Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh6.8ohm VGS10V10uAVDS100V
TK40A10N1,S4X
Toshiba
1:
S/11.05
180 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK40A10N1S4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh6.8ohm VGS10V10uAVDS100V
180 En existencias
1
S/11.05
10
S/5.53
100
S/5.25
500
S/4.13
1,000
S/3.61
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
6.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
49 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC
TK40E06N1,S1X
Toshiba
1:
S/6.93
1,404 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK40E06N1S1X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC
1,404 En existencias
1
S/6.93
10
S/3.23
100
S/3.02
500
S/2.61
1,000
Ver
1,000
S/1.98
5,000
S/1.81
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
60 A
10.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
67 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N0Ch PWR FET 90A 126W 3000pF
TK40E10N1,S1X
Toshiba
1:
S/12.11
159 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK40E10N1S1X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N0Ch PWR FET 90A 126W 3000pF
159 En existencias
1
S/12.11
10
S/5.68
100
S/5.57
500
S/4.05
1,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
8.2 mOhms
- 20 V, 20 V
126 W
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V
TK42A12N1,S4X
Toshiba
1:
S/8.72
379 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK42A12N1S4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V
379 En existencias
1
S/8.72
10
S/4.36
100
S/4.05
500
S/3.12
1,000
Ver
1,000
S/2.69
5,000
S/2.60
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
120 V
42 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC
TK42E12N1,S1X
Toshiba
1:
S/8.29
140 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK42E12N1S1X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC
140 En existencias
1
S/8.29
10
S/4.09
100
S/4.01
500
S/2.92
1,000
Ver
1,000
S/2.48
5,000
S/2.36
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
120 V
88 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 6.9ohm VGS10V10uAVDS80V
TK46A08N1,S4X
Toshiba
1:
S/7.01
344 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK46A08N1S4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 6.9ohm VGS10V10uAVDS80V
344 En existencias
1
S/7.01
10
S/3.36
100
S/3.23
500
S/2.33
1,000
Ver
1,000
S/2.00
5,000
S/1.84
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
80 V
46 A
6.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
TK56E12N1,S1X
Toshiba
1:
S/10.90
59 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK56E12N1S1X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
59 En existencias
1
S/10.90
10
S/5.41
100
S/4.87
500
S/3.74
1,000
Ver
1,000
S/3.29
5,000
S/3.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
120 V
112 A
5.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
168 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/10.63
100 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
100 En existencias
1
S/10.63
10
S/6.89
100
S/4.75
500
S/3.84
1,000
S/3.79
2,000
S/3.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
65 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch PWR FET 157A 192W 81nC
TK72E08N1,S1X
Toshiba
1:
S/14.01
130 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK72E08N1S1X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch PWR FET 157A 192W 81nC
130 En existencias
1
S/14.01
10
S/7.05
100
S/6.62
500
S/5.14
1,000
S/4.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
157 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
81 nC
192 W
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044
TK72E12N1,S1X
Toshiba
1:
S/13.35
649 En existencias
600 Se espera el 20/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK72E12N1S1X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 179A 225W UMOSVIII 130nC .0044
649 En existencias
600 Se espera el 20/02/2026
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
120 V
179 A
4.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
130 nC
+ 150 C
255 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
1:
S/11.33
218 En existencias
2,000 Se espera el 20/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK90S06N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
218 En existencias
2,000 Se espera el 20/02/2026
1
S/11.33
10
S/7.40
100
S/5.14
500
S/4.28
2,000
S/3.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
5.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
81 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
TPH12008NH,L1Q
Toshiba
1:
S/6.07
2,126 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH12008NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
2,126 En existencias
1
S/6.07
10
S/3.84
100
S/2.57
500
S/2.02
5,000
S/1.49
10,000
Ver
1,000
S/1.79
2,500
S/1.69
10,000
S/1.46
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
N-Channel
1 Channel
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
TPH14006NH,L1Q
Toshiba
1:
S/6.46
568 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH14006NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
568 En existencias
1
S/6.46
10
S/4.13
100
S/2.75
500
S/2.23
5,000
S/1.62
10,000
Ver
1,000
S/1.97
2,500
S/1.93
10,000
S/1.60
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
60 V
34 A
11 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Single
TPH2R608NH,L1Q
Toshiba
1:
S/7.67
12 En existencias
25,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-TPH2R608NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Single
12 En existencias
25,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
12 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 11/05/2026
20,000 Se espera el 15/06/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
S/7.67
10
S/5.14
100
S/3.48
500
S/2.77
1,000
S/2.62
5,000
S/2.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
75 V
168 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
142 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
TPH4R003NL,L1Q
Toshiba
1:
S/5.96
2,864 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH4R003NLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
2,864 En existencias
1
S/5.96
10
S/3.81
100
S/2.61
500
S/2.08
5,000
S/1.53
10,000
Ver
1,000
S/1.85
2,500
S/1.82
10,000
S/1.51
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
30 V
68 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
14.8 nC
+ 150 C
36 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 150V 64mOhm (VGS=10V) SOP-ADV
TPH5900CNH,L1Q
Toshiba
1:
S/5.84
3,195 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH5900CNHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 150V 64mOhm (VGS=10V) SOP-ADV
3,195 En existencias
1
S/5.84
10
S/3.69
100
S/2.49
500
S/1.98
5,000
S/1.45
10,000
Ver
1,000
S/1.74
2,500
S/1.72
10,000
S/1.42
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
150 V
18 A
50 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
TPH6R30ANL,L1Q
Toshiba
1:
S/6.50
1,307 En existencias
5,000 Se espera el 16/03/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TPH6R30ANLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
1,307 En existencias
5,000 Se espera el 16/03/2026
1
S/6.50
10
S/4.20
100
S/2.79
500
S/2.20
5,000
S/1.63
10,000
Ver
1,000
S/1.99
2,500
S/1.95
10,000
S/1.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
100 V
66 A
5.1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
54 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
TPH8R903NL,LQ
Toshiba
1:
S/5.37
1,589 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH8R903NLLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
1,589 En existencias
1
S/5.37
10
S/3.37
100
S/2.23
500
S/1.84
3,000
S/1.42
6,000
Ver
1,000
S/1.68
6,000
S/1.32
9,000
S/1.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
38 A
10.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
9.8 nC
- 55 C
+ 150 C
24 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
TPN11006NL,LQ
Toshiba
1:
S/5.64
618 En existencias
6,000 Se espera el 15/06/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TPN11006NLLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET
618 En existencias
6,000 Se espera el 15/06/2026
1
S/5.64
10
S/3.49
100
S/2.34
500
S/1.98
3,000
S/1.55
6,000
Ver
1,000
S/1.82
6,000
S/1.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
37 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
TPN8R903NL,LQ
Toshiba
1:
S/2.34
14 En existencias
15,000 Se espera el 16/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TPN8R903NLLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
14 En existencias
15,000 Se espera el 16/02/2026
1
S/2.34
10
S/1.95
100
S/1.42
3,000
S/1.19
6,000
S/1.17
9,000
S/1.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
37 A
10.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
9.8 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPW2R508NH,L1Q
Toshiba
1:
S/12.46
20 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW2R508NHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
20 En existencias
1
S/12.46
10
S/8.10
100
S/5.64
500
S/4.79
1,000
Ver
5,000
S/3.89
1,000
S/4.67
2,500
S/4.63
5,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
1 Channel
75 V
170 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
72 nC
+ 150 C
142 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
SSM6K361NU,LF
Toshiba
1:
S/2.53
123,000 Se espera el 6/03/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K361NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
123,000 Se espera el 6/03/2026
1
S/2.53
10
S/1.56
100
S/1.08
500
S/0.821
3,000
S/0.611
6,000
Ver
1,000
S/0.724
6,000
S/0.553
9,000
S/0.498
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
UDFN-6
N-Channel
1 Channel
100 V
3.5 A
51 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
3.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
TK56A12N1,S4X
Toshiba
1:
S/12.18
1,700 Se espera el 15/05/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK56A12N1S4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
1,700 Se espera el 15/05/2026
1
S/12.18
10
S/6.19
100
S/5.64
500
S/5.41
1,000
Ver
1,000
S/4.63
2,500
S/4.09
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
120 V
56 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
TK30E06N1,S1X
Toshiba
1:
S/6.27
890 Se espera el 13/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK30E06N1S1X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
890 Se espera el 13/02/2026
1
S/6.27
10
S/2.65
100
S/2.35
500
S/2.02
1,000
Ver
1,000
S/1.78
2,500
S/1.77
5,000
S/1.64
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
43 A
15 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 3.7ohm VGS10V10uAVDS80V
TK72A08N1,S4X
Toshiba
1:
S/13.16
200 Se espera el 10/02/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK72A08N1S4X
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 3.7ohm VGS10V10uAVDS80V
200 Se espera el 10/02/2026
1
S/13.16
10
S/6.62
100
S/5.96
500
S/4.87
1,000
S/4.36
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
80 V
72 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
81 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
U-MOSVIII-H
Tube
Perú