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U-MOSVIII-H Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 108

Filtros aplicados:

Nombre comercial = U-MOSVIII-H

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V

TK100A08N1,S4X
Toshiba
1: S/21.33
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK100A08N1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK100A08N1S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/21.33

S/14.71

S/9.77

S/8.29

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch PWR FET 80A 103W 37nC

TK46E08N1,S1X
Toshiba
1: S/7.86
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK46E08N1,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK46E08N1S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch PWR FET 80A 103W 37nC

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/7.86

S/3.81

S/3.05

S/2.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

37 nC

103 W

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V

TK65A10N1,S4X
Toshiba
1: S/15.49
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK65A10N1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK65A10N1S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/15.49

S/7.94

S/7.16

S/5.88

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

65 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh3.7ohm VGS10V10uAVDS120V

TK72A12N1,S4X
Toshiba
1: S/16.39
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK72A12N1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK72A12N1S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh3.7ohm VGS10V10uAVDS120V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/16.39

S/8.41

S/7.59

S/6.27

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

120 V

72 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV

TPH1110ENH,L1Q
Toshiba
5,000: S/2.42
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPH1110ENH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1110ENHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.42

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

200 V

13 A

96 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W

TPH8R008NH,L1Q
Toshiba
1: S/9.19
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPH8R008NH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH8R008NHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.05

S/3.22

Ver

Envase tipo carrete

S/2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

80 V

63 A

8 mOhms

35 nC

61 W

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

TPN14006NH,L1Q
Toshiba
5,000: S/1.28
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPN14006NH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN14006NHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.28

S/1.23

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

60 V

33 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPW5200FNH,L1Q
Toshiba
5,000: S/4.67
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TPW5200FNH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW5200FNHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.67

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

250 V

27 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22 nC

+ 150 C

142 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel

U-MOSVIII-H Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 A
3.5 A
6 A
7 A
9.9 A
10 A
11 A
13 A
15 A
18 A
19 A
21 A
22 A
25 A
26 A
27 A
29 A
30 A
31 A
32 A

1 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.8 mOhms
4 mOhms
4.3 mOhms
4.4 mOhms
4.5 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
5.2 mOhms

3.1 nC
3.2 nC
7 nC
7.1 nC
7.5 nC
9.3 nC
9.8 nC
10 nC
10.6 nC
11 nC
11.2 nC
12 nC
14.8 nC
15 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
21 nC
22 nC

1 W
1.2 W
1.25 W
1.4 W
1.6 W
1.9 W
18 W
19 W
21 W
22 W
24 W
25 W
27 W
30 W
32 W
34 W
35 W
36 W
39 W
40 W