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IXYS PolarHT Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 38

Filtros aplicados:

Fabricante = IXYS Nombre comercial = PolarHT

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

IXTH96N20P
IXYS
1: S/42.12
255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH96N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH96N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

Hoja de datos

255En existencias

S/42.12

S/29.47

S/25.03

S/19.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

96 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds

IXTK102N30P
IXYS
1: S/41.03
447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK102N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK102N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds

Hoja de datos

447En existencias

S/41.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

102 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

224 nC

- 55 C

+ 150 C

700 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds

IXTK82N25P
IXYS
1: S/26.43
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK82N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK82N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds

Hoja de datos

394En existencias

S/26.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

82 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

142 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds

IXTP36N30P
IXYS
1: S/10.08
4,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP36N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP36N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds

Hoja de datos

4,629En existencias

S/10.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

36 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds

IXTP75N10P
IXYS
1: S/10.08
553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP75N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP75N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds

Hoja de datos

553En existencias

S/10.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

5.5 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 250V 0.084 Rds

IXTQ42N25P
IXYS
1: S/11.29
287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ42N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ42N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 250V 0.084 Rds

Hoja de datos

287En existencias

S/11.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

250 V

42 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

5.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250V 0.024 Rds

IXTK120N25P
IXYS
1: S/65.67
1,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK120N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK120N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250V 0.024 Rds

Hoja de datos

1,202En existencias

S/65.67

S/41.53

S/40.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

120 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

700 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 0.0075 Rds

IXTK200N10P
IXYS
1: S/65.67
683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK200N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK200N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Hoja de datos

683En existencias

S/65.67

S/41.53

S/40.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

IXTT140N10P
IXYS
1: S/49.67
363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT140N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT140N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

Hoja de datos

363En existencias

S/49.67

S/38.85

S/32.39

S/28.84

S/26.98

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

140 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds

IXTA50N20P
IXYS
1: S/23.12
54En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA50N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA50N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds

Hoja de datos

54En existencias

S/23.12

S/12.22

S/11.13

S/9.30

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 150V 0.04 Rds

IXTA62N15P
IXYS
1: S/23.12
302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA62N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA62N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 62 Amps 150V 0.04 Rds

Hoja de datos

302En existencias

S/23.12

S/12.22

S/11.13

S/9.30

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

62 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

5.5 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

350 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds

IXTQ110N10P
IXYS
1: S/33.28
89En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ110N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ110N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds

Hoja de datos

89En existencias

S/33.28

S/22.85

S/16.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds

IXTQ50N20P
IXYS
1: S/23.74
292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ50N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ50N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds

Hoja de datos

292En existencias

S/23.74

S/13.97

S/11.60

S/9.93

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds

IXTQ75N10P
IXYS
1: S/23.74
301En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ75N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ75N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds

Hoja de datos

301En existencias

S/23.74

S/13.97

S/11.60

S/9.93

S/9.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

5.5 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds

IXTT100N25P
IXYS
1: S/58.85
134En existencias
30Se espera el 29/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTT100N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT100N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds

Hoja de datos

134En existencias

30Se espera el 29/06/2026

S/58.85

S/42.39

S/36.47

S/34.18

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

100 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

IXTQ120N15P
IXYS
1: S/41.49
12En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ120N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ120N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

Hoja de datos

12En existencias

S/41.49

S/30.21

S/25.15

S/22.42

S/20.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds

IXTK180N15P
IXYS
1: S/42.08
1,850En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTK180N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK180N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds

Hoja de datos

1,850En pedido

S/42.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

150 V

180 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds

IXTT82N25P
IXYS
1: S/47.88
300Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTT82N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT82N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds

Hoja de datos

300Se espera el 13/04/2026

S/47.88

S/28.96

S/24.76

S/24.72

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

82 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

142 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

IXTT88N30P
IXYS
1: S/57.69
840Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTT88N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT88N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

Hoja de datos

840Se espera el 16/11/2026

S/57.69

S/43.79

S/34.57

S/34.18

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

88 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Amps 150V 0.013 Rds

IXTK150N15P
IXYS
1: S/57.88
Plazo de entrega 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTK150N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK150N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Amps 150V 0.013 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega 39 Semanas

S/57.88

S/42.35

S/37.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

150 V

150 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HT MOSFET 150V 120A

IXTT120N15P
IXYS
1: S/48.07
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTT120N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT120N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HT MOSFET 150V 120A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/48.07

S/31.65

S/27.68

S/26.98

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA16N50P TRL

IXTA16N50P-TRL
IXYS
800: S/9.46
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA16N50P-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA16N50P-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA16N50P TRL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.46

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

16 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarHT

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA36N30P TRL

IXTA36N30P-TRL
IXYS
1: S/14.67
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA36N30P-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA36N30P-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA36N30P TRL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

Cinta cortada

S/14.67

S/12.96

S/12.22

S/11.21

Envase tipo carrete

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

36 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarHT

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA42N25P TRL

IXTA42N25P-TRL
IXYS
800: S/10.28
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA42N25P-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA42N25P-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA42N25P TRL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.28

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

42 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

PolarHT

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA50N20P TRL

IXTA50N20P-TRL
IXYS
800: S/10.28
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA50N20P-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA50N20P-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA50N20P TRL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.28

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

360 W

Enhancement

PolarHT

Reel

IXYS PolarHT Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

16 A
36 A
42 A
50 A
62 A
64 A
69 A
74 A
75 A
82 A
88 A
96 A
100 A
102 A
110 A
120 A
140 A
150 A
180 A
200 A

7.5 mOhms
10 mOhms
11 mOhms
13 mOhms
15 mOhms
16 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
33 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
60 mOhms
84 mOhms
110 mOhms
400 mOhms