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OptiMOS 5 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 176

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS 5

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC039N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.39
6,011En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC039N15NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

6,011En existencias

Cinta cortada

S/26.39

S/17.83

S/13.16

S/12.26

Envase tipo carrete

S/12.26

MouseReel Disponible

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Carrete: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: S/12.03
13,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

Hoja de datos

13,751En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/7.79

S/5.72

S/4.83

S/4.16

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 74A TDSON-8

BSC072N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.46
30,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC072N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC072N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 74A TDSON-8

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Hoja de datos

30,227En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.34

Ver

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

74 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.71
79,572En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC065N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC065N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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79,572En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.94

S/3.32

S/2.64

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Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
67,147En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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67,147En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.25

Ver

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

133 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
39,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ042N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

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39,198En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.94

S/3.39

S/2.69

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Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

98 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

27 nC

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+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.42
70,187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ075N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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70,187En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.52

S/3.49

S/2.93

Ver

Envase tipo carrete

S/2.65

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

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+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

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11,115En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.38

S/4.36

S/3.49

Ver

Envase tipo carrete

S/3.24

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

82 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.94
1,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB026N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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1,681En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.75

S/5.53

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.83
7,506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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Hoja de datos

7,506En existencias

Cinta cortada

S/11.83

S/7.71

S/5.33

S/4.48

S/4.16

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
6,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Hoja de datos

6,548En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/3.02

S/2.17

S/1.82

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

82 A

4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
4,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0500NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

4,735En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.45

S/2.74

Ver

Envase tipo carrete

S/2.42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPI051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.29
454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPI051N15N5AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPI051N15N5AKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

454En existencias

S/27.29

S/19.97

S/16.15

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.07
9,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,978En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/3.84

S/2.57

S/2.02

Ver

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
9,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0503NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

9,366En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.08

S/2.04

S/1.61

Ver

Envase tipo carrete

S/1.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

82 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG039N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.60
2,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG039N15NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TG039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,482En existencias

Cinta cortada

S/24.60

S/17.48

S/12.85

S/11.99

Envase tipo carrete

S/11.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC034N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
13,563En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC034N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC034N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

13,563En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.44

S/3.55

Ver

Envase tipo carrete

S/3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB031N08N5
Infineon Technologies
1: S/15.03
1,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB031N08N5

N.º de artículo de Mouser
726-IPB031N08N5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

Hoja de datos

1,376En existencias

Cinta cortada

S/15.03

S/9.85

S/7.24

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LS
Infineon Technologies
1: S/9.46
27,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

27,420En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.43

Ver

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
10,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

10,772En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.02

S/3.45

S/2.74

Ver

Envase tipo carrete

S/2.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5L100ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.98
14,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5L100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Obtenga más información

Hoja de datos

14,785En existencias

Cinta cortada

S/4.98

S/3.14

S/2.08

S/1.67

Ver

Envase tipo carrete

S/1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8-3

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ099N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
26,564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ099N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ099N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Cinta cortada

S/5.33

S/3.30

S/2.22

S/1.73

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Envase tipo carrete

S/1.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3

BSZ097N10NS5
Infineon Technologies
1: S/8.80
11,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ097N10NS5

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N10NS5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3

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11,553En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.61

S/3.88

S/3.29

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

69 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ028N04LS
Infineon Technologies
1: S/5.96
2,230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ028N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ028N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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2,230En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.75

S/2.49

S/1.97

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Envase tipo carrete

S/1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

114 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

BSC098N10NS5
Infineon Technologies
1: S/7.71
22,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC098N10NS5

N.º de artículo de Mouser
726-BSC098N10NS5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

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22,204En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.26

S/2.67

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Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS 5 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
HDSOP-16
HSOF-8
HSOG-8
PQFN 2x2 (DFN2020)
TDSON-8
TDSON-8-3
TDSON-8-34
TDSON-8-43
TDSON-8 FL
TISON-8
TO-220-3
TO-262-3
TO-263-7
TSDSON-8
TSDSON-8-32
TSDSON-8-33
TSON-12
TTFN-9

18.5 A
30 A
32 A
40 A
41 A
44 A
45 A
46 A
47 A
49 A
50 A, 50 A
56 A
60 A
63 A
64 A
69 A
72 A
74 A
76 A
80 A

290 uOhms
350 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
780 uOhms
790 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
950 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.12 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.57 mOhms

5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.9 nC
7 nC
8 nC
9.4 nC
10.1 nC
11 nC
11.1 nC
12 nC
12.5 nC
12.7 nC
13 nC
13.6 nC
14 nC
14.1 nC
15 nC
16.3 nC
17 nC

2.5 W
2.5 W, 6.25 W
27 W
29 W
30 W
33 W
36 W
38 W
42 W
43 W
46 W
50 W
52 W
62.5 W
63 W
69 W
71 W
74 W
78 W
83 W