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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,354

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

STD5N95K3
STMicroelectronics
1: S/14.64
6,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw

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Cinta cortada

S/14.64

S/9.61

S/6.73

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.02

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STD60NF06T4
STMicroelectronics
1: S/10.86
1,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD60NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD60NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

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1,979En existencias

Cinta cortada

S/10.86

S/7.05

S/4.87

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II

STD9NM40N
STMicroelectronics
1: S/9.30
2,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9NM40N

N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM40N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II

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2,988En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

5.6 A

790 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
1: S/12.69
1,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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1,683En existencias

S/12.69

S/5.92

S/4.67

S/4.52

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.5 A

430 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF24N65M2
STMicroelectronics
1: S/7.43
1,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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Hoja de datos

1,163En existencias

S/7.43

S/5.99

S/5.64

S/5.02

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

185 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF33N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.42
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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1,000En existencias

S/12.42

S/8.21

S/7.71

S/6.73

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

117 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A

STF9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/18.92
813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.1ohms Zener SuperMESH 8A

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813En existencias

S/18.92

S/11.79

S/10.43

S/8.99

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.96
1,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI28N60M2

STMicroelectronics

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1,848En existencias

S/12.96

S/7.12

S/5.84

S/5.14

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 40V 15A STripFET V

STL15DN4F5
STMicroelectronics
1: S/10.47
2,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL15DN4F5

N.º de artículo de Mouser
511-STL15DN4F5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 40V 15A STripFET V

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2,726En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.70

S/4.55

S/3.79

Envase tipo carrete

S/2.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

40 V

60 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
STMicroelectronics
1: S/45.19
2,638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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2,638En existencias

Cinta cortada

S/45.19

S/32.54

S/27.87

S/27.33

S/23.16

Envase tipo carrete

S/22.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

22.5 A

61 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

189 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII

STL90N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.49
2,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL90N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL90N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII

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Hoja de datos

2,467En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.45

S/3.68

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

16 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3

STP12NK30Z
STMicroelectronics
1: S/12.42
1,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NK30Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NK30Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3

Hoja de datos

1,381En existencias

S/12.42

S/5.45

S/5.06

S/4.52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

9 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A

STP14NK50ZFP
STMicroelectronics
1: S/20.05
1,615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NK50ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK50ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.34ohms Zener SuperMESH 14A

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Hoja de datos

1,615En existencias

S/20.05

S/10.47

S/9.54

S/7.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STP18NM80
STMicroelectronics
1: S/26.90
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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Hoja de datos

921En existencias

S/26.90

S/14.64

S/13.66

S/13.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: S/21.25
1,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

1,176En existencias

S/21.25

S/11.41

S/10.39

S/8.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

29.3 nC

- 50 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

STP60NF10
STMicroelectronics
1: S/10.47
2,117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP60NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

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Hoja de datos

2,117En existencias

S/10.47

S/4.16

S/3.64

S/3.18

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120 Volt 80 Amp

STP80NF12
STMicroelectronics
1: S/10.86
1,627En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF12

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF12

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120 Volt 80 Amp

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Hoja de datos

1,627En existencias

S/10.86

S/4.16

S/3.88

S/3.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

80 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

189 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH

STP9NK60Z
STMicroelectronics
1: S/13.55
1,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK60Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,750En existencias

S/13.55

S/6.85

S/6.03

S/5.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

STW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/19.70
1,100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

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Hoja de datos

1,100En existencias

S/19.70

S/10.78

S/8.87

S/8.33

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW45N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/28.49
482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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Hoja de datos

482En existencias

S/28.49

S/17.24

S/12.81

S/12.18

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/28.53
662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW50N65DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW50N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

662En existencias

S/28.53

S/16.47

S/11.91

S/11.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3

STY60NK30Z
STMicroelectronics
1: S/52.43
483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY60NK30Z

N.º de artículo de Mouser
511-STY60NK30Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3

Hoja de datos

483En existencias

S/52.43

S/31.84

S/26.43

S/26.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

60 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

220 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 3.5mOhm N-Channel

STB160N75F3
STMicroelectronics
1: S/19.89
1,698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB160N75F3

N.º de artículo de Mouser
511-STB160N75F3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 3.5mOhm N-Channel

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Cinta cortada

S/19.89

S/13.20

S/10.43

S/9.34

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S/8.56

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.08
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N.º de artículo del Fabricante
STB28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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S/10.08

S/6.50

S/4.52

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.33

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/26.78
816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Cinta cortada

S/26.78

S/18.80

S/14.05

Envase tipo carrete

S/10.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

115 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W