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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,579

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Fabricante = IXYS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

IXFP34N65X2W
IXYS
1: S/28.96
300En existencias
300Se espera el 23/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXFP34N65X2W

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP34N65X2W

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

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300En existencias

300Se espera el 23/02/2026

S/28.96

S/20.44

S/17.01

S/13.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

100 mOhms

30 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

IXFK230N20T
IXYS
1: S/98.79
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK230N20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK230N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V

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931En existencias

S/98.79

S/68.20

S/65.94

S/64.62

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

230 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

358 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT

IXTL2N470
IXYS
1: S/348.11
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTL2N470

N.º de artículo de Mouser
747-IXTL2N470

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

366En existencias

S/348.11

S/341.96

S/341.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ISOPLUS-i5-PAK-3

N-Channel

1 Channel

4.7 kV

2 A

20 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

220 W

Enhancement

ISOPLUS i5-PAC

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT

IXTX1R4N450HV
IXYS
1: S/230.24
273En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX1R4N450HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX1R4N450HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT

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273En existencias

S/230.24

S/207.94

S/207.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

4.5 kV

1.4 A

40 Ohms

- 20 V, 20 V

6 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CHANNEL

IXTA80N075L2
IXYS
1: S/58.89
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA80N075L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA80N075L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CHANNEL

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2,990En existencias

S/58.89

S/34.02

S/31.65

S/30.71

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

103 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

IXTP120N20X4
IXYS
1: S/28.26
736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP120N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP120N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

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736En existencias

S/28.26

S/19.70

S/18.76

S/17.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

120 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: S/19.46
8,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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8,999En existencias

S/19.46

S/9.11

S/8.56

S/8.17

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

IXFK240N25X3
IXYS
1: S/128.10
939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

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Hoja de datos

939En existencias

S/128.10

S/85.67

S/82.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds

IXFX64N50P
IXYS
1: S/59.71
1,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds

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1,536En existencias

S/59.71

S/45.89

S/40.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

500 V

64 A

85 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/77.31
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,148En existencias

S/77.31

S/53.64

S/53.60

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS

IXTA86N20X4
IXYS
1: S/44.10
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA86N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS

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2,000En existencias

S/44.10

S/26.12

S/26.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

86 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A

IXFH400N075T2
IXYS
1: S/65.86
3,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH400N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH400N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A

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Hoja de datos

3,381En existencias

S/65.86

S/36.90

S/35.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

400 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

420 nC

- 55 C

+ 175 C

1 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

IXFH52N30P
IXYS
1: S/33.09
3,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH52N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH52N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

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Hoja de datos

3,278En existencias

S/33.09

S/19.19

S/16.97

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

52 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFK150N30P3
IXYS
1: S/88.71
1,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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Hoja de datos

1,552En existencias

S/88.71

S/57.88

S/52.35

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N20X3
IXYS
1: S/31.65
3,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

3,552En existencias

S/31.65

S/17.48

S/16.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

IXTY08N50D2
IXYS
1: S/8.99
21,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY08N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY08N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA

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Hoja de datos

21,714En existencias

S/8.99

S/7.79

S/5.37

S/4.90

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

800 mA

4.6 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Depletion

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFH22N60P3
IXYS
1: S/27.21
4,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH22N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH22N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

4,434En existencias

S/27.21

S/15.49

S/14.17

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET

IXTP32P20T
IXYS
1: S/37.80
2,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP32P20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP32P20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET

Hoja de datos

2,850En existencias

S/37.80

S/20.67

S/19.31

S/18.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

200 V

32 A

130 mOhms

- 15 V, 15 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT80N20L
IXYS
1: S/85.64
2,991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT80N20L

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT80N20L

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

2,991En existencias

S/85.64

S/57.45

S/53.60

S/53.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

80 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Linear

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS N-CH 75V 120A

FMM150-0075X2F
IXYS
1: S/95.44
2,304En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FMM150-0075X2F

N.º de artículo de Mouser
747-FMM150-0075X2F

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS N-CH 75V 120A

Hoja de datos

2,304En existencias

S/95.44

S/61.70

S/56.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ISOPLUS-i4-PAK-5

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

5.8 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFH18N90P
IXYS
1: S/45.54
2,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

2,347En existencias

S/45.54

S/27.71

S/27.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

97 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA

IXTT1N250HV
IXYS
1: S/164.93
307En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT1N250HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT1N250HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA

Hoja de datos

307En existencias

S/164.93

S/124.13

S/124.09

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

2.5 kV

1.5 A

40 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

IXTH96N20P
IXYS
1: S/40.99
267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH96N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH96N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds

Hoja de datos

267En existencias

S/40.99

S/24.76

S/21.29

S/19.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

96 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

PolarHT

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

IXFH32N100X
IXYS
1: S/93.15
504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

504En existencias

S/93.15

S/59.36

S/55.94

S/53.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXTK600N04T2
IXYS
1: S/98.13
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK600N04T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK600N04T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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Hoja de datos

186En existencias

S/98.13

S/80.26

S/70.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

40 V

600 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

590 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-2 (TO-263-2)
D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-DIL-17
ISOPLUS-i4-PAC-5
ISOPLUS-i4-PAK-3
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-3
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMD-24
SMPD-24
SOIC-16
SOIC-8
SOT-223-2
SOT-223-3
SOT-23-3
SOT-89-3
TO-220-3

20 V
36 V
40 V
50 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
80 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V

5 mA
20 mA
100 mA
200 mA
220 mA
300 mA
360 mA
400 mA
600 mA
700 mA
750 mA
800 mA
900 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.6 A
1.83 A
2 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.99 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.65 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms

4.3 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.4 nC
7.8 nC
8.3 nC
9 nC
10.6 nC
11 nC
11.3 nC
11.8 nC
11.9 nC
12 nC
12.7 nC
13 nC
13.3 nC
14 nC
14.2 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
80 mW
320 mW
400 mW
470 mW
1.1 W
1.4 W
1.6 W
1.8 W
2.25 W
2.5 W
25 W
30 W

BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
HiPerFET
HiPerFET, ISOPLUS i4-PAC
HyperFET
ISOPLUS
ISOPLUS-DIL
ISOPLUS i5-PAC
Linear
LinearL2
Linear L2
Linear L2T
Polar
Polar2 HiPerFET
Polar3
Polar3, HiperFET
PolarHT