.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

X-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 36

Filtros aplicados:

Serie = X-Class

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFH20N85X
IXYS
1: S/41.65
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

297En existencias

S/41.65

S/24.06

S/21.60

S/20.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFT50N85XHV
IXYS
1: S/58.04
278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT50N85XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT50N85XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

278En existencias

S/58.04

S/45.39

S/42.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

850 V

50 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET

IXTH64N65X
IXYS
1: S/63.84
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH64N65X

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH64N65X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3En existencias

S/63.84

S/49.40

S/42.70

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

IXFX52N100X
IXYS
1: S/134.80
195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX52N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

195En existencias

S/134.80

S/96.11

S/91.51

S/86.92

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

52 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET

IXFT26N100XHV
IXYS
1: S/75.90
140En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT26N100XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT26N100XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

140En existencias

S/75.90

S/51.15

S/48.15

S/46.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-268-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

8 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

860 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET

IXTH20N65X
IXYS
1: S/43.05
267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH20N65X

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH20N65X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

267En existencias

S/43.05

S/33.67

S/28.03

S/24.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

IXFT32N100XHV
IXYS
1: S/96.42
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT32N100XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT32N100XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

257En existencias

S/96.42

S/59.75

S/59.40

S/57.45

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFP20N85X
IXYS
1: S/36.63
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

238En existencias

S/36.63

S/20.24

S/17.17

S/16.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

IXFH32N100X
IXYS
1: S/91.24
494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

494En existencias

S/91.24

S/58.15

S/53.87

S/53.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFK50N85X
IXYS
1: S/75.13
371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK50N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK50N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

371En existencias

S/75.13

S/48.03

S/47.99

S/42.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

850 V

50 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/14A UlJun XCl

IXFP14N85XM
IXYS
1: S/29.47
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP14N85XM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP14N85XM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/14A UlJun XCl

Obtenga más información

Hoja de datos

19En existencias

S/29.47

S/16.08

S/14.71

S/12.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFA20N85XHV
IXYS
1: S/37.21
32En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA20N85XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA20N85XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

32En existencias

S/37.21

S/20.59

S/18.92

S/16.85

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

850 V

20 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD

IXFH14N85X
IXYS
1: S/37.64
244Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD

Obtenga más información

Hoja de datos

244Se espera el 28/08/2026

S/37.64

S/25.42

S/20.32

S/19.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2

IXFA4N85X
IXYS
1: S/19.97
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA4N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA4N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/19.97

S/10.94

S/9.93

S/8.91

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET

IXFA8N85XHV
IXYS
300: S/18.68
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA8N85XHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA8N85XHV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/18.68

S/18.18

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

850 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET

IXFB70N100X
IXYS
300: S/139.35
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB70N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB70N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/139.35

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

70 A

89 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

350 nC

- 55 C

+ 150 C

1.785 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/90A Ultra Junction X-Class

IXFB90N85X
IXYS
300: S/120.04
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFB90N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB90N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/90A Ultra Junction X-Class

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/120.04

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

850 V

90 A

41 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

340 nC

- 55 C

+ 150 C

1.785 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET

IXFH26N100X
IXYS
1: S/76.80
Plazo de entrega 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 27 Semanas

S/76.80

S/48.23

S/43.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

8 A

320 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

860 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD

IXFH30N85X
IXYS
300: S/29.23
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/29.23

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

30 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

695 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass ISO247

IXFJ20N85X
IXYS
300: S/34.92
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFJ20N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFJ20N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass ISO247

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/34.92

S/33.05

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

850 V

9.5 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52A 1000V POWER MOSFET

IXFK52N100X
IXYS
300: S/89.68
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK52N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52A 1000V POWER MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/89.68

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

52 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

IXFK66N85X
IXYS
300: S/77.23
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK66N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK66N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/77.23

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

850 V

66 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP

IXFP14N85X
IXYS
300: S/14.71
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP14N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP14N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/14.71

S/14.29

Min.: 300
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

14 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP

IXFP4N85X
IXYS
1: S/19.70
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP4N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP4N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/19.70

S/10.28

S/9.30

S/8.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

3.5 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET

IXFP4N85XM
IXYS
1: S/16.70
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP4N85XM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP4N85XM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/16.70

S/8.56

S/7.75

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

850 V

3.5 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

X-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte