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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,307

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Fabricante = Valores múltiples

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/27.52
310En existencias
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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S/27.52

S/18.41

S/14.79

S/13.16

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

84 A

28 mOhms

30 V

4.2 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/79.41
173En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH68N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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173En existencias

Cinta cortada

S/79.41

S/56.71

S/41.38

Envase tipo carrete

S/41.38

S/41.34

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

N-Channel

650 V

64 A

35 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: S/72.48
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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S/72.48

S/45.19

S/39.55

S/36.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

95 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1: S/40.75
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N045M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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576En existencias

S/40.75

S/24.21

S/22.85

S/20.36

S/19.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL8N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.96
38,114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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38,114En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.64

S/2.49

S/1.95

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/25.69
4,453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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4,453En existencias

S/25.69

S/17.87

S/16.93

S/14.79

S/12.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/17.94
2,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Cinta cortada

S/17.94

S/11.83

S/8.37

S/7.16

Envase tipo carrete

S/5.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
STMicroelectronics
1: S/48.19
2,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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Cinta cortada

S/48.19

S/32.19

S/27.87

S/27.36

S/23.20

Envase tipo carrete

S/22.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

22.5 A

61 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

STL36DN6F7
STMicroelectronics
1: S/5.92
41,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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41,498En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/2.79

S/2.48

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.52

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

60 V

33 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N450K6
STMicroelectronics
1: S/17.20
800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N450K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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800En existencias

Cinta cortada

S/17.20

S/11.33

S/7.98

S/6.77

Envase tipo carrete

S/5.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.00
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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840En existencias

Cinta cortada

S/23.00

S/15.06

S/11.25

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.41

S/8.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/13.27
2,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Hoja de datos

2,383En existencias

Cinta cortada

S/13.27

S/8.60

S/5.96

S/4.98

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: S/19.93
1,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

1,387En existencias

Cinta cortada

S/19.93

S/12.26

S/10.00

S/8.56

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.72
5,686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

5,686En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/4.20

S/3.34

S/2.83

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1: S/7.63
6,233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

6,233En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/3.85

S/3.39

S/2.73

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.3 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4N90K5
STMicroelectronics
1: S/10.04
3,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

3,505En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.46

S/4.44

S/3.52

Envase tipo carrete

S/2.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

3 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

STD80N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.33
2,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

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Hoja de datos

2,764En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/4.05

S/3.59

S/2.85

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

STF10N95K5
STMicroelectronics
1: S/15.41
1,041En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

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Hoja de datos

1,041En existencias

S/15.41

S/8.06

S/7.24

S/5.99

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

8 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STF11NM80
STMicroelectronics
1: S/30.32
861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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Hoja de datos

861En existencias

S/30.32

S/16.35

S/14.99

S/13.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

STF15NM65N
STMicroelectronics
1: S/22.97
938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15NM65N

N.º de artículo de Mouser
511-STF15NM65N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

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Hoja de datos

938En existencias

S/22.97

S/12.07

S/11.25

S/10.00

S/8.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15.5 A

270 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

STF23N80K5
STMicroelectronics
1: S/25.38
780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF23N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

Hoja de datos

780En existencias

S/25.38

S/13.43

S/12.30

S/10.74

S/10.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/8.45
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STF3LN80K5

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511-STF3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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S/8.45

S/4.94

S/4.16

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

2.63 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/21.80
914En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF40N65M2

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511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/21.80

S/14.60

S/11.87

S/10.47

S/10.04

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

56.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/20.59
907En existencias

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STH240N10F7-2

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511-STH240N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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Cinta cortada

S/20.59

S/13.47

S/10.04

S/8.45

Envase tipo carrete

S/6.89

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU32N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/19.58
1,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STHU32N65DM6AG

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511-STHU32N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Cinta cortada

S/19.58

S/13.78

S/11.91

Envase tipo carrete

S/10.98

S/10.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

37 A

97 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52.6 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC
7 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W
23 W