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U-MOSVIII-H Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 108

Filtros aplicados:

Nombre comercial = U-MOSVIII-H

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TPH5200FNH,L1Q
Toshiba
1: S/14.36
8,786En existencias
10,000Se espera el 17/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH5200FNH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH5200FNHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

8,786En existencias

10,000Se espera el 17/02/2026

Cinta cortada

S/14.36

S/9.38

S/6.58

S/5.76

Envase tipo carrete

S/4.71

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

250 V

26 A

44 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V

TPH6400ENH,L1Q
Toshiba
1: S/9.23
7,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH6400ENH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH6400ENHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V

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Hoja de datos

7,315En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/6.07

S/4.24

S/3.37

Ver

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

200 V

13 A

54 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11.2 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

TPN1110ENH,L1Q
Toshiba
1: S/8.45
4,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN1110ENH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN1110ENHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

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Hoja de datos

4,985En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.57

S/3.73

S/3.01

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

200 V

13 A

96 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

TPN1600ANH,L1Q
Toshiba
1: S/5.41
9,336En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN1600ANH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN1600ANHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

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Hoja de datos

9,336En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/3.41

S/2.26

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

36 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

TPN2010FNH,L1Q
Toshiba
1: S/8.60
4,138En existencias
5,000Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPN2010FNH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN2010FNHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

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Hoja de datos

4,138En existencias

5,000Se espera el 15/06/2026

Cinta cortada

S/8.60

S/5.61

S/3.82

S/3.08

Ver

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

9.9 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

TPN30008NH,LQ
Toshiba
1: S/6.42
11,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN30008NH,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPN30008NHLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

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Hoja de datos

11,571En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.09

S/2.72

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
1: S/2.45
7,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K341TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

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Comentarios de Producto

7,347En existencias

Cinta cortada

S/2.45

S/1.59

S/1.06

S/0.81

Envase tipo carrete

S/0.537

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 175 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: S/2.76
829En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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Comentarios de Producto

829En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/2.76

S/1.71

S/1.11

S/0.849

Envase tipo carrete

S/0.619

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V

TP89R103NL,LQ
Toshiba
1: S/4.79
1,385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP89R103NL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TP89R103NLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V

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Hoja de datos

1,385En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/3.11

S/2.08

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V

TK100A06N1,S4X
Toshiba
1: S/15.57
124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100A06N1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK100A06N1S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V

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Hoja de datos

124En existencias

S/15.57

S/7.94

S/7.20

S/5.76

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V

TK100A10N1,S4X
Toshiba
1: S/21.84
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100A10N1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK100A10N1S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V

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Hoja de datos

141En existencias

S/21.84

S/11.52

S/10.74

S/8.72

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA

TK100E06N1,S1X
Toshiba
1: S/15.61
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100E06N1,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK100E06N1S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA

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Hoja de datos

150En existencias

S/15.61

S/7.98

S/7.24

S/5.80

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

263 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A

TK100E08N1,S1X
Toshiba
1: S/21.25
198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100E08N1,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK100E08N1S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A

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Hoja de datos

198En existencias

S/21.25

S/10.70

S/8.72

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

214 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A

TK100E10N1,S1X
Toshiba
1: S/18.49
233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100E10N1,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK100E10N1S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A

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Hoja de datos

233En existencias

S/18.49

S/9.77

S/9.69

S/8.72

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1 Channel

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK11S10N1L,LQ
Toshiba
1: S/4.09
2,393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11S10N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK11S10N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,393En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.96

S/2.00

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V

TK22A10N1,S4X
Toshiba
1: S/8.64
276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK22A10N1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK22A10N1S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V

Obtenga más información

Hoja de datos

276En existencias

S/8.64

S/4.20

S/3.89

S/2.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

22 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS

TK22E10N1,S1X
Toshiba
1: S/8.21
314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK22E10N1,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK22E10N1S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS

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Hoja de datos

314En existencias

S/8.21

S/4.32

S/4.09

S/2.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V

TK32A12N1,S4X
Toshiba
1: S/8.06
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK32A12N1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK32A12N1S4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V

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Hoja de datos

47En existencias

S/8.06

S/4.01

S/3.59

S/2.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

TK32E12N1,S1X
Toshiba
1: S/9.19
155En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK32E12N1,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK32E12N1S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

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Hoja de datos

155En existencias

S/9.19

S/4.44

S/4.13

S/3.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

60 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK33S10N1L,LQ
Toshiba
1: S/10.47
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK33S10N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

998En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.73

S/4.63

S/3.72

Envase tipo carrete

S/3.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK

TK33S10N1Z,LQ
Toshiba
1: S/6.34
61En existencias
2,000Se espera el 10/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK33S10N1Z,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

61En existencias

2,000Se espera el 10/02/2026

Cinta cortada

S/6.34

S/4.44

S/3.42

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS

TK34E10N1,S1X
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TK34E10N1,S1X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC

TK35E08N1,S1X
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 8.4ohm VGS10V10uAVDS60V

TK40A06N1,S4X
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U-MOSVIII-H Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1.1 mOhms
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2.2 mOhms
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2.6 mOhms
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7.1 nC
7.5 nC
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22 nC

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1.4 W
1.6 W
1.9 W
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30 W
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35 W
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