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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,353

Filtros aplicados:

Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II

STB18NF25
STMicroelectronics
1: S/9.58
4,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STB18NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II

Hoja de datos

4,220En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.19

S/4.24

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29.3 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp

STB200NF03T4
STMicroelectronics
1: S/13.27
1,547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB200NF03T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB200NF03

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp

Hoja de datos

1,547En existencias

Cinta cortada

S/13.27

S/8.68

S/6.03

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A

STD26NF10
STMicroelectronics
1: S/8.52
2,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD26NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STD26NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A

Hoja de datos

2,109En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.49

S/3.71

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1: S/7.08
7,145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

7,145En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.03

S/2.39

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.3 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp

STD45NF75T4
STMicroelectronics
1: S/8.52
2,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD45NF75T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD45NF75

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp

Hoja de datos

2,800En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.75

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

40 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4N90K5
STMicroelectronics
1: S/8.14
3,569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,569En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.68

S/4.13

S/3.29

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

3 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 55 V, 12 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package

STD60NF55LAT4
STMicroelectronics
1: S/7.71
4,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD60NF55LAT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD60NF55LAT4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 55 V, 12 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

4,977En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.94

S/3.32

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

60 A

15 mOhms

- 15 V, 15 V

1 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STF11NM80
STMicroelectronics
1: S/26.78
920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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Hoja de datos

920En existencias

S/26.78

S/13.70

S/13.00

S/11.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

STF15NM65N
STMicroelectronics
1: S/21.29
938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15NM65N

N.º de artículo de Mouser
511-STF15NM65N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

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Hoja de datos

938En existencias

S/21.29

S/11.25

S/11.21

S/10.04

S/8.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15.5 A

270 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

STF23N80K5
STMicroelectronics
1: S/23.63
811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF23N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

Hoja de datos

811En existencias

S/23.63

S/12.57

S/11.48

S/9.61

S/9.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/8.06
3,187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Hoja de datos

3,187En existencias

S/8.06

S/3.97

S/3.51

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

2.75 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

2.63 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/15.10
1,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF40N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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Hoja de datos

1,102En existencias

S/15.10

S/11.13

S/10.55

S/10.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

56.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/18.29
940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH240N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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Hoja de datos

940En existencias

Cinta cortada

S/18.29

S/12.11

S/8.60

S/7.98

Envase tipo carrete

S/6.42

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V

STL140N4LLF5
STMicroelectronics
1: S/12.30
2,858En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL140N4LLF5

N.º de artículo de Mouser
511-STL140N4LLF5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,858En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/7.98

S/5.68

S/4.83

S/4.48

Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

2.75 Ohms

- 22 V, 22 V

1 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL160N4F7
STMicroelectronics
1: S/7.51
4,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL160N4F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Hoja de datos

4,235En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.25

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

4.8 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH

STP20NK50Z
STMicroelectronics
1: S/19.31
4,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

4,488En existencias

S/19.31

S/9.30

S/8.95

S/8.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

270 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/28.77
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

708En existencias

S/28.77

S/15.49

S/14.67

S/12.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/13.74
1,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,426En existencias

S/13.74

S/9.23

S/8.56

S/7.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/27.25
1,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

Obtenga más información

Hoja de datos

1,008En existencias

S/27.25

S/20.12

S/16.27

S/14.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH

STP7NK80Z
STMicroelectronics
1: S/14.87
1,938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,938En existencias

S/14.87

S/6.70

S/6.27

S/5.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.2 A

1.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A

STS5DNF60L
STMicroelectronics
1: S/6.50
3,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS5DNF60L

N.º de artículo de Mouser
511-STS5DNF60L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A

Hoja de datos

3,803En existencias

Cinta cortada

S/6.50

S/4.13

S/2.75

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

5 A

45 mOhms

- 15 V, 15 V

1.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp

STS6NF20V
STMicroelectronics
1: S/3.70
16,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS6NF20V

N.º de artículo de Mouser
511-STS6NF20V

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp

Hoja de datos

16,886En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.50

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.923

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

6 A

30 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

11.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STU13N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.25
2,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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Hoja de datos

2,414En existencias

S/8.25

S/3.73

S/3.36

S/2.82

S/2.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

STU7NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.41
1,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

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Hoja de datos

1,749En existencias

S/11.41

S/4.90

S/4.52

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW12N170K5
STMicroelectronics
1: S/41.30
1,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW12N170K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW12N170K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

1,113En existencias

S/41.30

S/28.80

S/20.63

S/20.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5 A

2.9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W