STP55NF06FP

STMicroelectronics
511-STP55NF06FP
STP55NF06FP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,991

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
10 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/7.94 S/7.94
S/3.93 S/39.30
S/3.45 S/345.00
S/2.79 S/1,395.00
S/2.44 S/2,440.00
S/2.32 S/4,640.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
50 A
15 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
44.5 nC
- 55 C
+ 175 C
30 W
Enhancement
STripFET
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 18 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 50 ns
Serie: STP55NF06FP
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 36 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99