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Tube Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 4,965

Filtros aplicados:

Empaquetado = Tube

Fabricante

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/22.85
411En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

Hoja de datos

411En existencias

S/22.85

S/18.29

S/14.79

S/13.12

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

84 A

28 mOhms

30 V

4.2 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: S/32.00
299En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N035M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

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Hoja de datos

299En existencias

S/32.00

S/23.28

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

30 V

62 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

321 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

iS20M028S1P
iDEAL Semiconductor
1: S/16.47
2,102En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS20M028S1P

N.º de artículo de Mouser
25-IS20M028S1P

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

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2,102En existencias

S/16.47

S/10.78

S/8.06

S/7.16

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

40 A

25 mOhms

20 V

4.1 V

26.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SuperQ

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

SIHG80N60E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/53.48
1,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG80N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG80N60E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

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Hoja de datos

1,901En existencias

S/53.48

S/39.55

S/34.14

S/32.35

S/30.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

295 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET

FDPF20N50T
onsemi
1: S/19.03
7,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDPF20N50T

N.º de artículo de Mouser
512-FDPF20N50T

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET

Hoja de datos

7,438En existencias

S/19.03

S/9.89

S/8.76

S/7.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

59.5 nC

- 55 C

+ 150 C

38.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET

FQA8N100C
onsemi
1: S/18.84
10,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQA8N100C

N.º de artículo de Mouser
512-FQA8N100C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET

Hoja de datos

10,888En existencias

S/18.84

S/14.21

S/11.83

S/11.41

S/11.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

8 A

1.45 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

225 W

Enhancement

QFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD

IXTX1R4N450HV
IXYS
1: S/230.24
273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX1R4N450HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX1R4N450HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD

Hoja de datos

273En existencias

S/230.24

S/207.94

S/207.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

4.5 kV

1.4 A

40 Ohms

- 20 V, 20 V

6 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

NTHL050N65S3HF
onsemi
1: S/59.59
1,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL050N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL050N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

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Hoja de datos

1,908En existencias

S/59.59

S/36.59

S/35.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

378 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET

FDA59N25
onsemi
1: S/17.71
16,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDA59N25

N.º de artículo de Mouser
512-FDA59N25

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET

Hoja de datos

16,463En existencias

S/17.71

S/9.69

S/8.02

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

250 V

59 A

49 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

392 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

FDH44N50
onsemi
1: S/40.29
6,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDH44N50

N.º de artículo de Mouser
512-FDH44N50

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS

Hoja de datos

6,774En existencias

S/40.29

S/23.90

S/21.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

44 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

750 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE

FDPF12N60NZ
onsemi
1: S/9.89
13,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDPF12N60NZ

N.º de artículo de Mouser
512-FDPF12N60NZ

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE

Hoja de datos

13,277En existencias

S/9.89

S/6.03

S/4.83

S/4.32

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

39 W

Enhancement

UniFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

IXTP120N20X4
IXYS
1: S/36.94
726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP120N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP120N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

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Hoja de datos

726En existencias

S/36.94

S/19.97

S/18.76

S/17.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

120 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

FCH190N65F-F155
onsemi
1: S/28.03
6,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH190N65F-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH190N65F_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea

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Hoja de datos

6,021En existencias

S/28.03

S/18.96

S/13.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20.6 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFK230N20T
IXYS
1: S/96.26
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

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Hoja de datos

931En existencias

S/96.26

S/67.34

S/63.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

230 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

358 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT

IXTL2N470
IXYS
1: S/348.11
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTL2N470

N.º de artículo de Mouser
747-IXTL2N470

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

366En existencias

S/348.11

S/341.96

S/341.92

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ISOPLUS-i5-PAK-3

N-Channel

1 Channel

4.7 kV

2 A

20 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

220 W

Enhancement

ISOPLUS i5-PAC

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

SUP90142E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.54
37,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP90142E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90142E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB

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Hoja de datos

37,706En existencias

S/16.54

S/8.49

S/7.71

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

90 A

12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp

IRFU9310PBF
Vishay Semiconductors
1: S/9.54
22,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFU9310PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFU9310PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp

Hoja de datos

22,272En existencias

S/9.54

S/4.48

S/3.51

S/3.34

S/2.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

P-Channel

1 Channel

400 V

1.8 A

7 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMP210N65EC_T0_00601
Panjit
1: S/10.32
2,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP210N65EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

2,862En existencias

S/10.32

S/5.10

S/4.55

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 mA

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STP60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/41.65
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

931En existencias

S/41.65

S/23.47

S/22.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMF210N65EC_T0_00601
Panjit
1: S/10.43
1,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF210N65EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

1,710En existencias

S/10.43

S/5.14

S/4.59

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-F-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET

PJMH190N60E1_T0_00601
Panjit
1: S/7.94
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH190N60E1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH190N60E1T061

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET

Hoja de datos

1,441En existencias

S/7.94

S/7.20

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

PSMP050N10NS2_T0_00601
Panjit
1: S/10.12
1,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMP050N10NS2_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP050N10NS2T06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

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Hoja de datos

1,707En existencias

S/10.12

S/4.98

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch

R6030KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/31.72
1,690En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6030KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6030KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

1,690En existencias

S/31.72

S/18.84

S/16.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

FCH060N80-F155
onsemi
1: S/71.86
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCH060N80-F155

N.º de artículo de Mouser
512-FCH060N80_F155

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,485En existencias

S/71.86

S/51.23

S/45.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

58 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

350 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFH22N60P3
IXYS
1: S/29.12
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IXFH22N60P3

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747-IXFH22N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

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4,424En existencias

S/29.12

S/16.08

S/14.21

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Tube Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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D3PAK-3
D3PAK-3 (TO-268-3)
DIP-16
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HVMDIP-4
I2PAK-3
IPAK-3
ISOPLUS-DIL-17
ISOPLUS-i4-PAC-5
ISOPLUS-i4-PAK-3
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-3
ISOPLUS-i5-PAK-5
ISOTOP-4
ITO-220-3
ITO-220AB-3
ITO-220AB-F

8 V
10 V
10.6 V
12 V
15 V
20 V
30 V
33 V
36 V
40 V
50 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
85 V
100 V

2 mA
4.8 mA
4.8 mA, 2 mA
12 mA
19 mA
40 mA, 16 mA
70 mA
79 mA
80 mA
100 mA
200 mA
203 mA
400 mA
500 mA
600 mA
700 mA
750 mA
800 mA
900 mA
1 A

1 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.25 mOhms
1.28 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.64 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.75 mOhms
1.79 mOhms
1.8 mOhms
1.84 mOhms
1.85 mOhms
1.88 mOhms
1.9 mOhms

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
400 mV
420 mV
700 mV
780 mV
820 mV
1 V
1.2 V
1.3 V
1.35 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.62 V
1.7 V
1.72 V
1.8 V

2.63 nC
3 nC
3.1 nC
3.7 nC
4 nC
4.3 nC
4.5 nC
4.7 nC
5 nC
5.3 nC
5.45 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.1 nC
6.5 nC
6.7 nC
6.9 nC
7 nC
7.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
80 mW
125 mW
320 mW
321 mW
470 mW
500 mW
504 mW
791 mW
840 mW
1.1 W
1.13 W

BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DIT050N06
DIT085N10
DIT090N06
DIT095N08
DIT100N10
DIT120N08
DIT150N03
DIT195N08
DTMOSIV
DTMOSIV-H
DTMOSV
DTMOSVI
EPAD
FDmesh