STMicroelectronics IGBTs

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 300

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si - 20 V, 20 V STGWA30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 600
Mult.: 300

Si TO-3P-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT28IH125DF Tube