.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vishay IRFR/U Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 87

Filtros aplicados:

Fabricante = Vishay Serie = IRFR/U

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp

IRFU9310PBF
Vishay Semiconductors
1: S/8.95
22,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFU9310PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFU9310PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp

Hoja de datos

22,275En existencias

S/8.95

S/3.49

S/3.23

S/2.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

P-Channel

1 Channel

400 V

1.8 A

7 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET

IRFU9220PBF
Vishay Semiconductors
1: S/5.37
7,242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFU9220PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFU9220PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET

Hoja de datos

7,242En existencias

S/5.37

S/3.85

S/3.74

S/3.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

P-Channel

1 Channel

200 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp

IRFR110PBF
Vishay Semiconductors
1: S/5.22
5,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR110PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR110PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp

Hoja de datos

Comentarios de Producto

5,778En existencias

S/5.22

S/1.88

S/1.72

S/1.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

4.3 A

540 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 1.4 Amp

IRFR1N60APBF
Vishay Semiconductors
1: S/3.97
2,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR1N60APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR1N60APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 1.4 Amp

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,742En existencias

S/3.97

S/2.77

S/2.65

S/2.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1.4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 9.9A

IRFR9020TRPBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.32
3,343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9020TRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR9020TRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 9.9A

Hoja de datos

3,343En existencias

Cinta cortada

S/10.32

S/4.83

S/3.80

S/3.24

Envase tipo carrete

S/3.14

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

50 V

9.9 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 3.3 Amp

IRFR420APBF
Vishay Semiconductors
1: S/8.84
4,409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR420APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR420APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 3.3 Amp

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,409En existencias

S/8.84

S/3.26

S/3.01

S/2.74

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.3 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp

IRFR9024PBF
Vishay Semiconductors
1: S/6.46
5,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9024PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR9024PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp

Hoja de datos

5,523En existencias

S/6.46

S/2.83

S/2.39

S/2.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8.8 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 2.6A N-CH MOSFET

IRFR210PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.98
28,776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR210PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR210PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 2.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

28,776En existencias

S/4.98

S/2.30

S/2.15

S/1.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

2.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

IRFR9014PBF
Vishay Semiconductors
1: S/5.84
13,137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9014PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR9014PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

13,137En existencias

S/5.84

S/1.99

S/1.84

S/1.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

5.1 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 2.4 Amp

IRFU420PBF
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
12,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFU420PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFU420PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 2.4 Amp

Hoja de datos

12,693En existencias

S/7.12

S/2.67

S/2.48

S/2.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 2.0 Amp

IRFUC20PBF
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
4,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFUC20PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFUC20PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 2.0 Amp

Hoja de datos

4,740En existencias

S/3.39

S/3.26

S/3.00

S/2.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 5.3A

IRFR9010PBF
Vishay Semiconductors
1: S/5.14
5,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9010PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR9010PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 5.3A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

5,254En existencias

S/5.14

S/2.17

S/2.02

S/1.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

50 V

5.3 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET

IRFR110TRLPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.25
8,911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR110TRLPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR110TRLPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

8,911En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.80

S/2.51

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

4.3 A

540 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 1.4A N-CH MOSFET

IRFR1N60APBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.68
11,143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR1N60APBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR1N60APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 1.4A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

11,143En existencias

S/8.68

S/2.78

S/2.60

S/2.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1.4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 2.6A N-CH MOSFET

IRFR210TRPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.19
3,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR210TRPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR210TRPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 2.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

3,553En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/3.89

S/2.58

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

2.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 200V 3.6 Amp

IRFR9220TRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/9.19
2,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9220TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR9220TRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 200V 3.6 Amp

Hoja de datos

2,227En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/4.90

S/3.78

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 7.7A

IRFR014PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
7,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR014PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR014PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 7.7A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

7,707En existencias

S/7.28

S/3.52

S/3.07

S/2.52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

7.7 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 5A N-CH MOSFET

IRFR430ATRPBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.24
2,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR430ATRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR430ATRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 5A N-CH MOSFET

Hoja de datos

2,045En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/5.33

S/4.24

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 50V 5.3 Amp

IRFU9010PBF
Vishay Semiconductors
1: S/8.10
4,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFU9010PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFU9010PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 50V 5.3 Amp

Hoja de datos

4,709En existencias

S/8.10

S/2.85

S/2.69

S/2.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

P-Channel

1 Channel

50 V

5.3 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 250V 2.7 Amp

IRFU9214PBF
Vishay Semiconductors
1: S/8.06
2,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFU9214PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFU9214PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 250V 2.7 Amp

Hoja de datos

2,702En existencias

S/8.06

S/3.24

S/3.04

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

P-Channel

1 Channel

250 V

2.7 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 14 Amp

IRFR024TRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/7.63
2,715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR024TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR024TRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 14 Amp

Hoja de datos

2,715En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.37

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

14 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

IRFR220PBF
Vishay Semiconductors
1: S/3.04
19,673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR220PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR220PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

19,673En existencias

S/3.04

S/1.91

S/1.74

S/1.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

4.8 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp

IRFU9020PBF
Vishay Semiconductors
1: S/7.51
2,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFU9020PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFU9020PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 8.8 Amp

Hoja de datos

2,243En existencias

S/7.51

S/6.73

S/4.01

S/3.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

P-Channel

1 Channel

50 V

9.9 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 9.9A

IRFR9020PBF
Vishay Semiconductors
1: S/5.99
2,658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR9020PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFR9020PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 9.9A

Hoja de datos

2,658En existencias

S/5.99

S/5.53

S/3.73

S/3.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

50 V

9.9 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 14A

IRFR024TRPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.50
15,974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR024TRPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR024TRPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 14A

Hoja de datos

Comentarios de Producto

15,974En existencias

Cinta cortada

S/6.50

S/4.13

S/2.75

S/2.26

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

14 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Vishay IRFR/U Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 A
1.7 A
1.8 A
2 A
2.4 A
2.6 A
2.7 A
3.1 A
3.3 A
3.6 A
4.3 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.6 A
7.7 A
8.8 A
9.9 A
14 A