.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

onsemi MOSFETs de SiC

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 217

Filtros aplicados:

Fabricante = onsemi

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

NTH4L020N090SC1
onsemi
1: S/104.09
2,252En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Obtenga más información

Hoja de datos

2,252En existencias

S/104.09

S/71.15

S/68.12

S/68.08

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

900 V

118 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

196 nC

- 55 C

+ 175 C

484 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7

UJ4SC075009B7S
onsemi
1: S/127.91
688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075009B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075009B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7

Obtenga más información

Hoja de datos

688En existencias

Cinta cortada

S/127.91

S/103.23

S/97.04

Envase tipo carrete

S/94.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

106 A

9 mOhms

- 20 V, + 20 V

5.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7

UJ4SC075018B7S
onsemi
1: S/82.75
1,247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4SC075018B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4SC075018B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7

Obtenga más información

Hoja de datos

1,247En existencias

Cinta cortada

S/82.75

S/59.52

S/58.23

Envase tipo carrete

S/54.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

72 A

18 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

259 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL025N065SC1
onsemi
1: S/60.18
1,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

Obtenga más información

Hoja de datos

1,292En existencias

S/60.18

S/50.06

S/48.85

S/45.46

S/45.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L

NVH4L025N065SC1
onsemi
1: S/87.08
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVH4L025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

428En existencias

S/87.08

S/73.30

S/67.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NVHL160N120SC1
onsemi
1: S/48.81
2,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,549En existencias

S/48.81

S/29.78

S/25.34

S/24.80

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

NTBG025N065SC1
onsemi
1: S/79.80
1,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,263En existencias

Cinta cortada

S/79.80

S/57.34

S/55.70

S/52.20

Envase tipo carrete

S/45.50

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

106 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL060N065SC1
onsemi
1: S/36.75
569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

Obtenga más información

Hoja de datos

569En existencias

S/36.75

S/24.91

S/22.15

S/22.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO247-4

UF4SC120023K4S
onsemi
1: S/81.51
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF4SC120023K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF4SC120023K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO247-4

Obtenga más información

Hoja de datos

768En existencias

S/81.51

S/57.34

S/57.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

53 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

NTH4L075N065SC1
onsemi
1: S/29.39
776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L075N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L075N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Obtenga más información

Hoja de datos

776En existencias

S/29.39

S/21.02

S/20.20

S/19.42

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

85 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263-7

UJ4C075023B7S
onsemi
1: S/70.34
812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075023B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075023B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263-7

Obtenga más información

Hoja de datos

812En existencias

Cinta cortada

S/70.34

S/50.10

S/47.29

Envase tipo carrete

S/47.25

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

64 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263-7

UJ4C075033B7S
onsemi
1: S/55.31
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075033B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075033B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263-7

Obtenga más información

Hoja de datos

490En existencias

Cinta cortada

S/55.31

S/38.85

S/34.68

S/34.64

Envase tipo carrete

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

44 A

41 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L060N065SC1
onsemi
1: S/32.85
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

430En existencias

S/32.85

S/24.17

S/23.51

S/22.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

UF3C065040K3S
onsemi
1: S/70.77
1,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,295En existencias

S/70.77

S/44.22

S/39.08

S/39.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

42 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL045N065SC1
onsemi
1: S/53.09
1,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

Obtenga más información

Hoja de datos

1,824En existencias

S/53.09

S/35.38

S/26.86

S/26.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

66 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

291 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3

UF4C120053K3S
onsemi
1: S/58.85
678En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF4C120053K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF4C120053K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

678En existencias

S/58.85

S/36.12

S/30.71

S/30.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

67 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

263 W

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C065040K4S
onsemi
1: S/61.23
3,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

Obtenga más información

Hoja de datos

3,300En existencias

S/61.23

S/39.82

S/39.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG015N065SC1
onsemi
1: S/93.30
3,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

Obtenga más información

Hoja de datos

3,923En existencias

Cinta cortada

S/93.30

S/81.55

S/80.30

S/68.43

Envase tipo carrete

S/67.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

145 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

NTH4L040N120SC1
onsemi
1: S/68.78
1,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,511En existencias

S/68.78

S/52.59

S/49.71

S/49.67

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

NTBG040N120SC1
onsemi
1: S/71.15
1,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,014En existencias

Cinta cortada

S/71.15

S/60.06

S/59.48

S/53.79

Envase tipo carrete

S/51.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NVHL020N120SC1
onsemi
1: S/160.45
996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

996En existencias

S/160.45

S/135.19

S/135.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

103 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC 60MOHM

NVHL060N090SC1
onsemi
1: S/53.83
265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVHL060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NVHL060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 60MOHM

Obtenga más información

Hoja de datos

265En existencias

S/53.83

S/40.21

S/39.08

S/38.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

EliteSiC

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C120080B7S
onsemi
1: S/69.95
781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

Obtenga más información

Hoja de datos

781En existencias

Cinta cortada

S/69.95

S/49.79

S/46.94

Envase tipo carrete

S/43.83

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28.8 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247-4

UJ4C075018K4S
onsemi
1: S/83.61
650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075018K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075018K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247-4

Obtenga más información

Hoja de datos

650En existencias

S/83.61

S/53.99

S/49.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

750 V

81 A

23 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-3

UJ4C075023K3S
onsemi
1: S/44.88
595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ4C075023K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ4C075023K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

595En existencias

S/44.88

S/26.90

S/21.60

S/21.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

750 V

66 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

306 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

onsemi MOSFETs de SiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.9 A
7.6 A
17 A
17.3 A
18.4 A
19.5 A
25 A
25.7 A
25.8 A
27 A
27.5 A
27.8 A
28 A
28.8 A
29 A
30 A
31 A
33 A
34 A
34.5 A

5 mOhms
5.9 mOhms
8 mOhms
9 mOhms
10.7 mOhms
11 mOhms
12 mOhms
16.8 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
19 mOhms
20 mOhms
21 mOhms
23 mOhms
23.4 mOhms
23.5 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
28.5 mOhms
29 mOhms

20 nC
22.5 nC
23 nC
23.1 nC
25.7 nC
27.5 nC
30 nC
33.8 nC
34 nC
37.8 nC
43 nC
46 nC
47.9 nC
49 nC
50 nC
51 nC
55 nC
56 nC
57 nC
58 nC

64 W
65.2 W
74 W
88 W
100 W
110 W
111 W
115 W
119 W
121 W
128 W
129 W
136 W
136.4 W
139 W
148 W
155 W
160 W
163 W
166.7 W