Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IRFR210TRPBF-BE3

Name: Vishay IRFR210TRPBF-BE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-IRFR210TRPBF-BE3
Price: 6.19 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

78-IRFR210TRPBF-BE3

Fabricante N.º:

IRFR210TRPBF-BE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 2.6A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

IRFR210TRPBF-BE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 3,553

Existencias:: 3,553 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/6.19	S/6.19
	S/3.89	S/38.90
	S/2.58	S/258.00
	S/2.04	S/1,020.00
	S/1.84	S/1,840.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/1.84	S/3,680.00
	S/1.83	S/43,920.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR210TRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/6.19

Mín.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	8.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Serie:	IRFR/U
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.2 ns
Alias de las piezas n.º:	IRFR210TRPBF
Peso de la unidad:	330 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
This part number has a BE3 suffix; however, it is the exact form, fit, 
and function of the part number without the BE3 suffix. The only 
difference is the country of origin.
Please contact a Mouser Technical Service Representative for further assistance 
5-0321-9