1: S/77.38
1,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1

Obtenga más información

Hoja de datos

1,491En existencias

S/77.38

S/57.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

NTH4L060N065SC1
onsemi
1: S/37.25
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

430En existencias

S/37.25

S/28.06

S/25.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

EliteSiC

Tube MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

APM-16
D2PAK-7 (TO-263-7)
D3PAK-3
D3PAK-3 (TO-268-3)
HiP247-3
HiP-247-3
HIP247-4
HiP247-4
Hip247-4
HiP-247-4
ISO247-4
PG-TO-247-4
PG-TO247-4-U02
PG-TO247-4-U07
SMPD-B
STPAK-4
TO-220-3
TO-247-3
To-247-3
TO-247-3L

3.7 A
4.4 A
4.7 A
5 A
5.4 A
6 A
6.2 A
6.4 A
6.8 A
7 A
7.2 A
7.5 A
7.6 A
10 A
11 A
12 A
13 A
14 A
16 A
17 A

10.5 nC
5.9 mOhms
7 mOhms
8.5 mOhms
8.7 mOhms
9 mOhms
9.9 mOhms
11 mOhms
12 mOhms
13 mOhms
13.1 mOhms
14 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
16 mOhms
16.5 mOhms
16.9 mOhms
17 mOhms
17.6 mOhms
18 mOhms

- 25 V, + 25 V
- 20 V, + 20 V
- 18 V, + 18 V
- 15 V, + 25 V
- 12 V, + 12 V
- 10 V, + 25 V
- 10 V, + 19 V
- 10 V, + 20 V
- 10 V, + 21 V
- 10 V, + 22 V
- 10 V, + 23 V
- 10 V, + 25 V
- 10 V, 22.6 V
- 10 V, 25 V
-10 V, 22 V
- 8 V, + 19 V
- 8 V, + 22 C
- 8 V, + 22 V
- 7 V, + 20 V
- 7 V, + 23 V

1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.4 V
2.45 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V
2.9 V
2.97 V
3 V
3.1 V
3.13 V
3.22 V
3.25 V
3.37 V

5.3 nC
5.5 nC
8.1 nC
8.5 nC
11 nC
11.7 nC
13 nC
14 nC
14.9 nC
15 nC
18 nC
19 nC
21 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25.7 nC
27 nC
27.5 nC
28 nC

150 mW
28 W
35 W
40.8 W
50 W
60 W
63 W
64 W
65 W
65.2 W
68 W
70 W
74 W
75 W
75.3 W
76 W
85 W
86 W
88 W
90 W