Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification. 

Resultados: 60
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V
Hoja de datos
417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 8 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 8 V 250 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
Hoja de datos
413En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 240 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 546 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement LinearL2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH LINEAR
Hoja de datos
866En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 355 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A
Hoja de datos
310En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V
Hoja de datos
215En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 46 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 260 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 140A
Hoja de datos
59En existencias
300Se espera el 21/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Linear Extended FBSOA Power MOSFET
Hoja de datos
11En existencias
1,380En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 260 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement Tube
IXYS IXTK3N250L
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 2.5KV 3A N-CH LINEAR
Hoja de datos
3En existencias
300Se espera el 20/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
Hoja de datos
999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 155 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
Hoja de datos
2,806En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Hoja de datos
2,913En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
Hoja de datos
685En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
2,875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
Hoja de datos
1,652En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR
Hoja de datos
433En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 64A N-CH LINEAR
Hoja de datos
1,491En existencias
850Se espera el 22/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CHANNEL
Hoja de datos
1,307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 500V 0.1 Rds
Hoja de datos
198En existencias
300Se espera el 1/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 62 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 550 nC - 55 C + 150 C 800 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
Hoja de datos
867En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 260 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
Hoja de datos
678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
Hoja de datos
311En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.5KV 2A N-CH LINEAR
Hoja de datos
152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2 A 15 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 72 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement Linear Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
Hoja de datos
268En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
Hoja de datos
526En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
Hoja de datos
224En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube