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GaN FETs

GaN FETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many GaN FET manufacturers including Infineon, MACOM, Qorvo & more. Please view our selection of GaN FETs below.

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Resultados: 493

Filtros aplicados:

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGC033S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.50
10,901En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC033S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

10,901En existencias

Cinta cortada

S/16.50

S/11.25

S/8.91

S/7.55

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TSON-6

HEMT

1 Channel

100 V

76 A

3.3 mOhms

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

11 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

IGC037S12S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.05
8,535En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC037S12S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC037S12S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

8,535En existencias

Cinta cortada

S/17.05

S/11.44

S/8.49

S/7.55

S/6.89

Envase tipo carrete

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

120 V

71 A

3.7 mOhms

6.5 V

2.9 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.70
2,878En existencias
2,000Se espera el 2/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGT65R035D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R035D2ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,878En existencias

2,000Se espera el 2/04/2026

Cinta cortada

S/39.70

S/29.51

S/24.60

S/22.38

Envase tipo carrete

S/20.09

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

49 A

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5

MAPC-A3008-AB000
MACOM
1: S/1,491.10
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MAPC-A3008-AB000

N.º de artículo de Mouser
937-MAPC-A3008-AB000

Nuevo producto

MACOM

GaN FETs Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5

Obtenga más información

Hoja de datos

50En existencias

S/1,491.10

S/1,289.51

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

440166

1 Channel

84 V

6 A

- 10 V, + 2 V

- 40 C

+ 85 C

GaN FETs Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5

MAPC-A3010-AB000
MACOM
1: S/2,961.80
25En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MAPC-A3010-AB000

N.º de artículo de Mouser
937-MAPC-A3010-AB000

Nuevo producto

MACOM

GaN FETs Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5

Obtenga más información

Hoja de datos

25En existencias

S/2,961.80

S/2,603.93

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

440223

1 Channel

84 V

12 A

- 10 V, + 2 V

- 40 C

+ 65 C

GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C

WST41H0D-GP4
MACOM
10: S/1,417.06
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
WST41H0D-GP4

N.º de artículo de Mouser
937-WST41H0D-GP4

Nuevo producto

MACOM

GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C

Obtenga más información

Hoja de datos

50En existencias

S/1,417.06

Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT

1 Channel

84 V

6 A

60 mOhms

- 10 V, + 2 V

- 2 V

- 40 C

+ 85 C

GaN FETs 30W, DC - 6GHz

QPD1035
Qorvo
1: S/1,279.39
45En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
QPD1035

N.º de artículo de Mouser
772-QPD1035

Nuevo producto

Qorvo

GaN FETs 30W, DC - 6GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

S/1,279.39

S/980.87

Envase tipo carrete

S/980.87

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

Flanged

- 40 C

+ 85 C

50.4 W

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220

TP65H100G4PS
Renesas Electronics
1: S/24.09
783En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65H100G4PS

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H100G4PS

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220

Hoja de datos

783En existencias

Cinta cortada

S/24.09

S/16.50

S/10.98

Envase tipo carrete

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

650 V

18.9 A

110 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.65 V

14.4 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm

EPC2057
EPC
1: S/8.84
4,980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
EPC2057

N.º de artículo de Mouser
65-EPC2057

Nuevo producto

EPC

GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm

Hoja de datos

4,980En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.68

S/3.85

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LGA-4

N-Channel

1 Channel

50 V

9.6 A

8.5 mOhms

6 V, - 4 V

2.5 V

3 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

eGaN FET

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

IGB070S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.65
4,156En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB070S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB070S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

4,156En existencias

Cinta cortada

S/12.65

S/8.21

S/6.03

S/5.06

S/4.55

Envase tipo carrete

S/3.85

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

100 V

38 A

7 mOhms

6.5 V

2.9 V

6.1 nC

- 40 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGB110S101XTMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
2,192En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB110S101XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S101XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

2,192En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.09

S/3.46

S/2.94

Envase tipo carrete

S/2.50

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-VSON-4

HEMT

1 Channel

100 V

23 A

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

IGB110S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/7.86
3,319En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB110S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

3,319En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/4.87

S/3.51

S/3.01

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

100 V

23 A

11 mOhms

6.5 V

2.9 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

IGC019S06S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.05
3,545En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC019S06S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC019S06S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

3,545En existencias

Cinta cortada

S/17.05

S/11.44

S/8.49

S/7.55

S/6.97

Envase tipo carrete

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

60 V

99 A

1.9 mOhms

6.5 V

2.9 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

IGC025S08S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.05
6,345En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC025S08S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC025S08S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

6,345En existencias

Cinta cortada

S/17.05

S/11.44

S/8.49

S/7.55

S/6.97

Envase tipo carrete

S/5.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

80 V

86 A

2.5 mOhms

6.5 V

2.9 V

12 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGC033S101XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.50
4,609En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC033S101XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S101XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

4,609En existencias

Cinta cortada

S/16.50

S/11.25

S/8.91

S/7.55

S/6.97

Envase tipo carrete

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-VSON-6

HEMT

1 Channel

100 V

76 A

3.3 mOhms

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

11 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.35
2,434En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R055D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R055D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,434En existencias

Cinta cortada

S/26.35

S/19.27

S/15.57

S/13.86

S/11.87

Envase tipo carrete

S/11.87

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

20 A

70 mOhms

- 10 V

1.2 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

91 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R080D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/20.36
2,722En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R080D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R080D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,722En existencias

Cinta cortada

S/20.36

S/14.79

S/10.63

S/10.35

S/9.81

Envase tipo carrete

S/8.45

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

18 A

100 mOhms

- 10 V

1.2 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R110D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.36
2,684En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R110D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R110D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,684En existencias

Cinta cortada

S/17.36

S/11.60

S/8.91

S/7.90

Envase tipo carrete

S/6.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

20 A

140 mOhms

- 10 V

1.2 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R140D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
2,767En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R140D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R140D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,767En existencias

Cinta cortada

S/14.95

S/9.81

S/6.89

S/6.11

Envase tipo carrete

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

12 A

170 mOhms

- 10 V

1.2 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.21
4,549En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R140D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R140D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

4,549En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/6.50

S/5.72

S/5.61

Envase tipo carrete

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.43
4,880En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R200D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R200D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

4,880En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/6.73

S/4.79

S/4.01

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
4,916En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLR65R270D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLR65R270D2XUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

4,916En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.05

S/3.35

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.63

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/31.18
1,450En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R045D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R045D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

1,450En existencias

Cinta cortada

S/31.18

S/21.21

S/16.39

S/15.45

Envase tipo carrete

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.68
1,171En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R055D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLT65R055D2ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

1,171En existencias

Cinta cortada

S/24.68

S/18.88

S/15.26

S/13.58

S/11.64

Envase tipo carrete

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.09
1,635En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLT65R110D2ATMA1

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726-IGLT65R110D2ATMA

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Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

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Cinta cortada

S/17.09

S/11.41

S/8.76

S/7.79

Envase tipo carrete

S/6.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4.5 mm x 4 mm
440109
440109-2
440117
440162
440166
440193
440196
440199
440201
4402015
440206
440210
440217
440223
440224
440225
440226
440226-2
BGA

15 V
28 V
32 V
36 V
40 V
48 V
50 V
60 V
65 V
80 V
84 V
100 V
120 V
125 V
145 V
150 V
160 V
170 V
200 V
350 V

774 uA
50 mA
80 mA
250 mA
326 mA
400 mA
0.5 A
500 mA
557 mA
600 mA
610 mA
650 mA
700 mA
750 mA
800 mA
950 mA
1 A
1.4 A
1.46 A
1.5 A

1 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.25 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4.8 mOhms

- 20 V, + 20 V
- 18 V, + 18 V
- 15 V, 2 V
- 10 V
- 10 V to + 6.5 V
- 10 V, + 10 V
- 10 V, + 2 V
- 10 V, + 6.5 V
- 10 V, + 7 V
- 10 V, 6.5 V
- 10 V, 7 V
- 10 V,+ 2 V
- 8 V, 2 V
- 7 V, + 2 V
- 7 V, + 7 V
- 7 V, 2 V
- 6 V, + 6 V
- 6 V, + 7 V
- 4 V
- 4 V, + 5.5 V

- 10 V, 2 V
- 3.8 V
- 3.4 V
- 3 V
- 2.9 V
- 2.8 V
- 2.7 V
- 2.5 V
- 2.2 V
- 2 V
- 1.8 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
2 V
2.1 V
2.3 V
2.4 V

44 pC
115 pC
133 pC
360 pC
370 pC
0.5 nC
0.53 nC
0.65 nC
670 pC
700 pC
730 pC, 730 pC
745 pC
0.8 nC
800 pC
0.85 nC
0.87 nC
880 pC
1 nC
1.1 nC
1.2 nC

200 mW
1.1 W
5 W
7.5 W
8 W
8.4 W
8.9 W
11 W
12 W
12.5 W
13 W
13.2 W
13.5 W
13.8 W
14 W
14.7 W
15 W
15.3 W
15.8 W
16 W