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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,319

Filtros aplicados:

Marca = Multiple Values

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/22.85
248En existencias
600Se espera el 12/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

Hoja de datos

248En existencias

600Se espera el 12/05/2026

S/22.85

S/18.29

S/14.79

S/13.12

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

84 A

28 mOhms

30 V

4.2 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: S/24.56
186En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N050DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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Hoja de datos

186En existencias

Cinta cortada

S/24.56

S/17.40

Envase tipo carrete

S/17.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: S/32.00
278En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N035M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

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Hoja de datos

278En existencias

S/32.00

S/23.28

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

62 A

35 mOhms

30 V

4.2 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

321 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

STL059N4S8AG
STMicroelectronics
1: S/13.94
131En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL059N4S8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL059N4S8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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Hoja de datos

131En existencias

Cinta cortada

S/13.94

S/9.03

Envase tipo carrete

S/9.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

: 3,000

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: S/22.42
199En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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Hoja de datos

199En existencias

Cinta cortada

S/22.42

S/17.94

Envase tipo carrete

S/17.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

STN3NF06L
STMicroelectronics
1: S/6.19
45,389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN3NF06L

N.º de artículo de Mouser
511-STN3NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

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45,389En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/3.93

S/2.62

S/2.06

Ver

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

4 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/16.78
2,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,421En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/11.05

S/7.82

S/7.16

S/6.70

Envase tipo carrete

S/6.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

STL320N4LF8
STMicroelectronics
1: S/11.60
4,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL320N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

4,580En existencias

Cinta cortada

S/11.60

S/7.32

S/5.45

S/4.63

S/4.05

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

360 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II

STD18NF25
STMicroelectronics
1: S/10.86
17,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STD18NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II

Hoja de datos

17,382En existencias

Cinta cortada

S/10.86

S/7.05

S/4.87

S/3.97

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

29.5 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

STL36DN6F7
STMicroelectronics
1: S/5.53
42,162En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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Hoja de datos

42,162En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/3.49

S/2.32

S/1.81

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

60 V

33 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/9.46
18,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD47N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

18,460En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

22 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
1: S/30.75
3,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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Hoja de datos

3,648En existencias

S/30.75

S/18.18

S/16.70

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

STL60N10F7
STMicroelectronics
1: S/7.28
26,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL60N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

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Hoja de datos

26,971En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.67

S/3.12

S/2.47

S/2.28

Envase tipo carrete

S/2.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

STL130N6F7
STMicroelectronics
1: S/10.90
20,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

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Hoja de datos

20,021En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.87

S/3.97

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

130 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STP45N40DM2AG
STMicroelectronics
1: S/29.58
4,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N40DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N40DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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Hoja de datos

4,710En existencias

S/29.58

S/16.11

S/14.79

S/14.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

38 A

72 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/18.18
1,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Hoja de datos

1,241En existencias

Cinta cortada

S/18.18

S/12.03

S/9.42

S/8.37

S/7.40

Envase tipo carrete

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp

STB55NF06T4
STMicroelectronics
1: S/8.91
3,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB55NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB55NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

3,783En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/6.07

S/4.44

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

STP60NF10
STMicroelectronics
1: S/10.82
2,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP60NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

2,001En existencias

S/10.82

S/3.93

S/3.60

S/3.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A

STP120NF10
STMicroelectronics
1: S/14.67
1,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP120NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP120NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,220En existencias

S/14.67

S/8.10

S/7.51

S/6.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

233 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp

STP24NF10
STMicroelectronics
1: S/7.79
5,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP24NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp

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Hoja de datos

5,800En existencias

S/7.79

S/2.74

S/2.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

26 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp

STP80NF03L-04
STMicroelectronics
1: S/18.92
3,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF03L-04

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF03L-04

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

3,150En existencias

S/18.92

S/12.34

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

110 nC

- 65 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

STP80NF10
STMicroelectronics
1: S/14.64
1,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

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Hoja de datos

1,740En existencias

S/14.64

S/7.43

S/6.73

S/6.50

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/12.38
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/8.06

S/5.57

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.32

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STB60NF06T4
STMicroelectronics
1: S/8.95
4,538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB60NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB60NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

Hoja de datos

4,538En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.93

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 65 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A

STS5DNF60L
STMicroelectronics
1: S/6.50
3,762En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS5DNF60L

N.º de artículo de Mouser
511-STS5DNF60L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A

Hoja de datos

3,762En existencias

Cinta cortada

S/6.50

S/4.13

S/2.75

S/2.17

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

5 A

45 mOhms

- 15 V, 15 V

1.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W